压电装置及压电装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种压电装置及压电装置的制造方法。本发明专利技术的压电装置具备：压电振动片，形成有电极，且具有露出部分；及被覆层，以覆盖所述露出部分的方式，由溅射率比所述电极的材料小的材料所形成。

【技术实现步骤摘要】
本申请案基于且主张2013年3月27向日本专利厅提交的日本专利申请案号2013-065407、2013-065318及2013-065357的优先权的权益，其公开内容以引用的方式全部并入本文。
本专利技术涉及一种。
技术介绍
晶体振子等压电振子(压电装置)是在陶瓷等封装(package)搭载晶体振动片(压电振动片)后，经气密密封或真空密封而成。但是，随着电子零件的小型化、低背化、及低价格化的市场要求提高，采用陶瓷封装变得困难。为了应对这些要求，提出使用玻璃封装的压电振子(例如，参照日本专利特开2004-6525号公报、日本专利特开2012-74649号公报)。 作为玻璃封装的结构，有“在相互接合的盖(Iid)及基底(base)的任一个上形成的凹部搭载晶体振动片的构成”、及“在具有框部的晶体振动片的正面及背面接合盖和基底的构成”等(例如，参照日本专利特开2000-68780号公报)。所有结构均能以晶片级进行制造，因此，与现有的陶瓷封装相比，能实现小型、低背化、及低价格化。 在制造结构如上所述的玻璃封装时，作为玻璃晶片彼此、或玻璃与晶体晶片的接合方法，提出了直接接合方法、阳极接合方法、金属压接接合方法、低熔点玻璃接合方法、等离子活化接合方法、离子束活化接合方法等。直接接合方法为了获得足够的接合强度而需要高温下的热处理，作为晶体振子的接合方法来说存在问题。阳极接合方法是使用含碱性离子的玻璃晶片时的接合方法，由于接合时伴随气体产生，存在内部真空度等产生劣化这样的问题。 金属压接接合方法是经由锡化金(AuSn)共晶金属等金属进行接合，因此，存在需要成膜密接层或阻挡层(barrier layer)、及图案化而制造成本高这样的问题。低熔点玻璃接合方法由于在接合时从低熔点玻璃浆产生气体，因此存在内部真空度等产生劣化一般的问题。等离子活化接合方法被认为难以实现真空中的接合。离子束活化接合方法是通过对晶片照射氩气束(argon beam)等净化晶片正面，并使所述面彼此接触，由此，常温下能够接合各种材料。 所述离子束活化接合方法中，通常是在同一腔室(chamber)内进行离子束照射的活化处理、及晶片彼此的接合处理。因此，通过在活化处理后立即停止供给氩气，并进行真空排气，能够以确保晶体振子要求的真空度的状态进行接合。但是，照射离子束时，离子源(1n source)主体的构件及腔室内壁同时被溅射，因此，晶片正面会附着作为它们的构成材料(不锈钢或铝合金)的铁(Fe)、铬(Cr)、铝(Al)(例如，参照日本专利特开2007-324195号公报)。这样，在离子束活化接合中，随着离子束的照射，同时产生由晶片正面的溅镀作用所致的蚀刻、和铁、铬、铝的附着(堆积)，从而在玻璃或晶体晶片间实现牢固的接合。 然而，玻璃封装包括盖及基底的类型中，贯通电极、连接电极等各种配线形成在基底的正面等。在搭载于该基底的晶体振动片，也形成有激振电极、引出电极，且该引出电极和基底的连接电极电连接。另外，在具有框部的晶体振动片的正面及背面接合有盖及基底的类型中，基底也形成有各种电极。在晶体振动片同样形成有激振电极、引出电极。 无论哪种类型，在接合盖时应用离子束活化接合方法的情况下，形成于晶体振动片或基底的电极暴露在离子束的照射下。由此，产生由氩气的溅镀作用所致的蚀刻、及构成腔室内壁的金属元素的堆积。根据晶片内的晶体振动片的搭载位置、或晶体振动片的形成位置不同，晶体振动片的电极的蚀刻量以及金属附着量不同。该分布等价于晶体振动片的共振频率变动量的晶片面内分布。在电极的蚀刻量大于金属附着量的区域，频率变动量向正侧位移，相反地，在电极的蚀刻量小于金属附着量的区域，频率变动量向负侧位移。制造晶体振子时，晶片接合后产生此种频率变动的话会降低制造良率，而成为问题。
技术实现思路
有鉴于此，需要一种克服所述缺点的。 本专利技术的压电装置具备:压电振动片，形成有电极且具有露出部分；及被覆层，以覆盖所述露出部分的方式，由派射率(sputtering yield)小于所述电极的材料的材料形成。 本专利技术的压电装置的制造方法包含:准备压电振动片的步骤，所述压电振动片形成有电极，且具有露出部分；及被覆步骤，以覆盖所述露出部分的方式，由溅射率比所述电极的材料小的材料形成所述被覆层。 根据本专利技术的压电装置，以被覆压电振动片的露出部分的方式形成有被覆层，因此电极被溅射率小的被覆层被覆而可防止破损等，从而能够提高可靠性。 根据本专利技术的压电装置的制造方法，能够防止压电振动片的电极等意外地被蚀亥IJ，从而可抑制压电振动片的共振频率的变动而防止产生不良品。 【附图说明】 结合附图，自下述详细说明将易了解本专利技术的所述及其他特征、态样。 图1A是表示第一实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图1B是沿着图1A的IB-1B线的第一实施方式的压电装置的截面图。 图2A是表不第一实施方式的压电振动片的平面图。 图2B是沿着图2A的II B-1I B线的第一实施方式的压电振动片的截面图。 图3A是表示压电振动片的制造步骤中的第一实施方式的压电晶片的立体图。 图3B是表示压电振动片的制造步骤中的第一实施方式的盖晶片及基底晶片的立体图。 图4是离子束活化接合装置的概略图。 图5是表示第二实施方式的压电装置的截面图。 图6A是表示第三实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图6B是沿着图6A的VIB-VIB线的第三实施方式的压电装置的截面图。 图7A是表不第三实施方式的压电振动片的平面图。 图7B是沿着图7A的VIIB-VIIB线的第三实施方式的压电振动片的截面图。 图8是表示第三实施方式的压电装置的制造步骤的图。 图9是表示压电晶片内的晶体振子的位置与频率变动量的关系的曲线图。 图1OA是表示第四实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图1OB是沿着图1OA的XB-XB线的第四实施方式的压电装置的截面图。 图1lA是表示第四实施方式的压电振动片的平面图。 图1lB是沿着图1lA的XIB-XIB线的第四实施方式的压电振动片的截面图。 图12是表示第五实施方式的压电装置的截面图。 图13A是表示第六实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图13B是沿着图13A的XIIIB-XIIIB线的第六实施方式的压电装置的截面图。 图14A是表示第六实施方式的压电振动片的平面图。 图14B是沿着图14A的XIVB-XIVB线的第六实施方式的压电振动片的截面图。 图15是表示压电晶片内的晶体振子的位置与频率变动量的关系的曲线图。 图16A是表示第七实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图16B是沿着图16A的XVIB-XVIB线的第七实施方式的压电装置的截面图。 图17A是表示第七实施方式的压电振动片的平面图。 图17B是沿着图17A的XVIIB-XVIIB线的第七实施方式的压电振动片的截面图。 图18是表示第八实施方式的压电装置的截面图。 图19A是表示第九实施方式的压电装置的展开后的立体图。 图19B是沿着图19A的XIXB-XIXB线的第九实施方式的压电装置的截面图。 图20A是表示第九实施方式的压电振动片的平面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电装置，其特征在于，具备：压电振动片，形成有电极，且具有露出部分；及被覆层，以覆盖所述露出部分的方式，由溅射率比所述电极的材料小的材料所形成。

【技术特征摘要】
2013.03.27 JP 2013-065318;2013.03.27 JP 2013-065351.一种压电装置，其特征在于，具备: 压电振动片，形成有电极，且具有露出部分 '及 被覆层，以覆盖所述露出部分的方式，由溅射率比所述电极的材料小的材料所形成。2.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于:所述被覆层的材料为绝缘体或者电介质。3.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于:包含彼此接合的盖及基底， 所述压电振动片配置于形成在所述盖及所述基底的至少一方的凹部，且 所述盖与所述基底为直接接合。4.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于:所述压电振动片具有振动部、包围所述振动部的框部、及连结所述振动部与所述框部的锚定部， 所述压电装置包含分别接合于所述框部的正面及背面的盖及基底， 所述框部与所述盖为直接接合。5.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于:在所述基底的露出部分，形成有绝缘体或者电介质的 被覆层。6.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于:所述被覆层为选自氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化钛、氧化镐的群的氧化物系的绝缘体或者电介质。7.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于:所述被覆层为选自氮化硼、氮化铝、氮化硅的群的氮化物系的绝缘体或者电介质。8.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于:所述被覆层为被覆所述电极的盖层， 所述盖层使用溅射率比所述电极的材料小的导电性氧化物或者导电性氮化物。9.根据权利要求8所述的压电装置，其特征在于:所述盖层是选自氧化铟、氧化锡、氧化钌、氧化钛的群的导电性氧化物。10.根据权利要求8所述的压电装置，其特征在于:所述盖层是选自掺杂了锡的氧化铟、掺杂了锑的氧化锡、掺杂了铝的氧化钛、掺杂了铟或镓或铝中任一种的氧化锌的群的导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：上条敦，川原浩，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP