一种低电压三相输入升降压DC电源装置，属于电源技术领域。该装置由三相电输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路，然后输出至负载；所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由4个移相控制电路构成；电压取样电路、电流取样电路及温度取样电路分别连接至电压比较器，所述电压比较器的下拉输出端连接至光耦控制装置的负端，所述光耦控制装置的正端连接所述4个移相控制电路输出的正端。该装置采用可控硅移相控制倍压整流电路，输入低电压调节范围宽达8：1，控制了输出电压的稳定，各移相触发电路中的三极管的E、C极连接了可控硅的控制极和阳极，增强了触发功率，可提高可控硅的控制范围，满足低电压输入的需要。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种低电压三相输入升降压DC电源装置，属于电源
。该装置由三相电输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路，然后输出至负载；所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由4个移相控制电路构成；电压取样电路、电流取样电路及温度取样电路分别连接至电压比较器，所述电压比较器的下拉输出端连接至光耦控制装置的负端，所述光耦控制装置的正端连接所述4个移相控制电路输出的正端。该装置采用可控硅移相控制倍压整流电路，输入低电压调节范围宽达8：1，控制了输出电压的稳定，各移相触发电路中的三极管的E、C极连接了可控硅的控制极和阳极，增强了触发功率，可提高可控硅的控制范围，满足低电压输入的需要。【专利说明】-种低电压三相输入升降压DC电源装置
本技术属于电源
，特别涉及一种升降压DC电源装置。
技术介绍
目前，低电压宽范围三相输入升降压大功率DC电源一般都会采用三相整流滤 波-DC/DC转换方案，而该方案需磁性元件升压，难于实现，电磁兼容的处理使成本相当高， 体积也比较大。目前，国内外电源和芯片供应商，均无可行方案。 为了解决该技术问题，目前可以采用单向可控硅倍压整流方案，但是必须解决的 问题有： 1、要有稳定的输出电压必须要有反馈控制； 2、可控使用范围必须彡170° ; 3、输入电压最低是8V，必须稳定触发，专用的触发二极管和BT33作移相触发需正 弦波电压3 40V的辅助电源。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种低电压三相输入升降压 DC电源装置，该装置低电压调节范围较宽，输出的电压稳定，装置制作简单，使用方便。 本技术为实现上述目的所采用的技术方案是：一种低电压三相输入升降压 DC电源装置，其特征是：三相电输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路，然后输出至负 载；所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由移相控制电路装置控制，所述移相控制电路 装置由4个移相控制电路构成；电压取样电路、电流取样电路及温度取样电路分别连接至 电压比较器，所述电压比较器的下拉输出端连接至光耦控制装置的负端，所述光耦控制装 置的正端连接所述4个移相控制电路输出的正端，所述光耦控制装置由4只光耦的输入端 顺向串联构成。 所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由4只单相可控硅组成单相整流桥，该整 流桥的输入端接三相A、B、C的任意两端，两串联的滤波电容的联接点接三相A、B、C的三相 的另一相，单向可控硅组成的单相整流桥的正输出端接所述的两串联滤波电容的正端，单 向可控硅组成的单相整流桥的负输出端接所述的两串联滤波电容的负端。 所述4只单向可控硅，其触发电路均相同，且每只单向可控硅的构成均为：触发极 接三极管的E极，三极管C极经一并联的电阻和电容接该单向可控硅的阳极，三极管的B极 经一电容器接所述两串联滤波电容的正端，三极管的B极与单向可控硅阳极之间垮接二极 管由正到负，并与电阻并联，三极管的B极还接光耦的E极，所述单向可控硅阳极还接光耦 的C极，4只光耦的输入端顺向串联，串联后的正输入端接所述两串联滤波电容的正端，4只 光耦输入端顺向串联后的负输入端接电压比较器的下拉输出端。 所述电压取样电路采用两串联的输出电压取样电阻垮接两串联滤波电容的正负 端，其连接点经电阻接电压比较器的负输入端，其正输入端连接设定的基准电压。 所述电流取样电路输出电流正信号至电压比较器的负输入端，电压比较器的下拉 输出端接另一个电压比较器负输入端。 本技术方法的有益效果是： 1、采用可控硅移相控制倍压整流电路，输入低电压调节范围宽达8 :1 ; 2、采用4只光耦，其输入端均受输出电压控制，而其输出端分别连接了 4个可控硅 移相控制倍压整流电路，控制了输出电压的稳定； 3、各移相触发电路中的三极管的E、C极连接了可控硅的控制极和阳极，增强了触 发功率，可提高可控硅的控制范围，满足低电压输入的需要。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术一种低电压三相输入升降压DC电源装置结构示意图。 图2是本技术一种低电压三相输入升降压DC电源装置的电路图。 图中，1、三相电，2、三相可控硅移相控制倍压整流电路，3、温度取样电路，4、电压 取样电路，5、负载，6、电流取样电路，7、电压比较器，8、光耦控制装置，9、移相控制电路装置 【具体实施方式】 以下结合附图对本技术做进一步说明，但是本技术并不局限于具体实施 例。 实施例 -种低电压三相输入升降压DC电源装置，该装置中，三相电1包括ABC三相输入 至三相可控硅移相控制倍压整流电路2,然后输出至负载5 ;所述三相可控硅移相控制倍压 整流电路由移相控制电路装置9控制，所述移相控制电路装置由4个移相控制电路构成；电 压取样电路4、电流取样电路6及温度取样电路3分别连接至电压比较器7,所述电压比较 器的下拉输出端连接至光耦控制装置8的负端，所述光耦控制装置的正端连接所述4个移 相控制电路输出的正端，所述光耦控制装置由4只光耦的输入端顺向串联构成。 三相可控硅倍压整流滤波电容由4只单相可控硅Q1-Q4组成单相整流桥，该整流 桥的输入端接三相A、B、C的任意两端，两串联的滤波电容Cll、C12的联接点接三相A、B、 C的三相的另一相，单向可控硅Q1-Q4组成的单相整流桥的正输出端接所述的两串联滤波 电容的正端，单向可控硅Q1-Q4组成的单相整流桥的负输出端接所述的两串联滤波电容车 C11、C12的负端。 4只单向可控硅Q1-Q4的触发电路相同，图2中，触发电路之一的可控硅Q1触发极 接三极管Q11的E极，该三极管C极经一并联的电阻R2和电容C2接所述该可控硅的阳极， 所述三极管的B极经电容C1器接所述两串联滤波电容的正端，所述三极管的B极与所述单 向可控硅阳极Q1之间垮接二极管D1由正到负，并与电阻R1并联，三极管Q11的B极还接 一光耦U1的E极，所述单向可控硅Q1阳极还接光耦U1的C极，4只所述光耦U1-U4的输入 端顺向串联，串联后的正输入端接所述两串联滤波电容C11、C12的正端，4只光耦U1-U4输 入端顺向串联后的负输入端经电阻R11接电压比较器IC1的集电极开路输出端。 电压取样电路采用两串联的输出电压取样电阻R12、R13垮接两串联滤波电容的 正负端，其连接点经电阻R14接电压比较器IC1的输入端，其"+"输入端连接稳定的 基准电压。 电流取样电路的输出电流正信号至电压比较器IC2的负输入端，IC2的下拉输出 端接电压比较器IC1的输入端。【权利要求】1. 一种低电压三相输入升降压DC电源装置，其特征是：三相电⑴输入至三相可控硅 移相控制倍压整流电路（2)，然后输出至负载（5);所述三相可控硅移相控制倍压整流电路 由移相控制电路装置（9)控制，所述移相控制电路装置由4个移相控制电路构成；电压取样 电路（4)、电流取样电路（6)及温度取样电路⑶分别连接至电压比较器（7)，所述电压比 较器的下拉输出端连接至光耦控制装置（8)的负端，所述光耦控制装置的正端连接所述4 个移相控制电路输出的正端，所述光耦控制装置由4只光耦的输入端顺向串本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低电压三相输入升降压DC电源装置，其特征是：三相电(1)输入至三相可控硅移相控制倍压整流电路(2)，然后输出至负载(5)；所述三相可控硅移相控制倍压整流电路由移相控制电路装置(9)控制，所述移相控制电路装置由4个移相控制电路构成；电压取样电路(4)、电流取样电路(6)及温度取样电路(3)分别连接至电压比较器(7)，所述电压比较器的下拉输出端连接至光耦控制装置(8)的负端，所述光耦控制装置的正端连接所述4个移相控制电路输出的正端，所述光耦控制装置由4只光耦的输入端顺向串联构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林国强，李强，钱立平，韩治昀，邹瑞洵，
申请(专利权)人：大连理工常州研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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