电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板制造技术

公开一种电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板。本发明专利技术的透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于上述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于上述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于上述第二导电性薄膜上；上述第二导电性薄膜由导电性高于上述第一导电性薄膜或者上述第三导电性薄膜的材质形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板
本专利技术涉及透明导电性膜，更详细地涉及电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板。
技术介绍
作为在制造触控面板(TouchPanel)时最主要部件之一的透明电极膜，至今使用最广泛的是全光线透过率在85％以上且表面电阻在400Ω/square(Ω/平方米)以下的铟锡氧化物(IndiumTinOxide，ITO)膜。通常的透明电极膜，在像透明高分子膜的膜基材上形成底涂层(undercoat)之后在底涂层上层压像铟锡氧化物的透明导电性薄膜而制成。最近，随着静电容量方式或者电阻膜方式的触控面板的使用增加，要求实现用于感知微细恒电流或者微细触控的、表面电阻小于200Ω/square的低电阻。但是，利用铟锡氧化物薄膜的透明电极膜在能够具有的导电性的范围存在局限性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术的一目的在于，提供电特性优秀的透明导电性膜。并且，本专利技术的再一目的在于提供利用电特性优秀的透明导电性膜的触控面板。技术方案用于达成上述一目的的本专利技术实施例的透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜,其形成于上述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于上述第一导电性薄膜上,以及第三导电性薄膜，其形成于上述第二导电性薄膜上；上述第二导电性薄膜由导电性高于上述第一导电性薄膜或者上述第三导电性薄膜的材质形成。用于达成上述再一目的的本专利技术实施例的触控面板，其特征在于，包括：第一面板，其具有第一透明导电性膜，第二面板，其与上述第一面板相向，并具有与上述第一透明导电性膜正交的第二透明导电性膜；以及隔片，其配置在上述第一透明导电性膜与上述第二透明导电性膜之间；上述第一透明导电性膜或者上述第二透明导电性膜包括膜基材、形成于上述膜基材上的第一导电性薄膜、形成于上述第一导电性薄膜上的第二导电性薄膜以及形成于上述第二导电性薄膜上的第三导电性薄膜；上述第二导电性薄膜为由导电性高于上述第一导电性薄膜或者上述第三导电性薄膜的材质形成的透明导电性膜。有益效果本专利技术的透明导电性膜中，将形成在第一导电性薄膜与第三导电性薄膜之间的第二导电性薄膜由导电性高于第一导电性薄膜或者第三导电性薄膜的材质形成，由此具有能够提高电特性的优点。并且,本专利技术的透明导电性膜中，在由铟锡氧化物材质形成的第一导电性薄膜与第三导电性薄膜之间形成由金属材质形成的第二导电性薄膜的情况下，可期待减少铟(indium)等稀有金属的使用的效果。并且，本专利技术的触控面板中，利用电特性优秀的透明导电性膜，能够提高触控面板的电特性。附图说明图1是表示本专利技术一实施例的透明导电性膜的剖视图。图2是表示利用图1的透明导电性膜的第一实施例的触控面板的剖视图。图3是表示利用图1的透明导电性膜的第二实施例的触控面板的剖视图。图4是表示利用图1的透明导电性膜的第三实施例的触控面板的剖视图。具体实施方式以下参照附图详细说明的实施例会让本专利技术的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本专利技术不局限于以下所公开的实施例，能够以各种方式实施，本实施例只用于使本专利技术的公开内容更加完整，有助于本专利技术所属
的普通技术人员完整地理解本专利技术的范畴，本专利技术根据专利技术要求保护范围而定义。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。下面参照附图详细说明本专利技术的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板。图1是表示本专利技术一实施例的透明导电性膜的剖视图。参照图1，本专利技术一实施例的透明导电性膜100可包括膜基材101以及在膜基材101上依次层压的第一电介质薄膜102、第二电介质薄膜103、第一导电性薄膜104、第二导电性薄膜105以及第三导电性薄膜106。膜基材101用于提供形成第一电介质薄膜102或者第一导电性薄膜104的面并为透明导电性膜100提供机械强度，膜基材101可以是玻璃、透明高分子膜等具有透明性的基材。例如，作为透明高分子膜，可使用选自由聚丙烯酸类、聚氨酯类、聚酯类、聚环氧类、聚烯烃类、聚碳酸酯类以及纤维素类等组成的组中的塑料膜。由透明高分子膜形成的膜基材101可使用在透明高分子膜经过底涂(primercoating)处理之后再进行硬化涂层处理的薄膜，来具备表面平滑度与耐热性。在考虑机械强度等时，优选地，膜基材101的厚度为20μm至1000μm左右。如果膜基材101的厚度小于20μm，则会缺乏机械强度，并且，有可能导致很难连续形成第一电介质膜102、第二电介质膜103以及第一至第三导电性薄膜104、105、106。