芯片封装和用于制造该芯片封装的方法技术

芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体；由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；以及多个重新分布层，其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装和用于制造该芯片封装的方法
各种实施例一般地涉及芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。
技术介绍
芯片嵌入式封装中的现有技术是基于单独半导体电路在两侧的重新分布。具有安装在其上面的芯片的嵌入式芯片载体通常借助于所谓的重新分布层被电接触、重新布线（即重新分布）且电连接至外围。这样，也许不可能实现灵活的“占位空间（footprint）”，其中芯片面朝下的方法对到印刷电路板（PCB）的连接具有特别相关性。
技术实现思路
各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体；由金属芯片载体承载的至少一个芯片；密封材料，其密封所述至少一个芯片和所述金属芯片载体；以及多个重新分布层，其被设置于与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。附图说明在附图中，相似的参考符号一般指的是遍及不同视图的相同部分。附图不一定按比例，而是一般地将重点放在图示本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下各图来描述本专利技术的各种实施例，在所述附图中：图1示出了根据各种实施例的芯片封装；图2示出了根据各种实施例的芯片封装；图3A示出了根据各种实施例的芯片封装；图3B示出了根据各种实施例的采取倒装方式的芯片封装；图4示出了根据各种实施例的采取倒装方式的芯片封装；图5示出了根据各种实施例的芯片封装；以及图6示出了图示出根据各种实施例的用于制造芯片封装的方法的流程图。具体实施方式以下详细描述参考以图示的方式示出特定细节和其中可实施本专利技术的实施例的附图。词语“示例性”在本文中用来意指“充当示例、实例或图示”。不一定要将在本文中被描述为“示例性”的任何实施例或设计解释为相对于其它实施例或设计是优选的或有利的。关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”在本文中可用来意指可“直接地在所指侧面或表面上”、例如与之直接接触地形成沉积材料。关于在侧面或表面“之上”形成的沉积材料所使用的词语“之上”在本文中可用来意指可在所指侧面或表面与沉积材料之间布置了一个或多个附加层的情况下“间接地在所指侧面或表面上”形成沉积材料。各种实施例提供了具有灵活占位空间的芯片封装设计。图1示出了根据各种实施例的芯片封装100。如图1中所示，芯片封装100可包括金属芯片载体102；由金属芯片载体102承载的至少一个芯片104；以及密封材料106，其密封至少一个芯片104和金属芯片载体102。芯片封装100还可包括设置在与金属芯片载体102相对的至少一个芯片104上的多个重新分布层108、110，其中，所述多个重新分布层108、110中的至少一个重新分布层与至少一个芯片104电耦合。在如图1中所示的各种实施例中，至少两个重新分布层（例如第一重新分布层108和第二重新分布层110）被设置在至少一个芯片104上。第二重新分布层110可提供z方向（即垂直于芯片104的主表面的方向）上的更好解脱（disentangle），并且可因此提供芯片封装100的改善的介电强度。应理解的是在各种实施例中，可在芯片封装100中包括各种数目的重新分布层（例如，三个、四个、五个...）以用于与至少一个芯片104的电耦合。在各种实施例中，芯片封装100还可包括延伸通过密封材料106以将至少一个芯片104与所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层（例如第一重新分布层108）电耦合的至少一个接触孔112。在各种实施例中，芯片封装100还可包括延伸通过密封材料106以将多个重新分布层108、110相互电耦合的至少一个另外的接触孔114。在各种实施例中，至少一个芯片104可至少包括在第一芯片侧（例如底侧）的第一接触116和在与第一芯片侧相对的第二芯片侧（例如顶侧）的第二接触118。在本描述的上下文中，第一侧还可称为芯片的“底侧”或“背面”。在下文中可以可互换地使用术语“第一侧”、“背面”或“底侧”。还可将第二侧称为芯片的“顶侧”、“正面”或“上侧”。在下文中可以可互换地使用术语“顶侧”、“第二侧”、“正面”或“上侧”。在各种实施例中，可将第一接触116电耦合到金属载体102。第二接触118可电耦合到所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层，例如第一重新分布层108。在各种实施例中，至少一个芯片104可包括场效应晶体管。在这种情况下，第一接触116可以是漏极接触，并且第二接触118可以是栅极接触。芯片104还可包括源极接触（图1中未示出）。在各种实施例中，至少一个芯片104可包括双极晶体管。在这种情况下，第一接触116可以是集电极接触，并且第二接触118可以是基极接触。芯片104还可包括发射极接触（图1中未示出）。至少一个芯片104可具有其中电流可通过芯片104垂直地从一个主表面流到芯片104的相对的其它主表面的垂直结构。换言之，电流能够在垂直于芯片104的主表面的方向上流动。具有垂直结构的芯片104可在其正面和背面上具有接触。作为示例，可将功率MOSFET芯片104的漏极接触116布置在芯片104的第一（主）侧，同时可将功率MOSFET芯片104的栅极接触和源极接触布置在芯片104的第二（主）侧，从而提供在第一芯片侧上的漏极区与第二芯片侧上的源极区之间流过芯片104的垂直电流。在各种实施例中，至少一个芯片104可包括功率芯片。至少一个芯片104可包括功率二极管芯片和/或功率晶体管芯片。功率晶体管的示例可包括但不限于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、JFET（结型场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、功率双极晶体管等。金属芯片载体102可包括来自下面材料组中的至少一个，该材料组由以下各项组成：铜、镍、铁、银、金、钯、磷、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金、磷合金。在各种实施例中，金属芯片载体102可包括来自下面材料组中的至少一个，该组材料由以下各项组成：NiPdAu、NiAu、NiPd、NiAuAg、NiPdAuAg、NiNiPPdAu、NiNiPAu、NiNiPPd、NiNiPAuAg、NiNiPPdAuAg。金属芯片载体102可包括包含从约1nm变动至约1000nm的粗糙度的材料。在各种实施例中，金属芯片载体102可包括具有从约2%变动至约50%的孔隙度的材料。在各种实施例中，密封材料106可包括或者可以是选自由如下构成的材料组中的材料：模具材料（例如压模材料）和层压材料（例如具有玻璃纤维的聚合物材料）。密封材料106可包括来自下面材料组中的至少一个，该组由如下组成：填充或未填充环氧树脂、预先浸渍纤维（预浸渍体）、加强纤维、层压件、模具材料、热固材料、热塑材料、填料颗粒、纤维加强层压件、纤维加强聚合物层压件、具有填料颗粒的纤维加强聚合物层压件。可将密封材料106形成为一个或多个层压层。作为示例，密封材料106可包括在引线框架的背面的层压层、在引线框架的正面与第一重新分布层108之间的层压层以及在第一重新分布层108与第二重新分布层110之间的层压层。芯片封装100可具有等于且小于3mm（例如等于或小于2mm）中的一个、诸如等于且小于1mm中的一个的总厚度。例如，芯片104可具有小于或约为200μm的厚度，密封材料106的每个层压层可具有小于或约为100μm的厚度，并且每个重新分布层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装，包括：金属芯片载体；至少一个芯片，其由所述金属芯片载体承载；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；以及多个重新分布层，其被设置在与所述金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中，所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。

【技术特征摘要】
2013.03.14 US 13/803,1081.一种芯片封装，包括：金属芯片载体；至少一个芯片，其由所述金属芯片载体承载；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；多个重新分布层，其被设置在与所述金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中，所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合；至少一个接触孔，其延伸通过密封材料以将所述至少一个芯片与所述多个重新分布层中的至少一个电耦合；以及导电层，其被设置在与所述多个重新分布层相对的金属芯片载体上。2.权利要求1的芯片封装，还包括：另外的金属芯片载体；以及至少一个另外的芯片，其由所述另外的金属芯片载体承载；其中，所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个另外的芯片电耦合。3.权利要求1所述的芯片封装，其中，所述至少一个芯片至少包括在第一芯片侧的第一接触和在与所述第一芯片侧相对的第二芯片侧的第二接触。4.权利要求3的芯片封装，其中，所述第一接触被电耦合到所述金属载体；并且其中，所述第二接触被电耦合到所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层。5.权利要求4的芯片封装，其中，所述至少一个芯片包括场效应晶体管；其中，所述第一接触是漏极接触；其中，所述第二接触是栅极接触；以及其中，所述至少一个芯片还包括源极接触。6.权利要求4的芯片封装，其中，所述至少一个芯片包括双极晶体管；其中，所述第一接触是集电极接触；其中，所述第二接触是基极接触；以及其中，所述至少一个芯片还包括发射极接触。7.权利要求1的芯片封装，其中，所述至少一个芯片包括功率芯片。8.权利要求1的芯片封装，其中，所述芯片包括选自由以下各项组成的组的功率芯片：功率二极管；以及功率晶体管。9.权利要求2的芯片封装，其中，所述至少一个另外的芯片包括另外的功率芯片。10.权利要求9的芯片封装，其中，所述另外的功率芯片包括选自由以下各项组成的组的功率芯片：功率二极管；以及功率晶体管。11.权利要求1的芯片封装，还包括：至少一个另外的接触孔，其延伸通过密封材料以将所述多个重...

【专利技术属性】
技术研发人员：F德赫，H埃韦，J赫格劳尔，J马勒，R皮塔西，A普罗伊克尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT