绝缘层形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，所述包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成PETEOS层，并对所述PETEOS层执行CMP工艺；对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，所述等离子体处理所使用的离子为氧离子；在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。通过对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，去除了PETEOS层表面的碳残留，从而避免了无定形碳层上形成凸起，提高了无定形碳层的质量。【专利说明】
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，主要包括：半导体器件的形成，这些半导体器件主要为 CMOS器件；在形成了半导体器件之后，需要将这些半导体器件与金属层连接，主要与第一 金属层连接，从而形成各种不同功能/功用的集成电路，此外，所述第一金属层还可能与后 续第二、第三等金属层连接。 半导体器件与第一金属层的连接通过接触孔（contact hole)的形式实现。具体 包括：在半导体器件上形成绝缘层，在所述绝缘层中形成一开口，在开口内填入导电材料， 形成接触孔。随着...
【技术保护点】
一种绝缘层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成PETEOS层，并对所述PETEOS层执行CMP工艺；对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，所述等离子体处理所使用的离子包括氧离子；在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，严琰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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