本实用新型专利技术公开了一种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，包括三相IGBT模块下臂驱动信号以及三相IGBT模块上臂驱动信号；所述三相IGBT模块下臂驱动信号分别与三个或门器件的第一输入端相连接，所述三个或门器件的第二输入端与同一个故障信号相连接，所述三个或门器件的输出端分别与IGBT模块的下臂相连接；所述三相IGBT模块上臂驱动信号分别与IGBT模块的上臂相连接。本实用新型专利技术通过故障信号与或门的配合工作，在变频器输出过流的情况下，通过侦测电路用三个或门将IGBT模块下臂驱动关闭，切断IGBT模块下臂的驱动电压，使得输出电流幅值下降，保护变频器及马达不因过流而损坏。经测试，此项保护电路设计可以符合变频器各项功能的需要。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，包括三相IGBT模块下臂驱动信号以及三相IGBT模块上臂驱动信号；所述三相IGBT模块下臂驱动信号分别与三个或门器件的第一输入端相连接，所述三个或门器件的第二输入端与同一个故障信号相连接，所述三个或门器件的输出端分别与IGBT模块的下臂相连接；所述三相IGBT模块上臂驱动信号分别与IGBT模块的上臂相连接。本技术通过故障信号与或门的配合工作，在变频器输出过流的情况下，通过侦测电路用三个或门将IGBT模块下臂驱动关闭，切断IGBT模块下臂的驱动电压，使得输出电流幅值下降，保护变频器及马达不因过流而损坏。经测试，此项保护电路设计可以符合变频器各项功能的需要。【专利说明】
本技术涉及电路保护
，尤其涉及一种在变频器中作为功率开关器件 的IGBT的驱动保护电路。 -种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路
技术介绍
变频器是一种电机调速过程中常用的设备，用于实现交流电机的无级调速。变频 器在电路上采用了大量的功率器件，并且以较高的频率导通开断。目前，由于绝缘栅双极型 晶体管（IGBT)具有容易驱动且能以商的开关频率处理大电流和商电压的特点，因而国内 外大功率变频器广泛使用IGBT作为功率开关器件。当变频器输出端电流过大时，容易造成 马达或变频器损坏，因此对IGBT的驱动保护就成为了关系到变频器整机工作可靠性的重 要课题。
技术实现思路
本技术旨在提供一种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，当变频器 输出电流过大时，起到降低输出电流的作用。 本技术的技术方案如下： -种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，包括三相IGBT模块下臂驱动信 号以及三相IGBT模块上臂驱动信号；所述三相IGBT模块下臂驱动信号分别与三个或门器 件的第一输入端相连接，所述三个或门器件的第二输入端与同一个故障信号相连接，所述 三个或门器件的输出端分别与IGBT模块的下臂相连接；所述三相IGBT模块上臂驱动信号 分别与IGBT模块的上臂相连接。 其进一步的技术方案为： 所述或门器件的第一输入端连接有上拉电阻。 所述或门器件的第二输入端连接有下拉电容。 所述或门器件的输出端串联有限流电阻。 所述三相IGBT模块上臂驱动信号串联限流电阻。 本技术的有益技术效果是： 本技术通过故障信号与或门的配合工作，在变频器输出过流的情况下，通过 侦测电路用三个或门将IGBT模块下臂驱动关闭，切断IGBT模块下臂的驱动电压，使得输 出电流幅值下降，保护变频器及马达不因过流而损坏。经测试，此项保护电路设计可以符合 变频器各项功能的需要。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的电路原理图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做进一步说明。 如图1所示，U、V、W分别为CPU输出的驱动IGBT模块上臂的PWM信号，U'、V'、W' 分别为CPU输出的驱动IGBT模块下臂的PWM信号，1(：15八、1(：158、1(：1^)是或门器件，0^111^ 泛指一个故障信号。正常工作时，CPU之U、V、W、U'、V'、W'输出六路正常的PWM信号，故障 信号CLimit正常为低电平0V状态，此时IC15A、IC15B、IC1?三路或门将输出与U'、V'、W' 相同的PWM信号；当输出电流过大时，经过硬件电路处理，故障信号CLimit由0V变为+5V 高电平信号，此信号与U'、V'、W'三相驱动相或，此时IC15A、IC15B、IC1OT三路或门都将输 出高电平+5V信号，从而将IGBT模块下臂驱动关断，从而使输出电流下降，当电流降至正常 值时，故障信号CLimit由高电平+5V变为低电平0V，IC15A、IC15B、IC1OT三路或门继续正 常输出与U'、V'、W'相同的PWM信号，电路恢复正常工作状态。 图1所示实施例中的元器件型号可参见下表： 图1中主要元器件表 序号I元器件代号 |元器件类型|元器件参数或型号 1 _IC15A\IC15B\IC15D 或门_74HC32_ 2 C0N3 蓮?妾端子 二-- 3 ~R182\R190\R193 电阻 4. 7kJ 4 ~C79 电容 O.OlyF 5 |R200 ?R205 1-- !287RF 以上所述的元器件均为市售商品。 本电路通过故障信号CLimit与或门IC15A、IC15B、IC1?的配合工作，在变频器在 输出过流的情况下，切断IGBT模块下臂的驱动电压，使得输出电流幅值下降，保护变频器 及马达不因过流而损坏，实现了硬件电路的创新，经测试，此项保护电路设计可以符合变频 器各项功能的需要。 以上所述的仅是本技术的优选实施方式，本技术不限于以上实施例。可 以理解，本领域技术人员在不脱离本技术的精神和构思的前提下直接导出或联想到的 其他改进和变化，均应认为包含在本技术的保护范围之内。【权利要求】1. 一种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：包括三相IGBT模块 下臂驱动信号以及三相IGBT模块上臂驱动信号；所述三相IGBT模块下臂驱动信号分别与 三个或门器件的第一输入端相连接，所述三个或门器件的第二输入端与同一个故障信号相 连接，所述三个或门器件的输出端分别与IGBT模块的下臂相连接；所述三相IGBT模块上臂 驱动信号分别与IGBT模块的上臂相连接。2. 根据权利要求1所述针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述 或门器件的第一输入端连接有上拉电阻。3. 根据权利要求1所述针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述 或门器件的第二输入端连接有下拉电容。4. 根据权利要求1所述针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述 或门器件的输出端串联有限流电阻。5. 根据权利要求1所述针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述 三相IGBT模块上臂驱动信号串联限流电阻。【文档编号】H02M1/32GK203896182SQ201420212360【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月28日 优先权日:2014年4月28日 【专利技术者】朱江 申请人:台安科技(无锡)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种针对变频器过流问题的IGBT驱动保护电路，其特征在于：包括三相IGBT模块下臂驱动信号以及三相IGBT模块上臂驱动信号；所述三相IGBT模块下臂驱动信号分别与三个或门器件的第一输入端相连接，所述三个或门器件的第二输入端与同一个故障信号相连接，所述三个或门器件的输出端分别与IGBT模块的下臂相连接；所述三相IGBT模块上臂驱动信号分别与IGBT模块的上臂相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱江，
申请(专利权)人：台安科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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