电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板制造技术

公开一种电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板。本发明专利技术的透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于上述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于上述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于上述第二导电性薄膜上；上述第二导电性薄膜由导电性高于上述第一导电性薄膜或者上述第三导电性薄膜的材质形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板
本专利技术涉及透明导电性膜，更详细地涉及电特性优秀的透明导电性膜及利用该透明导电性膜的触控面板。
技术介绍
作为在制造触控面板(TouchPanel)时最主要部件之一的透明电极膜，至今使用最广泛的是全光线透过率在85％以上且表面电阻在400Ω/square(Ω/平方米)以下的铟锡氧化物(IndiumTinOxide，ITO)膜。通常的透明电极膜，在像透明高分子膜的膜基材上形成底涂层(undercoat)之后在底涂层上层压像铟锡氧化物的透明导电性薄膜而制成。最近，随着静电容量方式或者电阻膜方式的触控面板的使用增加，要求实现用于感知微细恒电流或者微细触控的、表面电阻小于200Ω/square的低电阻。但是，利用铟锡氧化物薄膜的透明电极膜在能够具有的导电性的范围存在局限性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术的一目的在于，提供电特性优秀的透明导电性膜。并且，本专利技术的再一目的在于提供利用电特性优秀的透明导电性膜的触控面板。技术方案用于达成上述一目的的本专利技术实施例的透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于所述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于所述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于所述第二导电性薄膜上；所述第二导电性薄膜由导电性高于所述第一导电性薄膜或者所述第三导电性薄膜的材质形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.28 KR 10-2011-01449151.一种透明导电性膜，其特征在于，包括：膜基材，第一导电性薄膜，其形成于所述膜基材上，第二导电性薄膜，其形成于所述第一导电性薄膜上，以及第三导电性薄膜，其形成于所述第二导电性薄膜上，所述第二导电性薄膜包含选自锡、铝、钼、石墨烯以及锌中的一种以上的材质而形成，并且所述第二导电性薄膜由导电性高于所述第一导电性薄膜或者所述第三导电性薄膜的材质形成，其中所述第二导电性薄膜以1nm至10nm的厚度形成，并且所述膜基材与所述第一导电性薄膜之间还包括：第一电介质薄膜，其与所述膜基材相接触而形成；以及第二电介质薄膜，其形成于所述第一电介质薄膜上，其中所述第一电介质薄膜具有13nm至20nm的厚度，且所述第一电介质薄膜由有机材料形成，所述有机材料包括丙烯酸树脂和聚氨酯树脂，所述第二电介质薄膜具有20nm至60nm的厚度，且所述第二电介质薄膜由无机材料形成，所述无机材料包括MgF2、SiO2和Al2O3。2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一导电性薄膜以及所述第三导电性薄膜包含选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、二氧化钛(TiO2)、氧化镉(CdO)以及碘化铜(CuI)中的一种以上的材质而形成。3.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述第一导电性薄膜以及所述第三导电性薄膜由透明导电氧化物形成，所述透明导电氧化物为铟锡氧化物(ITO)或掺氟二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金庚泽，金仁淑，赵靖，郑根，李敏熙，
申请(专利权)人：乐金华奥斯有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR