图像传感器以及成像装置制造方法及图纸

本申请案涉及一种图像传感器以及成像装置。一种成像装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件。所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面。所述成像装置还包含负电荷层和电荷吸收层。所述负电荷层安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞。所述电荷吸收层安置在所述负电荷层附近且经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量。所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器以及成像装置
本专利技术大体上涉及图像传感器，且明确地说但非排他地，涉及背照式图像传感器。
技术介绍
图像传感器广泛用于数字静态相机、蜂窝电话、安全相机中，以及用在医疗、汽车和其它应用中。互补金属氧化物半导体(“CMOS”)技术用以在硅衬底上制造较低成本的图像传感器。在大量图像传感器中，图像传感器通常包含数百、数千或甚至数百万个光传感器单元或像素。背照式(“BSI”)技术通常用在图像传感器中增加图像光的量，所述图像光入射于图像传感器的像素中的光敏元件上。在使用BSI技术时，背侧积聚有助于生成电场，所述电场将光电子(由入射图像光产生)引导到图像传感器的前侧，在前侧处可以收集并测量所述光电子。没有半导体衬底背侧上的积聚，电子到背面的扩散可能会因为再结合而导致损失，这可能使图像传感器的敏感性降级。有利地，半导体衬底背侧上的积聚可以减少或阻止从半导体衬底与另一层(例如，二氧化硅绝缘层)的界面产生的“暗电流”。减少“暗电流”将会改善图像传感器的信噪比，重要的是，这改善了图像传感器的敏感性。假定半导体衬底背侧上的积聚是有益的，图像传感器产业寻求产生将会使图像传感器性能改善的背侧积聚。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。

【技术特征摘要】
2013.04.04 US 13/856,9931.一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其包含用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件，其中所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面；负电荷层，其安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞；以及电荷吸收层，其安置在所述负电荷层附近，其中所述电荷吸收层经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量，且其中所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间；其中所述负电荷层包含铪铝氧化物；且其中所述负电荷层包含所述铪铝氧化物中的铝的梯度分布，所述铪铝氧化物包含在所述负电荷层顶侧附近比在所述负电荷层底侧附近高的铝分布，所述底侧比所述顶侧更接近于所述光敏元件。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述梯度分布是铝含量的逐渐增加。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述梯度分布是铝含量的逐步增加。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述铪铝氧化物中的铝均匀地分布。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷吸收层是带正电的。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述图像传感器是背照式图像传感器“BSI”，且所述光接收表面是所述BSI的背侧。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述负电荷层的第一厚度和所述电荷吸收层的第二厚度经配置以减少所述图像光的反射量。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：绝缘层，其安置于所述负电荷层与所述半导体衬底之间；以及第一电荷阻挡势垒层CBBL，其安置于所述负电荷层与所述电荷吸收层之间。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其进一步包括：第二电荷阻挡势垒层CBBL，其安置于所述绝缘层与所述负电荷层之间。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志伟，奥拉伊·奥尔昆·赛莱克，陈刚，毛杜利，文森特·韦内齐亚，戴森·H·戴，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US