像素结构及其制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及其制作方法和显示面板，所述像素结构的制作方法包括步骤：在基板上形成一图案化的第一金属层；在基板上形成一平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。从而消除了第一金属层的段差，继而消除了因段差而带来的对后续层别的制作产生的不利影响，因此可以制作比传统方法更厚的第一金属层，从而可以有效降低大尺寸面板走线的负载，降低信号线电阻，减小信号延迟，提升显示质量。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制作方法和显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其是涉及一种像素结构的制作方法、像素结构及显示面板。
技术介绍
目前，大尺寸、高分辨率显示面板已经成为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的一个发展趋势。然而，随着尺寸的变大，信号线的负载也会增大，从而引起信号延迟，严重影响显示质量。为了解决上述问题，现有技术中提出增加金属层厚度来有效降低电阻、减小信号线负载的方法，但随着金属层厚度增加，金属层图案化后就会产生较大的段差，继而影响后续层别的制作，特别是造成后续薄膜在跨线处发生断线等问题，严重降低产品成品率。此外，现有像素结构透光区的像素电极往往采用米字形的结构，亦即透光区由很多条状的像素电极组成，每条像素电极之间具有狭缝间隔，由于狭缝部分没有电极，因此电场强度较弱，从而引起部分穿透率的损失，降低了现实质量。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种像素结构及其制作方法和显示面板，旨在有效解决大尺寸显示面板信号延迟问题，提升显示质量。为达以上目的，本专利技术提出一种像素结构的制作方法，包括步骤：在基板上形成一图案化的第一金属层；在基板上形成一平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。优选地，所述在基板上形成一平坦化的第一绝缘层包括：在基板上形成一覆盖所述第一金属层的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙；平坦化所述第一绝缘层，以使所述第一绝缘层露出所述第一金属层表面。优选地，所述平坦化所述第一绝缘层包括：在所述第一绝缘层上涂覆负性光阻层；以所述第一金属层作为光罩进行显影，除去所述第一金属层上方的负性光阻层以暴露出所述第一绝缘层；刻蚀所述第一绝缘层，除去所述第一金属层上方暴露出来的第一绝缘层，以露出所述第一金属层表面。优选地，所述在基板上形成一平坦化的第一绝缘层的步骤之后还包括：在透光区的第一绝缘层上形成一具有多个凹槽的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成一整体的像素电极层，所述像素电极层整块覆盖于所述第二绝缘层。优选地，所述凹槽呈狭长状，且所述多个凹槽平行排布。优选地，所述第二绝缘层包括栅绝缘层和钝化层。本专利技术同时提出一种像素结构，其配置于一基板上，包括形成于所述基板上的图案化的第一金属层和平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。优选地，所述像素结构具有一透光区，所述像素结构还包括第二绝缘层和像素电极层，其中：所述第二绝缘层形成于所述透光区的第一绝缘层上，且所述第二绝缘层上具有多个凹槽；所述像素电极层为一整体结构，且整块覆盖于所述第二绝缘层上。优选地，所述凹槽呈狭长状，且所述多个凹槽平行排布。本专利技术同时提出一种显示面板，包括一基板和像素结构，所述像素结构配置于所述基板上，所述像素结构包括形成于所述基板上的图案化的第一金属层和平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。本专利技术所提供的一种像素结构的制作方法，通过形成一平坦化的第一绝缘层，使得第一绝缘层填充第一金属层的空隙并露出第一金属层，消除了第一金属层的段差，从而消除了因段差而带来的对后续层别的制作产生的不利影响，因此可以制作比传统方法更厚的第一金属层，从而可以有效降低大尺寸面板走线的负载，降低信号线电阻，减小信号延迟，提升显示质量。附图说明图1是本专利技术的像素结构一实施例的剖视图；图2是现有技术中的像素结构的透光区的剖视图；图3是本专利技术的像素结构的透光区的剖视图；图4是本专利技术的像素结构的制作方法第一实施例的流程图；图5是图4中步骤S103的具体流程图；图6是本专利技术中在基板上形成图案化的第一金属层后的结构示意图；图7是本专利技术中在基板上形成第一绝缘层和光阻层后的结构示意图；图8是本专利技术中对图7中的像素结构显影后的结构示意图；图9是本专利技术中在基板上形成平坦化的第一绝缘层后的结构示意图；图10是本专利技术的像素结构的制作方法第二实施例的流程图；图11是图10中步骤S304的具体流程图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1，提出本专利技术的像素结构一实施例，所述像素结构配置于一基板10上，包括依次形成于所述基板10上的图案化的第一金属(M1)层20、平坦化的第一绝缘层30、栅绝缘(GI，GateInsulator)层40、半导体(Semiconductor)层50、源漏电极(AS)60、第二金属(M2)层70、钝化(PAV，Passivation)层80和像素电极层90。所述第一金属层20进行图案化后具有很多空隙而形成段差，所述第一绝缘层30填充所述空隙，并露出第一金属层20表面，且第一绝缘层表面优选与第一金属层表面平齐。其中，第一金属层20通过沉积等方式形成于基板10上，并进行图案化处理。该第一金属层20可以是Cr、W、Ti、Ta、Mo等金属或合金，第一金属层20的厚度较厚，可达普通像素结构中的第一金属层20厚度的两倍或以上，可以有效降低电阻，减小信号延迟。由于第一金属层20较厚，因此图案化后的第一金属层20会因空隙而形成较大的段差。第一绝缘层30可以是栅绝缘(GI，GateInsulator)层，其成分可以是氮化硅(siNx)、氧化硅(siOx)等。第一绝缘层30通过沉积等方式形成于整个基板10上，覆盖整个第一金属层20，并在进行了平坦化处理后，露出第一金属层20表面，并优选与第一金属层20表面平齐，消除了第一金属层20的段差。从而消除了因第一金属层20的段差而带来的对后续层别的制作产生的不利的影响，因此可以制作比传统方法更厚的第一金属层20。进一步地，所述栅绝缘层40和钝化层80组成像素结构透光区(右侧)的第二绝缘层，所述第二绝缘层(栅绝缘层40和钝化层80)形成于透光区的第一绝缘层30上，且第二绝缘层具有多个凹槽。所述凹槽优选呈狭长状，且多个凹槽相互平行，均匀排布，最终第二绝缘层整体呈凹凸状的3D结构。所述像素电极层90为一整体结构，且整块平铺覆盖于第二绝缘层(栅绝缘层40和钝化层80)上，随着第二绝缘层上的凹槽也呈凹凸状的3D结构。所述像素电极层90的材质优选透明导电材质氧化铟锡(ITO)。结合参见图2和图3，其中图2为现有技术中的像素结构的透光区的剖视图，图3为本专利技术的像素结构的透光区的剖视图。从图2中可以看出，现有技术中透光区的栅绝缘(GI)层2和钝化(PAV)层3完全覆盖基板1，像素电极层4形成于钝化层3上，并形成条纹状的图案，即像素电极层4为间隔排布的若干条状电极。在面板正常工作时，有像素电极的地方电场较强，对应的穿透率较高；而各像素电极之间的部分电场强度则较小，穿透率会有一定的损失。从图3中可以看出，本专利技术中透光区依次包括形成于基板10上的第一绝缘层30、第二绝缘层(栅绝缘层40和钝化层80)和像素电极层90，整个透光区被像素电极层90整体覆盖，像素电极层90随着下方的第二绝缘层(栅绝缘层40和钝化层80)上的凹槽呈条纹状(或凹凸状)的3D结构。面板工作时，第二绝缘层(栅绝缘层40和钝化层80)凸出部分的像素电极层90的电场强度较大，穿透率较高；第二绝缘层(栅绝缘层40和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：在基板上形成一图案化的第一金属层；在基板上形成一平坦化的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙，并露出所述第一金属层表面。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：在基板上形成一图案化的第一金属层；在基板上形成一覆盖所述第一金属层的第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙；在所述第一绝缘层上涂覆负性光阻层；以所述第一金属层作为光罩进行显影，除去所述第一金属层上方的负性光阻层以暴露出所述第一绝缘层；刻蚀所述第一绝缘层，除去所述第一金属层上方暴露出来的第一绝缘层，以露出所述第一金属层表面；处理没有所述第一金属层区域的第一绝缘层，使得所述第一绝缘层表面平整。2.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成一平坦化的第一绝缘层的步骤之后还包括：在透光区的第一绝缘层上形成一具有多个凹槽的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成一整体的像素电极层，所述像素电极层整块覆盖于所述第二绝缘层。3.根据权利要求2所述的像素结构的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44