一种氮化物发光二极管制造技术

一种氮化物发光二极管，其结构包括：衬底、n侧层、活性层、p侧层；其中，所述p侧层包含电子阻挡层、空穴注入层、接触层；所述空穴注入层由u型氮化物层、p型氮化物层和氮化镁层交互堆叠而成。该结构可有效扩展电流，改善电流拥挤现象，改善出光均匀性；同时改善晶格质量，进而改善漏电流及抗静电能力等电特性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种氮化物发光二极管，其结构包括：衬底、n侧层、活性层、p侧层；其中，所述p侧层包含电子阻挡层、空穴注入层、接触层；所述空穴注入层由u型氮化物层、p型氮化物层和氮化镁层交互堆叠而成。该结构可有效扩展电流，改善电流拥挤现象，改善出光均匀性；同时改善晶格质量，进而改善漏电流及抗静电能力等电特性。【专利说明】
本技术涉及发光半导体器件领域，尤其涉及一种氮化物发光二极管外延片的 生产
。 一种氮化物发光二极管
技术介绍
目前，氮化物发光二极管（Light-emitting diodes,简称LED)以其高效率、长寿 命、全固态、自发光和绿色环保等优点，已经被广泛应用于照明和显示两大领域；其氮化物 发光二极管结构成为国内外产学研各界重点研究的对象，尤其是近年来关于P型层结构一 直是各界研究热点。由于P型层是空穴的提供层，其Mg掺杂往往较高，从而影响其晶格质 量，在器件通入电流后易造成抗静电能力差，而当晶格质量变差时，其产生的缺陷易吸光， 造成器件的出光效率变差，最终导致器件整体性能偏差。
技术实现思路
针对上述发光二极管所存在的问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的n侧层；形成在所述n 侧层上的活性层；形成在所述活性层上的p侧层；其特征在于：所述p侧层包含电子阻挡层、空穴注入层、接触层；所述空穴注入层由u型氮化物层、p型氮化物层和氮化镁层交互堆叠而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢翔麟，徐志波，蓝永凌，林兓兓，卓昌正，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34