用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法技术

本发明专利技术提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。【专利说明】 本申请要求于2013年4月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号 10-2013-0043079的优先权和权益，将其全部内容以引用方式结合于本文中。
披露了用于绝缘层的清洗液(冲洗液，漂洗液，rinse liquid)以及清洗绝缘层的 方法。
技术介绍
随着半导体技术日益发达，对形成具有改善性能并集成更小半导体芯片的高度集 成且更快的半导体存储单元存在持续的研究。在这些半导体存储单元中，例如，可以使用 DRAM (动态随机存取存储器)。DRAM能够自由输入和输出信息，并可以实现大容量。 DRAM可以包括，例如，多个单元，其包括一个M0S晶体管（M0S晶体管）和一个电容 器。电容器可以包括两个电极和设置在其间的介电层。电容器可以具有不同的容量，其取 决于，例如，介电常数、介电层的厚度、电极的面积等。 随着半导体芯片的尺寸减小，也可以减小其中的电容器的尺寸。然而，更小的电容 器需要足够的存储容量。通过例如增加垂直面积来代替降低水平面积以增加总有效面积， 电容器可以实现更大容量。在这里，需要这样的绝缘材料，其具有间隙填充特性以填充在图 案之间的窄间隙而没有真空空间。 这种绝缘材料可以通过施加含硅氮化合物如聚硅氮烷并使其固化而包括二氧化 硅。二氧化硅可以在电子器件如半导体装置或显示器件中用作，例如，用于电容器的介电 层、层间绝缘层、平坦化层、钝化膜、分离绝缘体等。 另一方面，当含娃氮化合物如聚娃氮烧用来在基底(衬底，基板，substrate)上形 成薄膜时，在不期待形成薄膜处形成的含硅氮化合物或其残留在基底的侧面或后面的残留 物需要被除去，并且在这里可以使用用于绝缘层的清洗液。
技术实现思路
-个实施方式提供了用于绝缘层的清洗液，其有效地清洗绝缘层的残留物而不会 对绝缘层的特性具有影响。 另一个实施方式提供了利用用于绝缘层的清洗液来清洗绝缘层的方法。 根据一个实施方式，提供了一种用于绝缘层的清洗液，其包含由以下化学式1表 示的溶剂。 【权利要求】1. 一种用于绝缘层的清洗液，包含由以下化学式1表示的溶剂： 其中，在所述化学式1中， R1是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、 取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基团、取代或未取代 的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C5至 C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、 取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、或它们的组合，以及 Ra至Re各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至 C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基 团、取代或未取代的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代 或未取代的C5至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2 至C30炔基基团、取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、羟基基团、卤素、 或它们的组合。2. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述溶剂包括苯甲酸甲酯、苯甲 酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸丁酯、苯甲酸苄酯、或它们的组合。3. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述溶剂包括单一溶剂或两种 或更多种的混合物。4. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，进一步包含辅助溶剂，所述辅助溶剂 在正常压力下具有约l〇〇°C至约300°C的沸点。5. 根据权利要求4所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述辅助溶剂包括醚、萘满、乙 酸酯、苯、萘、酮、腈、链烷烃、它们的衍生物、或它们的组合。6. 根据权利要求5所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述辅助溶剂包括乙二醇二乙 醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、乙基萘满、二甲 基萘满、三甲基萘满、四甲基萘满、乙酸苄酯、1，2-二甲基萘、1-甲基萘、苯乙酮、己二腈、苄 基乙基醚、丁基苯、环己基苯、二苄醚、苊烯、1-萘基乙腈、二苯醚、乙二醇醚、链烷烃、或它们 的组合。7. 根据权利要求5所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述链烷烃和它的衍生物在正 常压力下具有约190°C至约220°C的沸点。8. 根据权利要求4所述的用于绝缘层的清洗液，其中，基于所述清洗液的总量，所述辅 助溶剂以大于约Owt%并且小于或等于约99wt%的量被包括。9. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，在lml所述清洗液中，所述清洗 液包含约50个或更少的大于或等于约0. 5 μ m的颗粒。10. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，在lml所述清洗液中，所述清洗 液包含约200个或更少的大于或等于约0. 2 μ m的颗粒。11. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述清洗液具有小于或等于约 150ppm的含湿量。12. 根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液，其中，所述绝缘层包含聚硅氮烷、聚 硅氧氮烷、或它们的组合。13. -种清洗绝缘层的方法，包括： 在基底上施加绝缘层，以及 在所述绝缘层上将根据权利要求1所述的用于绝缘层的清洗液提供到绝缘层的前部、 后部、边缘部、或它们的组合。【文档编号】H01L21/02GK104109589SQ201310567460【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年4月18日【专利技术者】裵镇希, 李汉松, 任浣熙, 金古恩, 郭泽秀, 金补宣, 金相均, 罗隆熙, 朴银秀, 徐珍雨, 宋炫知, 赵娟振, 韩权愚, 黄丙奎 申请人:第一毛织株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于绝缘层的清洗液，包含由以下化学式1表示的溶剂：[化学式1]其中，在所述化学式1中，R1是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基团、取代或未取代的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C5至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、或它们的组合，以及Ra至Re各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C7至C30芳烷基基团、取代或未取代的C1至C30杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代或未取代的C5至C30杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的烷氧基基团、取代或未取代的羰基基团、羟基基团、卤素、或它们的组合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：裵镇希，李汉松，任浣熙，金古恩，郭泽秀，金补宣，金相均，罗隆熙，朴银秀，徐珍雨，宋炫知，赵娟振，韩权愚，黄丙奎，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR