电子照相感光构件、电子照相设备、处理盒和稠合多环芳香族化合物制造技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件、电子照相设备、处理盒和稠合多环芳香族化合物。电子照相感光构件的表面层包含通过具有第一反应性官能团的空穴输送性化合物与具有可与第一反应性官能团反应的第二反应性官能团的化合物的聚合反应获得的聚合产物，并且空穴输送性化合物的第一反应性官能团以外的结构为仅具有碳原子和氢原子的结构，或仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构。

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件、电子照相设备、处理盒和稠合多环芳香族化合物
本专利技术涉及电子照相感光构件和包括电子照相感光构件的电子照相设备与处理盒。本专利技术还涉及新型稠合多环芳香族化合物。
技术介绍
为了提高包含有机光导电性物质的电子照相感光构件的耐久性的目的，存在用于在电子照相感光构件的感光层上设置保护层的技术。日本专利申请特开2010-211031描述了电子照相感光构件的最外表面层包含含有三聚氰胺化合物和具有由-OH、-OCH3> -NH2, -SH或-COOH表示的基团的电荷输送性化合物的组合物的聚合产物。然而，如果电子照相感光构件的耐久性由此提高，则趋于发生图像缺失和电位变化。认为导致图像缺失的原因如下:由于通过电子照相感光构件的充电生成的臭氧、氮氧化物等引起电子照相感光构件的表面层中的材料劣化，并且水分吸附在电子照相感光构件的表面，从而降低表面层的表面电阻。特别是在高温高湿环境下图像缺失趋于显著地发生。另一方面，日本专利申请特开H08-272126和日本专利申请特开2001-242656描述了将特定的添加剂包含在电子照相感光构件中，由此改善电子照相感光构件的透气性、耐臭氧性和图像浓度变化。最近，电子照相感光构件的耐久性已显著地进步，并且要求进一步改善图像缺失和电位变化。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供高耐磨耗性并且还在图像缺失和电位变化的抑制方面优良的电子照相感光构件，以及包括所述电子照相感光构件的电子照相设备和处理盒。此外，本专利技术的另一目的是提供能够抑制图像缺失和电位变化的稠合多环芳香族化合物。根据本专利技术的一方面，提供包括支承体和在支承体上形成的感光层的电子照相感光构件，其中电子照相感光构件的表面层包含含有具有第一反应性官能团的空穴输送性化合物和具有可与第一反应性官能团反应的第二反应性官能团的化合物的组合物的聚合产物，并且空穴输送性化合物的除第一反应性官能团以外的结构为仅具有碳原子和氢原子的结构，或仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构。根据本专利技术的另一方面，提供一体化地支承电子照相感光构件和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元的处理盒，其中处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。根据本专利技术的进一步方面，提供包括电子照相感光构件和充电单元、曝光单元、显影单元以及转印单元的电子照相设备。根据本专利技术进一步的另一方面，提供具有第一反应性官能团的稠合多环芳香族化合物，其中稠合多环芳香族化合物的除第一反应性官能团以外的结构为仅具有碳原子和氢原子的结构，或仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构，并且第一反应性官能团为羟基、甲氧基、羧基、氨基或硫羟基。根据本专利技术，可获得具有高耐磨耗性并且还在图像缺失和电位变化的抑制方面优良的电子照相感光构件，以及包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。此外，根据本专利技术，可获得能够抑制图像缺失和电位变化的稠合多环芳香族化合物。参考附图从以下示例性实施方案的描述中，本专利技术的进一步特征将变得显而易见。【附图说明】图1为示出设置有包括电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构的一个实例的图。图2为示出电子照相感光构件的层结构的图。【具体实施方式】现在将根据附图详细描述本专利技术的优选实施方案。本专利技术中，电子照相感光构件的表面层包含含有具有第一反应性官能团的空穴输送性化合物和具有可与第一反应性官能团反应的第二反应性官能团的化合物的组合物的聚合产物。此外，空穴输送性化合物的除第一反应性官能团以外的结构为仅具有碳原子和氢原子的结构，或仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构。本专利技术人认为图像缺失部分地由于包含在通常的电子照相感光构件的表面层中的空穴输送性化合物的胺结构的化学变化所引起。然后，本专利技术人探索了用于电子照相感光构件的无胺结构的空穴输送性化合物，导致了本专利技术。作为用于电子照相感光构件的空穴输送性化合物，为了使空穴有效地注入并且输送，最频繁地使用胺化合物，特别是，芳基胺化合物。认为芳基胺化合物的空穴输送性通过胺结构的电子供给性和氮原子与氮原子周围的芳基或由具有sp2电子轨道的碳原子(以下，也称作sp2碳原子)组成的基团的相互作用来显示。认为由于空穴供给/接受能力优良，芳基胺结构趋于经受化学反应等。认为特别是在电子照相感光构件的表面上充电的过程中，芳基胺结构趋于经受劣化例如通过由充电生成的如臭氧和氮氧化物等氧化气体的作用的氧化。此外，芳基胺结构氧化导致表面构件上的极性基团增加，从而使得放电生成物容易附着。结果，认为特别是在高温高湿环境下附着放电生成物，引起表面层的表面电阻的降低因此发生图像缺失。还认为氮氧化物与胺化合物的电子转移反应的发生使得离子对形成，从而降低表面层的表面电阻，容易引起图像缺失。本专利技术人深入研究，结果，发现使用包含本专利技术的空穴输送性化合物的组合物的聚合产物，从而发挥提高耐磨耗性和抑制图像缺失和电位变化的优良效果。其原因是因为本专利技术的空穴输送性化合物不包含芳基胺结构，具体地不包含氮原子，因此此类空穴输送性化合物比芳基胺化合物不容易氧化。从空穴输送性的观点，本专利技术的空穴输送性化合物中，除第一反应性官能团以外的结构优选具有含有24个以上sp2碳原子的共轭结构，进一步优选28个以上sp2碳原子。共轭结构指其中sp2碳原子连续键合的结构。共轭结构具有促进分子内电子的非局部化、容易进行分子之间的电荷供给/接受的性质。从成膜性、与用于形成表面层的材料的相容性、和膜强度等观点，sp2碳原子数为120以下，并且更优选60以下。本专利技术的空穴输送性化合物中，共轭结构在其中可具有稠合多环结构。稠合多环结构指其中2个以上如苯环等环状结构相互邻接的结构。稠合多环结构可以为sp2碳原子数为12以上的稠合多环结构。为了进一步发挥空穴输送性，形成稠合多环结构的sp2碳原子的个数优选为14以上，并且更优选16以上。从成膜性和与构成表面层的材料的相容性的观点，形成稠合多环结构的sp2碳原子的个数，优选为20以下并且更优选18以下。相对于形成稠合多环结构的环结构，共轭结构可平面地伸展。从而，为了形成平面结构，稠合多环结构可具有5元环或6元环。尽管形成稠合多环结构的环数为2以上，但是为了更适当地发挥空穴输送性该数可以为3以上。此外，从成膜性和分子的柔软性的观点，形成稠合多环结构的环结构，优选具有6个以下的环并且更优选5个以下的环。即，最优选具有3个环或4个环的稠合多环结构。本专利技术的空穴输送性化合物可具有作为部分结构的稠合多环结构的至少一个单元(一)。从进一步发挥空穴输送性的观点，空穴输送性化合物优选具有两个以上的稠合多环结构的单元，更优选3个以上的稠合多环结构的单元。此外，空穴输送物质在一个分子中优选具有10个以下的稠合多环结构的单元，更优选4个以下的稠合多环结构的单元。从对化学变化稳定性的观点，当空穴输送物质具有2个以上的稠合多环结构时，空穴输送物质可具有其中稠合多环结构通过单键相互结合(稠合多环结构直接相互结合)的结构。此外，稠合多环结构优选为芴、蒽、菲、荧蒽或芘，因为空穴输送性和抑制图像缺失的效果较高。稠合多环结构更优选为芴或芘。此类稠合多环结构可具有取代基。本文中，本专利技术的空穴输送物质中的sp2碳原子数不包括第一反应性官能团中包含的sp2碳原子数。第一反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和在所述支承体上形成的感光层，其中所述电子照相感光构件的表面层包含组合物的聚合产物，所述组合物包含：具有第一反应性官能团的空穴输送性化合物；和具有可与所述第一反应性官能团反应的第二反应性官能团的化合物，其中所述空穴输送性化合物的除所述第一反应性官能团以外的结构为：仅具有碳原子和氢原子的结构；或仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构。

【技术特征摘要】
2013.03.07 JP 2013-045698;2014.02.21 JP 2014-032151.一种电子照相感光构件，其包括:支承体；和在所述支承体上形成的感光层， 其中所述电子照相感光构件的表面层包含组合物的聚合产物，所述组合物包含: 具有第一反应性官能团的空穴输送性化合物；和具有可与所述第一反应性官能团反应的第二反应性官能团的化合物， 其中 所述空穴输送性化合物的除所述第一反应性官能团以外的结构为: 仅具有碳原子和氢原子的结构；或 仅具有碳原子、氢原子和氧原子的结构。2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述空穴输送性化合物的除所述第一反应性官能团以外的结构为具有含有24个以上的sp2碳原子的共轭结构的结构，和 所述共轭结构具有含有12个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述空穴输送性化合物具有2个以上的所述稠合多环结构。4.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述稠合多环结构通过单键相互结口 ο5.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述稠合多环结构具有5元环或6元环。6.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述空穴输送性化合物的除所述第一反应性官能团以外的结构具有含有28个以上的sp2碳原子的共轭结构。7.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中用氢原子替换所述空穴输送性化合物的所述第一反应性官能团的化合物为由下式(I)表示的化合物: / R3 R4X ,/ \ , R1 ——1-R 7-1——R2 \ J \?/ ⑴%/ It 其...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木进司，中田浩一，小坂宣夫，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP