一种ZnO/α-Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法技术

一种ZnO/α-Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗，在石英玻璃上生长单层AZO薄膜；在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层；采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱；在ZnO纳米柱上生长P型α-Si；AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极，在P型α-Si上印刷Al背电极；烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，透明导电电极具有高的透过率和电导率，可以有效提高电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
—种ZnO/ α -Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术属于太阳电池领域，是一种涉及ZnO纳米结构以及透明导电薄膜AZO制备的新型高效太阳电池。
技术介绍
近年来，能源紧缺问题和全球变暖的环境问题日益严重，人类对清洁的可再生能源需求空前急切。光伏太阳能是一种重要的可再生能源，具有能源广泛，地域限制少，安全可靠等诸多优势。 自1954年第一块硅太阳电池应用至今，太阳电池经过了第一代单晶硅太阳电池，第二代薄膜电池的发展，但是当前高的发电成本仍然严重限制太阳电池的进一步广泛应用，因此降低太阳电池成本成为当前研究的重点。从目前光伏太阳电池的发展来看，其技术发展趋势是成本降低，效率提高。 径向结电池相对于平面结电池，可以有效的对载流子进行分离、降低光生载流子的复合几率，能够有效提高太阳电池的短路电流。本专利技术利用PLD法制备AZO薄膜，具有较高的透过率和良好的电导率；水热法制备ZnO纳米柱，具有一定的减反陷光能力；在此基础上制备ΖηΟ/α -Si纳米径向异质结，解决了原有平面结电池的结构问题，有效提高短路电流。这种电池结构具有超低的反射率、高效的陷光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)对石英玻璃进行清洗；b)在石英玻璃表面上生长单层AZO薄膜，AZO为Al掺杂的ZnO；c)在AZO薄膜上的一侧生长ZnO籽晶层；d)采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱层；e)在ZnO纳米柱层上生长P型α‑Si，同时P型α‑Si也生长在ZnO纳米柱层的ZnO纳米柱间；f)在AZO薄膜上的另一侧沉积Ag电极；g)在P型α‑Si上印刷Al电极；h)烧结，完成电池制备。

【技术特征摘要】
1.一种ΖηΟ/α -Si纳米径向异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:a)对石英玻璃进行清洗；b)在石英玻璃表面上生长单层AZO薄膜，AZO为Al掺杂的ZnO ；c)在AZO薄膜上的一侧生长ZnO籽晶层；d)采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱层；e)在ZnO纳米柱层上生长P型α -Si，同时P型α -Si也生长在ZnO纳米柱层的ZnO纳米柱间；f)在AZO薄膜上的另一侧沉积Ag电极；g)在P型α -Si上印刷Al电极；h)烧结，完成电池制备。2.按照权利要求1的方法，其特征在于，在石英玻璃衬底表面生长AZO薄膜的方法包括但不限于PLD法，所述的AZO薄膜的厚度为100?400nm。3.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述的生长ZnO籽晶层的方法包括但不限于PLD 法。4.按照权利要求1的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭，张悦，严辉，汪浩，王波，王如志，侯育冬，朱满康，宋雪梅，刘晶冰，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11