直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯。两个自振荡芯片4、6共接定时电阻R2、电容C4同步振荡，自振荡芯片4及推挽逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及推挽逆变器B输出功率变压器T2由相加耦合器功率合成馈送灯管卤钨灯发光，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明专利技术适用于直流低电压、大电流供电的卤钨灯照明场合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯。两个自振荡芯片4、6共接定时电阻R2、电容C4同步振荡，自振荡芯片4及推挽逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及推挽逆变器B输出功率变压器T2由相加耦合器功率合成馈送灯管卤钨灯发光，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本专利技术适用于直流低电压、大电流供电的卤钨灯照明场合。【专利说明】直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯
本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种直流低压双推注入锁相功率合成卤 钨灯。
技术介绍
现有技术常用LC或RC振荡器作为卤钨灯光源，产生的振荡频率受温度变化稳定 性差影响功率不稳定光强下降，虽然结构简便，成本低。由于电源电压低，要得到大功率照 明势必增大器件电流，使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光 随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变 小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度 下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。叠加逆变功率拖动大功率灯，解决器件功率容量限制。 但是，要求功率合成振荡电压相位一致，克服非线性互调功率不均衡。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供直流低电压大电流供电，逆变振荡高稳频相位同步的一种直 流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯。 本专利技术技术解决方案为：包括直流低压电源、卤钨灯管、基准晶振、分频器、两个自 振荡芯片、推挽逆变器A、推挽逆变器B、相加耦合器T3、灯管电路，其中，基准晶振由石英晶 体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接电阻偏置，并 分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第 二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障保护控制 器SD，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R 2、电容C4同步振荡，输出分别经推挽逆变驱动 电路连接均由两个大功率M0S场效应管组成的推挽逆变器A、推挽逆变器B，自振荡芯片及 推挽逆变器A输出功率变压器?\电感L 2与自振荡芯片及推挽逆变器B输出功率变压器T2 电感L5由相加耦合器Τ3电感L6功率合成，电感L7接灯管电路卤钨灯管点燃，基准晶振信号 经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C T端锁定相位，灯管电路灯异常检测信号接入两 个自振荡芯片灯故障保护控制器SD，直流低压电源连接基准晶振、分频器、自振荡芯片及推 挽逆变器A、自振荡芯片及推挽逆变器B的电源端； 其中，灯管电路由卤钨灯管一端接相加耦合器T3电感L7，卤钨灯管另一端接地，相 加耦合器T3电感L7穿过灯异常电流互感磁环接地，电感L8电压经二极管VDi检波、电容C 9、 电阻R1(l滤波接入两个自振荡芯片灯故障保护控制器SD。 本专利技术产生积极效果：解决直流低压、大电流双推挽逆变振荡高稳频相位同步功 率合成，达到单个自振荡推挽逆变器难以得到的大功率卤钨灯照明，避免器件温升高振荡 频率变化功率失衡，稳定灯光，延长使用寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1本专利技术技术方案原理框图 图2基准晶振电路 图3直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯电路 【具体实施方式】 参照图1、2、3(图3以自振荡芯片及推挽逆变器A为例，自振荡芯片及推挽逆变 器B与A相同），本专利技术【具体实施方式】和实施例：包括直流低压电源1、卤钨灯管9、基准晶 振2、分频器3、两个自振荡芯片4、6，推挽逆变器A5、推挽逆变器B7、相加耦合器T 38、灯管电 路10,其中，基准晶振2由石英晶体谐振器JT、两个反相器IC1、IC2及电阻&、电容Q、Q、 C2组成，第一个反相器1(^输入与输出两端跨接电阻&偏置，并分别并接接地电容，同 时，还跨接串联微调电容Q的石英晶体谐振器JT，基准晶振2输出信号经第二个反相器IC 2 接入分频器3,自振荡芯片IC4IR2157内含RC振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障保护控制 器SD，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R 2、电容C4同步振荡，输出分别经推挽逆 变驱动电路连接均由两个大功率M0S场效应管组成的推挽逆变器A5、推挽逆变器B7,自振 荡芯片4及推挽逆变器A5输出功率变压器?\电感L 2与自振荡芯片6及推挽逆变器B7输 出功率变压器T2电感L5由相加耦合器T 3电感L6功率合成，电感L7接灯管电路10卤钨灯 管9点燃，基准晶振2信号经分频器3分频+N基准信号&电容C 3、C4分压注入两个自振 荡芯片4、6的RC振荡器CT端锁定相位，灯管电路灯10异常检测信号接入两个自振荡芯片 4、6灯故障保护控制器SD，直流低压电源1分别连接基准晶振2、分频器3、自振荡芯片4及 推挽逆变器A5、自振荡芯片6及推挽逆变器B7电源端+V。 IC4引脚符号功能：V。。电源端，CT接振荡器定时电容C4, RT接振荡器定时电阻R2， %驱动％，h驱动Q2, CS电流检测，SD灯故障关闭振荡保护控制，COM接地。 自振荡芯片IC4电源由电阻Rn降压，电容C7滤波供给产生振荡，经Hph驱动 推挽逆变器，大功率M0S管QpQ 2轮流导通、截止半周，输出功率接相加耦合器与推挽逆变器 B输出功率合成。 两个逆变器功率合成拖动大功率灯具，扩容可靠，但要求两个自振荡芯片振荡电 压相位一致，以消除非线性互调有功功率不均衡获取稳定的输出功率。为此，引入注入锁相 解决功率合成相位同步技术。 注入锁相不用压控调谐、鉴相器、环路滤波器，电路结构简单，性能优越，附加成本 低。注入锁相本质上与环路锁相没差别，只是结构和工作过程不同，适于功率合成灯具稳定 振荡频率相位同步，稳定输出功率避免器件温升过高功率失衡，延长使用寿命。 基于注入基准频率是锁定振荡频率的整数倍，或振荡频率是基准频率的整数倍， 基准信号分频注入选配较高频率的高稳频特性石英谐振器，易于锁定数十至数百千赫LC 或RC振荡器。分频器IC3二进制或十进制计数分频。基准晶振石英谐振器品质因数高，频 率受温度变化极小，高度稳定作为锁定基准参考信号。 基准信号经分频注入自振荡芯片CT端锁定相位。未注入基准信号自振荡芯片RC 振荡器产生自由振荡频率，注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成，通过自振荡芯片非线 性变频锁定相位，振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差。同步带宽与注入功率 正比，与RC振荡器有载Q值反比，由于基准信号注入RC振荡器的输入端，增益高，小功率锁 定。两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻馬、电容C4同步振荡，锁定时间快。 相加耦合器T3电感L6将双推输出功率变压器!^!^电感L 2、L5反相激励电流叠加， 相位差180°低次谐波相互抵消，输出电流变换加倍总和送到灯负载，两个电流相等时平衡 电阻R 9无功率损耗。 灯异常时电流互感磁环电感L8电压二极管VDi检波，电容C9、电阻R 1(l滤波经电阻 R7、R8接入两个自振荡芯片及推挽逆变器的灯故障保护控制器，关断RC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流低压双推注入锁相功率合成卤钨灯，包括直流低压电源、卤钨灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、推挽放大器A、推挽放大器B、相加耦合器T3、灯管电路，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接电阻偏置，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、推挽放大驱动电路、灯故障保护控制器SD，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R2、电容C4同步振荡，输出分别经推挽放大驱动电路连接均由两个大功率MOS场效应管组成的推挽放大器A、推挽放大器B，自振荡芯片及推挽放大器A输出功率变压器T1电感L2与自振荡芯片及推挽放大器B输出功率变压器T2电感L5由相加耦合器T3电感L6功率成合，电感L7接灯管电路卤钨灯管点燃，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器CT端锁定相位，灯管电路灯异常检测信号接入两个自振荡芯片灯故障保护控制器SD，直流低压电源连接基准晶振、分频器、自振荡芯片及推挽放大器A、自振荡芯片及推挽放大器B的电源端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，张妙娟，
申请(专利权)人：张妙娟，
类型：发明
国别省市：浙江;33