光电转换器件、制造光电转换器件的方法、固态成像装置和电子设备制造方法及图纸

一种用于制造光电转换器件的方法，包括：其中在具有两个相对表面的基板的第一表面侧上形成第一电极的步骤；其中在基板的第二表面上形成用于外部连接的电极部的步骤；以及其中在形成第一电极和电极部之后，在第一电极上形成有机光电转换层和第二电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换器件、制造光电转换器件的方法、固态成像装置和电子设备
本公开涉及使用有机光电转换膜的光电转换器件、制造光电转换器件的方法、固态成像装置、以及电子设备。
技术介绍
随着有机光电转换材料的使用，制造固态成像装置的许多方法已经被提出(例如专利文献1到4)。在专利文献1和2中，不需要任何滤色器的固态成像装置(不具有滤色器的固态成像装置)通过使用多种类型的有机光电转换膜来实现。此外，专利文献3和4提出使用有机和无机光电转换膜两者的技术。[引用列表][专利文献]专利文献1：日本未经审查的专利申请No.2007-12796专利文献2：日本未经审查的专利申请No.2011-29337专利文献3：日本未经审查的专利申请No.2008-258474专利文献4：日本未经审查的专利申请No.2006-278446
技术实现思路
在使用有机光电转换材料的固态成像装置中，如上所述，在有机光电转换层形成之后，等于或高于有机光电转换层可耐受温度的温度被施加到有机光电转换层的情况下担忧在有机光电转换层中劣化的问题。因此，期望实现能够抑制在有机光电转换层中劣化的光电转换器件，并且实现制造这种光电转换器件的方法。因此，期望提供能够抑制在有机光电转换层中劣化的制造光电转换器件的方法、光电转换器件、固态成像装置和电子设备。根据本公开实施方式的一种制造光电转换层的方法包括：在具有两个相对表面的基板的第一表面侧上形成第一电极；在基板的第二表面侧上形成电极部，该电极部用于外部连接；以及在形成第一电极和电极部之后，在第一电极上形成有机光电转换层和第二电极。在根据本公开的实施方式的制造光电转换器件的方法中，在第一电极形成在基板的第一表面侧上并且用于外部连接的电极部形成在基板的第二表面侧上之后，有机光电转换层和第二电极形成在第一电极上。通过在形成有机光电转换层之前形成电极部，等于或高于有机光电转换层的可耐受温度的温度，例如在执行回流焊接工艺时的高温等没有施加到有机光电转换层。根据本公开实施方式的一种光电转换器件包括：有机光电转换部，设置在包括两个相对表面的基板的第一表面侧上，并且从基板依次包括第一电极、有机光电转换层和第二电极；以及电极部，设置在基板的第二表面侧上，并且用于外部连接。根据本公开实施方式的一种固态成像装置包括作为像素的如上所述的根据本公开实施方式的光电转换器件。根据本公开实施方式的电子设备包括固态成像装置，该固态成像装置包括作为像素的如上所述的根据本公开实施方式的光电转换器件。在根据本公开实施方式的光电转换器件、固态成像装置和电子设备中，包括第一电极、有机光电转换层和第二电极的有机光电转换部设置在基板的第一表面侧上，并且用于外部连接的电极部设置在基板的第二表面侧上。因此，等于或高于有机光电转换层可耐受温度的温度，例如在执行回流焊接工艺时的高温等在制造工艺中没有施加到有机光电转换层。根据制造根据本公开实施方式的光电转换器件的方法，在第一电极形成在基板的第一表面侧并且用于外部连接的电极部形成在第二表面侧之后，有机光电转换层和第二电极形成在第一电极上。因此，抑制了有机光电转换层对高温环境的曝光。因此，可以抑制在有机光电转换层中的劣化。根据本公开实施方式的光电转换器件、固态成像装置和电子设备，包括第一电极、有机光电转换层和第二电极的有机光电转换部设置在基板的第一表面侧上，并且用于外部连接的电极部设置在基板的第二表面侧上。因此，可以抑制在制造工艺中有机光电转换层中的劣化。附图说明图1是示出根据本公开实施方式的光电转换器件配置的横截面图。图2A是示出无机光电转换部配置示例的横截面图。图2B是示出无机光电转换部配置示例的横截面图。图3是示出有机光电转换部电荷(电子)积聚层配置示例的横截面图。图4是在制造在图1中示出的光电转换器件的方法中用于解释形成器件基板步骤的横截面图。图5是示出紧随在图4中示出步骤的步骤的横截面图。图6是示出紧随在图5中示出步骤的步骤的横截面图。图7是示出紧随在图6中示出步骤的步骤的横截面图。图8是示出紧随在图7中示出步骤的步骤的横截面图。图9是示出紧随在图8中示出步骤的步骤的横截面图。图10是示出紧随在图9中示出步骤的步骤的横截面图。图11是示出紧随在图10中示出步骤的步骤的横截面图。图12是示出紧随在图11中示出步骤的步骤的横截面图。图13A是示出用于解释形成透镜组件的步骤的横截面图。图13B是示出紧随在图13A中示出步骤的步骤的横截面图。图14A是示出紧随在图13B中示出步骤的步骤的横截面图。图14B是示出紧随在图14A中示出步骤的步骤的横截面图。图15是示出紧随在图14B中示出步骤的步骤的横截面图。图16是用于解释附接(attaching)步骤的横截面图。图17是用于解释制造根据比较例的光电转换器件的方法的横截面图。