相反，如果膜基材101的厚度超过1000μm，就会存在当应用到触控面板等时，存在打击特性等差、透过率低下的问题。第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103作为第一导电性薄膜至第三导电性薄膜104、105、106的基底薄膜，可用于提高透明导电性膜100的透明性、耐擦伤性、耐弯曲性以及耐久性等的特性。例如，第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103可由NaF(1.3)、Na3AlF6(1.35)、LiF(1.36)、MgF2(1.38)、CaF2(1.4)、BaF2(1.3)、BaF2(1.3)、SiO2(1.46)、LaF3(1.55)、CeF(1.63)、Al2O3(1.63)等无机物(括号里的值表示光的折射率)或者光的折射率为1.4～1.6左右的丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷类聚合物等有机物或者上述无机物与上述有机物的混合物形成。在上述材料中，作为第一电介质薄膜102的材料，优选为有机物或者有机物与无机物的混合物。尤其是，有机物优选为由三聚氰胺树脂、醇酸树脂和有机硅烷缩合物的混合物形成的热固化型树脂。并且，第二电介质薄膜103的材料优选为无机物或者有机物与无机物的混合物。尤其是，无机物优选为SiO2、MgF2、Al2O3等。第一电介质薄膜102能够以10nm至25nm的厚度形成，优选地，以13nm至20nm的厚度形成。第二电介质薄膜103能够以15nm至100nm的厚度形成，优选地，以20nm至60nm的厚度形成。通过将第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103的厚度分别形成为上述范围之内，能够容易同时确保透明性、耐擦伤性、耐弯曲性等特性。第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103可通过真空蒸镀(vacuumevaporation)法、溅射(sputtering)法、离子电镀(ionplating)法、涂敷法等形成。上述透明导电性膜100通过层压如第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103一样的基底薄膜，来提高透明性以及耐擦伤性或者耐弯曲性的同时，提高作为触控面板用具有的打击特性。但是，第一电介质薄膜102以及第二电介质薄膜103不是必须要形成的，而可以省略。第一导电性薄膜104以及第三导电性薄膜106可由如下的公知的物质形成，诸如：金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)等金属，二氧化钛(TiO2)、氧化镉(CdO)等金属氧化物，碘化铜(CuI)等金属卤化物以及铟锡氧化物(IndiumTinOxide，ITO)、掺氟二氧化锡(Flourinedopedtinoxide，FTO)等透明导电氧化物(Transparentconductiveoxide)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于所述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于所述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于所述第二导电性薄膜上；所述第二导电性薄膜由导电性高于所述第一导电性薄膜或者所述第三导电性薄膜的材质形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.28 KR 10-2011-01449151.一种透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于所述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于所述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于所述第二导电性薄膜上，所述第二导电性薄膜包含选自锡、铝、钼、石墨烯以及锌中的一种以上的材质而形成，并且所述第二导电性薄膜由导电性高于所述第一导电性薄膜或者所述第三导电性薄膜的材质形成，其中所述第二导电性薄膜以1nm至10nm的厚度形成，并且所述膜基材与所述第一导电性薄膜之间还包括：第一电介质薄膜，其与所述膜基材相接触而形成；以及第二电介质薄膜，其形成于所述第一电介质薄膜上，其中所述第一电介质薄膜具有13nm至20nm的厚度，且所述第一电介质薄膜由有机材料形成，所述有机材料包括丙烯酸树脂和聚氨酯树脂，所述第二电介质薄膜具有20nm至60nm的厚度，且所述第二电介质薄膜由无机材料形成，所述无机材料包括MgF2、SiO2和Al2O3。2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一导电性薄膜以及所述第三导电性薄膜包含选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、二氧化钛(TiO2)、氧化镉(CdO)以及碘化铜(CuI)中的一种以上的材质而形成。3.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一导电性薄膜以及所述第三导电性薄膜由透明导电氧化物形成，所述透明导电氧化物为铟锡氧化物(ITO)或掺氟二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金庚泽，金仁淑，赵靖，郑根，李敏熙，
申请(专利权)人：乐金华奥斯有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR