一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及氯硅烷的生产领域，具体涉及一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，该装置依次包括原液储罐、第一蒸馏塔、第一除杂器、缓冲罐、第二蒸馏塔、第二除杂器、冷凝器和提纯储罐，原液储罐与第一蒸馏塔下部连接，第一蒸馏塔顶部与第一除杂器连接，第一除杂器与缓冲罐顶部连接，缓冲罐底部与第二蒸馏塔连接，第二蒸馏塔与第二除杂器顶部连接，第二蒸馏塔顶部与冷凝器顶部连接，冷凝器与提纯储罐连接，各部件均通过管路连接。该装置结构简单，适用于去除氯硅烷中的三氯化铝。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种从氯娃院中去除三氯化铝的装置
本技术涉及氯硅烷的生产领域，，具体涉及一种从氯硅烷中去除三氯化铝的 装直。
技术介绍
氯硅烷是一种重要的化工产品，氯硅烷的生产成本很低，但是在它们生产过程中 容易生成卤化物，如卤化铝。卤化铝的存在使提高温度时的氯硅烷性能很不稳定，能够在提 高温度过程中导致氯硅烷分解。在制备过程中，不纯的固态硅与含氯气体反应，而且许多固 体杂质滞留在该反应器内或诸如旋流器的除尘设备中。然而，铝及一些其它污染物例如锑、 硼、碳、铟、镓、磷、铊、锡、钛、锌及锆的性质使得它们形成挥发性化合物，与所需要的氯硅烷 一起被带出反应器。因此，反应器的流出气体中含有这些挥发性化合物，流出气体随后被冷 却形成液态氯硅烷混合物，其主要成份为二氯硅烷（SiH2C12)、三氯硅烷（SiHC13)及四氯 化硅（亦称为四氯硅烷）（SiC14)，该混合物可通过常规方法主要采用蒸馏进行纯化。铝与 硼一样是主要的杂质，二者皆可在高纯度硅中用作具有电学活性的掺杂剂，因此必须将铝 的含量降至极低。此外，由于氯化铝（A1C13)具有在大气压下不会形成液相的异常性质。当 压力接近例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，该装置依次包括原液储罐（1）、第一蒸馏塔（2）、第一除杂器（3）、缓冲罐（4）、第二蒸馏塔（5）、第二除杂器（6）、冷凝器（7）和提纯储罐（8），原液储罐与第一蒸馏塔（2）下部连接，第一蒸馏塔（2）顶部与第一除杂器（3）连接，第一除杂器（3）与缓冲罐（4）顶部连接，缓冲罐（4）底部与第二蒸馏塔（5）连接，第二蒸馏塔（5）与第二除杂器（6）顶部连接，第二蒸馏塔（5）顶部与冷凝器（7）顶部连接，冷凝器（7）与提纯储罐（8）连接，各部件均通过管路连接。

【技术特征摘要】
1. 一种从氯硅烷中去除三氯化铝的装置，其特征在于，该装置依次包括原液储罐（1 )、 第一蒸馏塔（2)、第一除杂器（3)、缓冲罐（4)、第二蒸馏塔（5)、第二除杂器（6)、冷凝器（7) 和提纯储罐（8)，原液储罐与第一蒸馏塔（2)下部连接，第一蒸馏塔（2)顶部与第一除杂器 (3)连接，第一除杂器（3)与缓冲罐（4)顶部连接，缓冲罐（4)底部与第二蒸馏塔（5)连接， 第二蒸馏塔（5)与第二除杂器（6)顶部连接，第二蒸馏塔（5)顶部与冷凝器（7)顶部连接， 冷凝器（7 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒忠斌，李波，陶崇花，
申请(专利权)人：浙江精功新材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33