发光二极体的量测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光二极体的量测装置用于量测多个覆晶式发光二极体，覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙，发光二极体的量测装置包含晶片膜、光检测装置与遮光元件，晶片膜承载覆晶式发光二极体，光检测装置设置于晶片膜相对覆晶式发光二极体的一侧，光检测装置具有收光口，遮光元件设置于收光口，遮光元件具有透光区与遮光区，遮光区环绕透光区，透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与间隙的部分范围。

【技术实现步骤摘要】
发光二极体的量测装置
本专利技术是有关于一种发光二极体的量测装置，特别是有关于一种量测覆晶式发光二极体的发光二极体的量测装置。
技术介绍
发光二极体为由半导体材料制成的发光元件。因具有寿命长、安全性高、低功率、体积小、环保等优点，因此发光二极体逐渐成为照明灯具的主流趋势。 发光二极体需经过测试后才能进行实际应用。其测试流程为将载有发光二极体晶片的晶圆展开后承载于量测装置上，接着以探针接触电极使发光二极体发光，而后利用光检测器量测其光强度。 一般而言，光检测器必须将待量测的发光二极体罩住，以收集到待量测的发光二极体的完整光强度。然而对于覆晶式发光二极体而言，因其发光面与电极不在同一平面，因此无法适用于现今水平式与垂直式发光二极体的量测系统，必须另外设计专用于覆晶式发光二极体的量测设备。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极体的量测装置，用于量测多个覆晶式发光二极体。覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙。发光二极体的量测装置包含晶片膜、光检测装置与遮光元件。晶片膜承载覆晶式发光二极体。光检测装置设置于晶片膜相对覆晶式发光二极体的一侧。光检测装置具有收光口。遮光元件设置于收光口。遮光元件具有透光区与遮光区，遮光区环绕透光区。透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与间隙的部分范围。 在一或多个实施方式中，遮光元件为板材，且透光区为开口。 在一或多个实施方式中，开口的内壁越靠近光检测装置其口径越大。 在一或多个实施方式中，遮光元件更包含反射层，形成于开口的内壁。 在一或多个实施方式中，遮光元件包含透明载体与遮光层。遮光层形成于透明载体相对光检测装置的表面。遮光层仅位于遮光区中。 在一或多个实施方式中，光检测装置为积分球。 [0011 ] 在一或多个实施方式中，光检测装置包含反射腔与光侦测器。反射腔具有收光口，光侦测器设置于反射腔中。 在一或多个实施方式中，光检测装置包含反射腔与太阳能板。反射腔具有收光口，太阳能板设置于反射腔中。 在一或多个实施方式中，量测装置更包含探针组，设置于覆晶式发光二极体相对光检测装置的一侧。 在一或多个实施方式中，当探针组接触覆晶式发光二极体时，遮光元件支撑晶片膜使探针组与覆晶式发光二极体电性连接。 本实施方式的发光二极体的量测装置能够快速且精确地量测每一覆晶式发光二极体。仅有待量测的覆晶式发光二极体所发出的光能够通过透光区而进入光检测装置，至于周遭的覆晶式发光二极体所发出的光则会被遮光元件的遮光区挡住。如此一来，光检测装置即能够准确地量到单颗覆晶式发光二极体的光强度。 【附图说明】 图1为本专利技术一实施方式的发光二极体的量测装置的侧视图。 图2A为图1的区域P的一实施方式的局部放大图。 图2B为图1的区域P的另一实施方式的局部放大图。 图3为本专利技术另一实施方式的发光二极体的量测装置的侧视图。 图4为本专利技术再一实施方式的量测装置的侧视图。 其中: 100:晶片膜320:反射层 200:光检测装置330:透明载体 202:收光口332:表面 205:光度计 340:遮光层 210:反射腔400:探针组 220:光侦测器900:覆晶式发光二极体 300:遮光元件910:间隙 302:透光区H:横向 304:遮光区P:区域 310:板材V:纵向 312:开口W1、W2、W3:宽度 313:内壁 【具体实施方式】 以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。 请一并参照图1与图2A，其中图1为本专利技术一实施方式的发光二极体的量测装置的侧视图，图2A为图1的区域P的一实施方式的局部放大图。如图所示，发光二极体的量测装置用于量测多个覆晶式发光二极体900。覆晶式发光二极体900之间皆具有一间隙910。发光二极体的量测装置包含晶片膜100、光检测装置200与遮光元件300。晶片膜100承载覆晶式发光二极体900。光检测装置200设置于晶片膜100相对覆晶式发光二极体900的一侧。光检测装置200具有收光口 202。遮光元件300设置于收光口 202。遮光元件300具有透光区302与遮光区304，遮光区304环绕透光区302。透光区302的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体900与间隙910的部分范围。其中覆晶式发光二极体900能够以透明胶带或透明胶体(未绘示)固定于晶片膜100上。 简言之，本实施方式的发光二极体的量测装置能够快速且精确地量测每一覆晶式发光二极体900。详细而言，在进行单颗覆晶式发光二极体900的量测时，覆晶式发光二极体900会朝晶片膜100发光，其中晶片膜100例如为透明材质，让光束得以穿透。然而如图1所绘示，其发出的部分光束可能会激发周遭的覆晶式发光二极体900，使得其他覆晶式发光二极体900亦发光。不过在本实施方式中，透光区302的面积涵盖单一覆晶式发光二极体900与间隙910的部分范围(举例而言，以图2A来看，若覆晶式发光二极体900具有宽度W1，而间隙910具有宽度W2 = 0.2W1，则透光区302的宽度W3可取1.1W1，然而本专利技术不以此为限)，换言之，仅有待量测的覆晶式发光二极体900所发出的光能够通过透光区302而进入光检测装置200，至于周遭的覆晶式发光二极体900所发出的光则会被遮光元件300的遮光区304挡住，而无法进入光检测装置200。如此一来，光检测装置200即能够准确地量到单颗覆晶式发光二极体900的光强度。另一方面，只要将晶片膜100横向H(即图1的覆晶式发光二极体900的排列方向)移动，或是将光检测装置200横向H移动，即可量测下一颗覆晶式发光二极体900，不必再分别罩住每颗覆晶式发光二极体900 (其需要覆晶式发光二极体900与光检测装置200之间相对纵向V移动，或者需要依序将每颗覆晶式发光二极体900移开)，因此能够大幅缩短量测的时间。 在本实施方式中，量测装置更包含探针组400，设置于覆晶式发光二极体900相对光检测装置200的一侧。探针组400能够纵向V移动以接触覆晶式发光二极体900。透过探针组400，可对覆晶式发光二极体900提供测试电源。当被提供测试电源时，覆晶式发光二极体900即朝向晶片膜100发光。光束依序穿透晶片膜100与遮光元件300的透光区302而被光检测装置200所收集。 另外，当探针组400接触覆晶式发光二极体900时，遮光元件300会支撑晶片膜100，使探针组400与覆晶式发光二极体900电性连接。也就是说，遮光元件300不但有遮光的作用，更有支撑晶片膜100与覆晶式发光二极体900的效果，使得探针组400能够提供足够的下压力(目前所需的下压力为3?5g)以与覆晶式发光二极体900电性连接，而覆晶式发光二极体900也就不需要以真空吸附的方式固定于晶片膜100。 详细而言，当进行单颗覆晶式发光二极体900的量测时，探针组400与光检测装置200会分别移至待测的覆晶式发光二极体90本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体的量测装置，用于量测多个覆晶式发光二极体，其特征在于：该些覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙，该发光二极体的量测装置包含：一晶片膜，承载该些覆晶式发光二极体；一光检测装置，设置于该晶片膜相对该些覆晶式发光二极体的一侧，该光检测装置具有一收光口；以及一遮光元件，设置于该收光口，该遮光元件具有一透光区与一遮光区，该遮光区环绕该透光区，其中该透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与该间隙的部分范围。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极体的量测装置，用于量测多个覆晶式发光二极体，其特征在于:该些覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙，该发光二极体的量测装置包含: 一晶片膜，承载该些覆晶式发光二极体； 一光检测装置，设置于该晶片膜相对该些覆晶式发光二极体的一侧，该光检测装置具有一收光口 ；以及 一遮光元件，设置于该收光口，该遮光元件具有一透光区与一遮光区，该遮光区环绕该透光区，其中该透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与该间隙的部分范围。2.根据权利要求1所述的发光二极体的量测装置，其特征在于:其中该遮光元件为一板材，且该透光区为一开口。3.根据权利要求2所述的发光二极体的量测装置，其特征在于:其中该开口的内壁越靠近该光检测装置其口径越大。4.根据权利要求3所述的发光二极体的量测装置，其特征在于:其中该遮光元件更包含一反射层，形成于该开口的内壁。5.根据权利要求1所述的发光二极体的量测装置，其特征在于:其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晋源，曾家彬，翁思渊，王遵义，张添登，
申请(专利权)人：致茂电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32