【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构。 发光二极管封装结构
技术介绍
发光二极管凭借其高光效、低能耗、无污染等优点，已被应用于越来越多的场合之 中，大有取代传统光源的趋势。 在应用到具体领域中之前，发光二极管晶粒还需要进行封装，以保护发光二极管 晶粒不受挤压或者氧化，从而使发光二极管封装结构获得较高的发光效率及较长的使用寿 命。 娃树脂模塑化合物（Silicon Molding Compound，SMC)以及环氧模塑料（Epoxy Molding Compound, EMC)常作为封装材料应用于发光二极管封装结构中。特别地，该娃树 脂模塑化合物较环氧模塑料更耐高温，故在发光二极管封装结构中得到广泛应用。但由于 该硅树脂模塑化合物或环氧模塑料与金属电极的密合度差，二者接合处会有空气或水气的 渗入，容易导致内部电极氧化而使得发光二极管封装元件的电性接触不良。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种电极不易发生氧化的发光二极管封装结构。 -种发光二极管封装结构，包括封装基板以及设置于封装基板上的发光二极管晶 粒，所述封装基板上还形成电性隔绝的第一导电部和第二导电部，所述发光二极管晶粒具 有与第一导电部和第二导电部分别电连接的正电极和负电极，所述发光二极管晶粒上还形 成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述第一导电部和第二导电部均包括相 对设置的上表面和下表面，所述第一导电部和第二导电部的至少其中之一的上表面上对应 发光二极管晶粒的凸块形成一凹槽，所述凹槽内形成防氧化金属层，所述发...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括封装基板以及设置于封装基板上的发光二极管晶粒，所述封装基板上形成有电性隔绝的第一导电部和第二导电部，所述发光二极管晶粒具有与第一导电部和第二导电部分别电连接的正电极和负电极，其特征在于：所述发光二极管晶粒上还形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述第一导电部和第二导电部均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一导电部和第二导电部的至少其中之一的上表面上对应发光二极管晶粒的凸块形成一凹槽，所述凹槽内形成防氧化金属层，所述发光二极管晶粒的凸块收容于凹槽内并通过防氧化金属层与对应的第一导电部/第二导电部电连接。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管封装结构，包括封装基板以及设置于封装基板上的发光二极管晶 粒，所述封装基板上形成有电性隔绝的第一导电部和第二导电部，所述发光二极管晶粒具 有与第一导电部和第二导电部分别电连接的正电极和负电极，其特征在于：所述发光二极 管晶粒上还形成有与正、负电极的至少其中之一电连接的凸块，所述第一导电部和第二导 电部均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一导电部和第二导电部的至少其中之一的 上表面上对应发光二极管晶粒的凸块形成一凹槽，所述凹槽内形成防氧化金属层，所述发 光二极管晶粒的凸块收容于凹槽内并通过防氧化金属层与对应的第一导电部/第二导电 部电连接。2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管晶粒的正 电极和负电极的其中之一上形成所述凸块，所述凸块收容于凹槽内并与对应的第一导电部 /第二导电部电连接，所述发光二极管晶粒的正电极和负电极的其中之另一通过导线与第 一导电部/第二导电部的其中之另一电连接。3. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管晶粒的正 电极和负电极上分别形成所述凸块，所述凸块收容于对应的凹槽内并与对应的第一导电部 和第二导电部分别电连接。4. 如权利要求3所述的发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：林厚德，陈滨全，陈隆欣，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。