图18是示出紧随在图17中示出步骤的步骤的横截面图。图19是示出紧随在图18中示出步骤的步骤的横截面图。图20是示出紧随在图19中示出步骤的步骤的横截面图。图21是示出紧随在图20中示出步骤的步骤的横截面图。图22是用于解释制造根据变形例1的光电转换器件的方法的横截面图。图23是示出根据变形例2的光电转换器件的主要部分配置的横截面图。图24是示出根据变形例3的光电转换器件的主要部分配置的横截面图。图25是根据应用例1的固态成像装置的功能框图。图26是根据应用例2的电子设备的功能框图。具体实施方式下面将参考附图详细描述本公开的实施方式。应该注意，描述将按以下顺序提供。1.实施方式(在形成焊料凸点之后，通过将包括有机光电转换层的透镜组件附接到器件基板所形成的光电转换器件示例)2.变形例1(其中有机光电转换层形成在器件基板侧的情况示例)3.变形例2(其中随着导电粘合剂层的使用，附接被执行的示例)4.变形例3(其中应力缓和层被提供的示例)5.应用例1(固态成像装置的示例)6.应用例2(电子设备(摄像机)的示例)[实施方式][配置]图1示出根据本公开实施方式的光电转换器件(光电转换器件10)的配置的横截面图。光电转换器件10配置在诸如CCD(电荷耦合器件)或CMOS(互补金属氧化物半导体)的固态成像装置(其将稍后描述)中的像素。光电转换器件10包括在半导体基板11前表面(与光接收表面相对的表面S2)侧上形成的像素晶体管(包括稍后将描述的传输晶体管Tr1至Tr3)，并且包括多层配线层(多层配线层51)。光电转换器件10具有其中有机光电转换部和无机光电转换部在垂直方向层压的结构。有机和无机光电转换部选择性检测具有彼此不同波长范围的光，并且在其上执行光电转换。因此，稍后描述的固态成像装置被允许在一个像素中获取多种类型的颜色信号，而不需使用滤色器。在本实施方式中，光电转换器件10具有包括一个有机光电转换部11G和两个无机光电转换部11B和11R的层压结构。光电转换器件10通过这种层压结构获取红(R)、绿(G)和蓝(B)的颜色信号。有机光电转换部11G形成在半导体基板11的后表面(表面S1)侧。无机光电转换部11B和11R被形成为嵌入在半导体基板11中。应当注意的是，半导体基板11与在本公开中的“基板”的具体示例对应。该部分的配置将在下面描述。[半导体基板11]半导体基板11可由例如n型硅(Si)层110和无机光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光电转换器件的方法，所述方法包括：在具有两个相对表面的基板的第一表面侧上形成第一电极；在所述基板的第二表面侧上形成电极部，所述电极部被用于外部连接；以及在形成所述第一电极和所述电极部之后，在所述第一电极上形成有机光电转换层和第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.25 JP 2012-0126541.一种制造光电转换器件的方法，所述方法包括：在具有两个相对表面的基板的第一表面侧上形成第一电极；在所述基板的第二表面侧上形成电极部，所述电极部被用于外部连接；在形成所述第一电极和所述电极部之后，在所述第一电极上形成有机光电转换层和第二电极；形成透镜组件，所述透镜组件包括微透镜、所述第二电极和所述有机光电转换层；其中，通过将所述透镜组件附接到所述第一电极上而在所述第一电极上形成所述有机光电转换层和所述第二电极，以及其中，形成所述透镜组件包括：在第一基板上形成所述第二电极且第一粘合剂层在所述第一基板与所述第二电极之间，所述第一粘合剂层允许被剥离；在所述第二电极上形成所述微透镜；将具有介于保护基板之间的粘合剂层的所述保护基板附接到所述微透镜上；在附接所述保护基板之后，移除所述第一粘合剂层和所述第一基板，从而允许所述第二电极被暴露；以及在所暴露的第二电极上形成所述有机光电转换层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述微透镜时，遮光膜形成在所述微透镜的周缘区域中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述透镜组件附接到所述第一电极之前，在彼此相对的所述有机光电转换层表面和所述第一电极的表面上执行平坦化处理。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述透镜组件附接到所述第一电极上时，元素或元素离子的束照射到彼此相对的所述有机光电转换层表面和所述第一电极的表面，然后将所述有机光电转换层附接到所述第一电极。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述透镜组件附接到所述第一电极上时，使用导电粘合剂。6.一种制造光电转换器件的方法，所述方法包括：在具有两个相对表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井宣年，岩元勇人，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP