太阳电池片及太阳电池阵列制造技术

技术编号:10401953 阅读:107 留言:0更新日期:2014-09-09 04:44
本实用新型专利技术公开了一种太阳电池及太阳电池阵列,涉及石墨烯薄膜材料在电池技术领域的应用。包括太阳电池片本体,其特征在于:所述本体上表面涂覆有石墨烯涂层,所述石墨烯涂层上表面至少设有两个金属电极,所述金属电极与所述石墨烯涂层搭接,位于所述太阳电池片本体的四个边角或四条边上;或有若干个太阳电池片组成的太阳电池阵列,其所述太阳电池石墨烯涂层依次通过焊接金属互联串联连接,串联组网后所述金属电极与结构地连接。本实用新型专利技术通过在太阳电池阵表面涂覆透明石墨烯导电膜,与结构地连接且保持低于放电阈值电压值,石墨烯所具备的电学特性刚好满足太阳电池阵静电防护膜的要求,并且与现有ITO膜具相比具有更大的潜在优势。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种太阳电池及太阳电池阵列,涉及石墨烯薄膜材料在电池
的应用。包括太阳电池片本体,其特征在于:所述本体上表面涂覆有石墨烯涂层,所述石墨烯涂层上表面至少设有两个金属电极,所述金属电极与所述石墨烯涂层搭接,位于所述太阳电池片本体的四个边角或四条边上;或有若干个太阳电池片组成的太阳电池阵列,其所述太阳电池石墨烯涂层依次通过焊接金属互联串联连接,串联组网后所述金属电极与结构地连接。本技术通过在太阳电池阵表面涂覆透明石墨烯导电膜,与结构地连接且保持低于放电阈值电压值,石墨烯所具备的电学特性刚好满足太阳电池阵静电防护膜的要求,并且与现有ITO膜具相比具有更大的潜在优势。【专利说明】太阳电池片及太阳电池阵列
本技术涉及石墨烯薄膜材料在电池
的应用,尤其涉及一种太阳电池及太阳电池阵列。
技术介绍
太阳电池阵在空间等离子体、高能电子辐射以及太阳辐射等复杂空间环境中,介质表面将产生不均匀带电,当表面电荷聚集到一阈值时会向周围环境释放电子(ESD)。放电脉冲可能会造成电子系统的干扰,非指令性开关异常甚至对太阳电池阵造成物理损伤等。石墨烯是最近几年开发出的具有二维结构的单层片状结构的新型材料,具有极高的导热能力和导电能力。有着非常优异的性能:超大的比表面积,理论值为2630m2/g ;机械能能优异,杨氏模量大1.0TPa ;热导率为5300W/m/K,是铜热导率的10倍;对光只有2.3%的吸收,几乎完全透明;具有极高的电子迁移率等特性。石墨烯所具备的电学特性刚好满足太阳电池阵静电防护膜的要求,并且与现有ITO膜具相比具有更大的潜在优势。结构地属于接地类型中的一种。接地的概念,所谓“地”,有两种含义,即实际地和虚地。实际地是指大地,电子仪器往往是以地球的电位为基准,即以大地作为零电位;虚地是以电路系统中某一点电位为基准,即设该点为相对零电位,如电子电路中往往以设备的金属底座、机架、外壳和公共导线作为零电位,即“地”电位,这种“地”不一定与大地等电位。接地是指让电子、电器设备的基准电位点与大地保持同电位。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种在太阳电池片或太阳电池阵列表面涂覆透明石墨烯导电膜,使太阳电池阵列表面形成等电位,与结构地连接且保持低于放电阀值电压值的太阳电池及太阳电池阵列。为解决上述技术问题,本技术所采取的技术方案是:一种太阳电池片,包括太阳电池片本体,所述太阳电池片本体上表面涂覆有石墨烯涂层,所述石墨烯涂层上表面至少设有两个金属电极,所述金属电极与所述石墨烯涂层搭接,位于所述太阳电池片本体的四个边角或四条边上。优选的,所述金属电极为三角形状,设有两块,分别位于电池片本体上表面的底部两个边角处。优选的,包括若干个如权利要求1-2中任意一项所述的太阳电池片本体,所述太阳电池石墨烯涂层依次通过焊接金属互联串联连接,串联组网后所述金属电极与结构地连接。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本技术通过在太阳电池阵表面涂覆透明石墨烯导电膜,其石墨烯涂层膜利用石墨烯材料良好的透光性、电导性和稳定性,具有超大的比表面积,理论值为2630m2/g ;机械能能优异,杨氏模量大1.0TPa ;热导率为5300W/m/K,是铜热导率的10倍;对光只有2.3%的吸收,几乎完全透明,使得制备的太阳电池石墨烯涂层膜,电子迁移率高,进而使太阳电池阵表面形成等电位,与结构地连接且保持低于放电阈值电压值,避免放危害的产生;石墨烯所具备的电学特性刚好满足太阳电池阵静电防护膜的要求,并且与现有ITO膜具相比具有更大的潜在优势。【专利附图】【附图说明】图1是本技术结构示意图;图2是图1中太阳电池与石墨烯涂层的示意图;图中:1太阳电池片本体,2石墨烯涂层,3金属电极,4金属互联,5结构地。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。如图1和图2所示,本技术是一种太阳电池片,包括太阳电池片本体I,所述太阳电池片本体I上表面涂覆有石墨烯涂层2,所述石墨烯涂层2上表面至少设有两个金属电极3,所述金属电极3与所述石墨烯涂层2搭接,位于所述太阳电池片本体I的四个边角或四条边上;所述金属电极3为三角形状,设有两块,分别位于太阳电池片本体I上表面的底部两个边角处。所述金属电极3与结构地5连接,使太阳电池片表面形成等电位,与结构地5连接且保持低于放电阈值电压值,避免放危害的产生。本技术是一种太阳电池阵列,包括若干个所述的太阳电池片,所述太阳电池石墨烯涂层2依次通过焊接金属互联4串联连接,串联组网后所述金属电极3与结构地5连接。使得制备的太阳电池石墨烯涂层膜,石墨烯材料电子迁移率高,进而使太阳电池阵表面形成等电位,与结构地连接且保持低于放电阈值电压值,避免放危害的产生。本技术通过在太阳电池阵表面涂覆透明石墨烯导电膜,其石墨烯涂层膜利用石墨烯材料良好的透光性、电导性和稳定性,具有超大的比表面积,理论值为2630m2/g ;机械能能优异,杨氏模量大1.0TPa ;热导率为5300W/m/K,是铜热导率的10倍;对光只有2.3%的吸收,几乎完全透明,使得制备的太阳电池石墨烯涂层膜,电子迁移率高,进而使太阳电池阵表面形成等电位,与结构地连接且保持低于放电阈值电压值,避免放危害的产生;石墨烯所具备的电学特性刚好满足太阳电池阵静电防护膜的要求,并且与现有ITO膜具相比具有更大的潜在优势。【权利要求】1.一种太阳电池片,包括太阳电池片本体(1),其特征在于:所述太阳电池片本体(I)上表面涂覆有石墨烯涂层(2),所述石墨烯涂层(2)上表面至少设有两个金属电极(3),所述金属电极(3)与所述石墨烯涂层(2)搭接,位于所述太阳电池片本体(I)的四个边角或四条边上。2.根据权利要求1所述的一种太阳电池片,其特征在于:所述金属电极(3)为三角形状,设有两块,分别位于太阳电池片本体(I)上表面的底部两个边角处。3.一种太阳电池阵列,其特征在于:包括若干个如权利要求1-2中任意一项所述的太阳电池片,所述太阳电池石墨烯涂层(2)依次通过焊接金属互联(4)串联连接,串联组网后所述金属电极(3)与结构地(5)连接。【文档编号】H01L31/0224GK203812891SQ201420236319【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日 【专利技术者】曹鹤飞, 孙永卫, 武占成, 原青云, 张希军 申请人:中国人民解放军军械工程学院本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种太阳电池片,包括太阳电池片本体(1),其特征在于:所述太阳电池片本体(1)上表面涂覆有石墨烯涂层(2),所述石墨烯涂层(2)上表面至少设有两个金属电极(3),所述金属电极(3)与所述石墨烯涂层(2)搭接,位于所述太阳电池片本体(1)的四个边角或四条边上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曹鹤飞孙永卫武占成原青云张希军
申请(专利权)人:中国人民解放军军械工程学院
类型:新型
国别省市:河北;13

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