AZO导电玻璃制造技术

本实用新型专利技术适用于导电玻璃技术领域，公开了一种AZO导电玻璃。上述AZO导电玻璃包括基底层，还包括折射率相互匹配并使可见光发生相消干涉的折射率匹配层和AZO膜层，基底层、折射率匹配层和AZO膜层依次层叠设置，AZO膜层采用掺铝氧化锌通过直流磁控溅射的方式镀制于折射率匹配层。本实用新型专利技术提供的AZO导电玻璃，AZO导电玻璃显示效果及触控性能佳且生产成本低，可以很好地应用于触控显示领域。

【技术实现步骤摘要】
AZO导电玻璃
本技术属于导电玻璃
，尤其涉及一种ΑΖ0导电玻璃。
技术介绍
ΑΖ0玻璃，即掺杂铝的氧化锌（ZnO)透明导电玻璃，是TC0玻璃的一种，和ΙΤ0等 TC0玻璃一样也具有透明和导电的特点。由于原材料丰富，ΑΖ0玻璃之前广泛应用于薄膜电 池领域。 随着触控显示玻璃领域的不断发展，传统ΙΤ0玻璃的需求量不断攀升，且由于ΙΤ0 材料本身属于稀有金属，储量有限，且价格昂贵。现有技术中，ΑΖ0玻璃的显示效果及触控 性能较差且生产成本高，难以应用于触控显示领域。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种ΑΖ0导电玻璃，其 显示效果及触控性能佳且生产成本低，可以很好地应用于触控显示领域。 本技术的技术方案是：一种ΑΖ0导电玻璃，包括基底层，还包括折射率相互匹 配并使可见光发生相消干涉的折射率匹配层和ΑΖ0膜层，所述基底层、折射率匹配层和ΑΖ0 膜层依次层叠设置，所述ΑΖ0膜层采用掺铝氧化锌通过直流磁控溅射的方式镀制于所述折 射率匹配层。 可选地，所述折射率匹配层包括层叠设置的五氧化二铌膜层和二氧化硅层，所述 五氧化二铌膜层与所述基底层相接，所述ΑΖ0膜层与所述二氧化硅层相接。 可选地，所述五氧化二铌膜层的厚度为5nm至20nm;所述五氧化二铌膜层的折射 率为2. 20至2. 40。 可选地，所述二氧化硅层的厚度为20nm至60nm;所述二氧化硅层的折射率为1. 40 至 1. 50。 可选地，所述ΑΖ0膜层的厚度为50nm至300nm;所述ΑΖ0膜层的折射率为1. 85至 1. 95。 可选地，所述基底层为透明的玻璃。 可选地，所述基底层的厚度为〇· 4mm至2. 0mm。 可选地，所述五氧化二铌膜层的厚度为9. 5nm，所述二氧化硅膜层的厚度为41nm， 所述ΑΖ0膜层的厚度为120nm。 可选地，所述折射率匹配层包括层叠设置的二氧化钛层和二氧化硅层。 本技术提供的ΑΖ0导电玻璃，其使折射率匹配层和ΑΖ0膜层两种膜层的折射 率及膜厚一一对应，相互配合，达到相互发生相消干涉，使可见光在两个表面上发生相消干 涉，从而提高后续显示产品的显示效果，所述ΑΖ0膜层采用掺铝氧化锌通过直流磁控溅射 的方式镀制于所述折射率匹配层，可以有效降低ΑΖ0膜层的电阻率，以提高下游显示产品 的显示效果和触控效果，且生产成本低，可以很方便地应用于触控显示领域，以取代材料属 于储量有限的稀有金属价格昂贵的ITO玻璃。 【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得 其他的附图。 图1是本技术实施例提供的ΑΖ0导电玻璃的剖面示意图； 图2是本技术实施例提供的ΑΖ0导电玻璃和去掉ΑΖ0膜层的含折射率匹配层 (頂层）的玻璃在可见光（380nm至780nm)的反射曲线。 【具体实施方式】 为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施 例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本技术，并不用于限定本技术。 需要说明的是，当元件被称为固定于或设置于另一个元件，它可以直接在另 一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是连接于另一个元件，它可 以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。 还需要说明的是，本实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是 以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。 如图1和图2所示，本技术实施例提供的一种ΑΖ0导电玻璃(也称消影ΑΖ0玻 璃)，包括依次基底层11，基底层11可采用透明的材质制成，例如透明的玻璃，如传统的传 统浮法玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃，其厚度可为〇· 4mm至2. 0mm，例如0· 4mm、0· 7mm、1. 1mm 等。上述ΑΖ0导电玻璃还包括折射率相互匹配并使可见光发生相消干涉的折射率匹配层 12,上述ΑΖ0导电玻璃还包括和ΑΖ0膜层13,所述基底层11、折射率匹配层12和ΑΖ0膜层13 依次层叠设置，折射率匹配层12和ΑΖ0膜层13折射率相互匹配，即折射率匹配层12和ΑΖ0 膜层13两种膜层的折射率及膜厚一一对应，相互配合，达到相互发生相消干涉，使可见光 在两个表面上发生相消干涉，从而提高后续显示产品的显示效果。所述ΑΖ0膜层13采用掺 铝氧化锌通过直流磁控溅射的方式镀制于所述折射率匹配层12,这样，可以有效降低ΑΖ0 膜层13的电阻率，可使其电阻率控制在5*1(Γ4Ω/cm左右，例如2*1(Γ4Ω/cm至8*1(Γ4Ω/ cm，以提高下游显示产品的显示效果和触控效果，且生产成本低，可以很方便地应用于触控 显示领域，以取代材料属于储量有限的稀有金属价格昂贵的ΙΤ0玻璃。 具体地，所述折射率匹配层12包括层叠设置的五氧化二铌膜层121和二氧化硅层 122或包括层叠设置的二氧化钛层和二氧化硅层122。本实施例中，以五氧化二铌膜层121 和二氧化硅层122为例，所述五氧化二铌膜层121与所述基底层11相接，所述ΑΖ0膜层13 与所述二氧化硅层122相接。具体应用中，折射率匹配层12(IM层）中所述五氧化二铌膜 层 121 的厚度可为 5 至 20nm，例如 7nm、9nm、10nm、12nm、15nm、18nm等，折射率n(550nm)为 2. 20 至 2. 40,所述二氧化硅层 122 的厚度为 20 至 60nm，例如 22nm、24nm、28nm、30nm、34nm、 38nm、42nm、46nm、50nm、54nm、58nm等，折射率n(550nm)为 1. 40 至 1. 50,此范围内膜层的匹 配效果优，可以实现很好地此膜层的消影效果。该五氧化二铌膜层121和二氧化硅层122均 可以通过中频交流磁控溅射方法依次在该基底层11上沉积得到。图2是本技术实施 例提供的AZO导电玻璃和去掉AZO膜层的含折射率匹配层（IM层）的玻璃在可见光（380nm 至780nm)的反射曲线。其中上方的曲线是AZO导电玻璃在可见光（380nm至780nm)的反射 曲线。下方的曲线是去掉AZO膜层的含折射率匹配层（IM层）的玻璃在可见光（380nm至 780nm)的反射曲线。 具体地，ΑΖ0膜层13的材质为掺铝氧化锌膜，该ΑΖ0膜层13可以选用掺铝氧化锌 膜，且掺杂浓度在2%以上(掺杂浓度指氧化锌材料中添加氧化铝材料的比例)。该ΑΖ0膜层 13 的厚度可为 50nm至 300nm，例如 80nm、100nm、120nm、150nm、180nm、200nm、240nm、260nm 等，折射率n(550nm)可为1.80至1.95,且电阻率控制在5*l(T4Q/cm左右。该AZO膜层13 可以通过直流磁控溅射方法在折射率匹配层12 (IM层）上沉积得到。 本技术所提供的ΑΖ0导电玻璃和去掉ΑΖ0膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AZO导电玻璃，包括基底层，其特征在于，还包括折射率相互匹配并使可见光发生相消干涉的折射率匹配层和AZO膜层，所述基底层、折射率匹配层和AZO膜层依次层叠设置，所述AZO膜层采用掺铝氧化锌通过直流磁控溅射的方式镀制于所述折射率匹配层。

【技术特征摘要】
1. 一种AZO导电玻璃，包括基底层，其特征在于，还包括折射率相互匹配并使可见光发 生相消干涉的折射率匹配层和AZ0膜层，所述基底层、折射率匹配层和AZ0膜层依次层叠设 置，所述AZ0膜层采用掺铝氧化锌通过直流磁控溅射的方式镀制于所述折射率匹配层。2. 如权利要求1所述的AZ0导电玻璃，其特征在于，所述折射率匹配层包括层叠设置的 五氧化二铌膜层和二氧化硅层，所述五氧化二铌膜层与所述基底层相接，所述AZ0膜层与 所述二氧化硅层相接。3. 如权利要求2所述的AZ0导电玻璃，其特征在于，所述五氧化二铌膜层的厚度为5nm 至20nm;所述五氧化二铌膜层的厚度为550nm时，其折射率η为2. 20至2. 40。4. 如权利要求2所述的ΑΖ0导电玻璃，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为20nm至 60nm;所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，邵世强，李晓东，陈曦，赵凤刚，
申请(专利权)人：信义光伏产业安徽控股有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34