本发明专利技术提供了一种阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，其中，每个所述亚像素包括：至少两个子像素电极，每个子像素电极分别通过对应的开关元件从所述多条数据线的同一条接收数据信号。本发明专利技术的技术方案能够提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置，属于显示
。所述阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，其中，每个所述亚像素包括：至少两个子像素电极，每个子像素电极分别通过对应的开关元件从所述多条数据线的同一条接收数据信号。本专利技术的技术方案能够提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。【专利说明】阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置。
技术介绍
随着平板显示技术的不断进步，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)得到越来越广泛的应用，TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。现有的阵列基板包括:基板；以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素，其中每个亚像素包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管的漏极连接的像素电极；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的多个亚像素，数据线与一列亚像素中的薄膜晶体管的源极连接；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的多个亚像素，栅线与一行亚像素中的薄膜晶体管的栅极连接。阵列基板的驱动方式是逐行驱动扫描，栅线传递时序的栅极信号，数据线传递与栅极信号时序配合的数据信号，在薄膜晶体管打开时，数据信号通过薄膜晶体管为亚像素的像素电极充电，影响亚像素充电率(ChargingRatio)的因素包括有分辨率(影响一行像素的充电时间)、亚像素的存储电容Cst、电容电阻以及充电电流等等。在大尺寸液晶显示面板中，由于亚像素的面积增大，相应的存储电容Cst也会越大，从而会影响亚像素的充电率，在液晶显示面板的图像扫描帧速一定的条件下亚像素的充电时间会比较短，可能会导致亚像素充不满电，进而带来Mura (Mura是指显示面板亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)等问题，使得液晶显示面板的画面质量较差，阻碍了大尺寸、高分辨率的液晶显示产品的研发。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置，能够提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:一方面，提供一种阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，每个所述亚像素包括:至少两个子像素电极，每个子像素电极分别通过对应的开关元件从所述多条数据线的同一条接收数据信号。进一步地，所述开关元件为薄膜晶体管，所述子像素电极与对应薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所属亚像素对应的数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与所属亚像素对应的栅线连接。进一步地，每个所述亚像素包括有第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极分别通过同一个薄膜晶体管接收同一数据信号。进一步地，每个所述亚像素包括有第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区包括有第一子像素电极和第一薄膜晶体管，所述第一子像素电极通过所述第一薄膜晶体管接收数据信号；所述第二子像素区包括有第二子像素电极和第二薄膜晶体管，所述第二子像素电极通过所述第二薄膜晶体管接收所述数据信号，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极相连接。进一步地，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的面积相等。进一步地，所述亚像素对应的栅线位于所述第一子像素区和所述第二子像素区之间。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的驱动方法，所述阵列基板包括:以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，每个所述亚像素包括:至少两个子像素电极，与所述子像素电极对应连接的开关元件，所述驱动方法包括:在通过栅线向亚像素发送开启信号时，由所述亚像素的开关元件向对应的子像素电极发送同一数据信号。进一步地，所述开关元件为薄膜晶体管，所述子像素电极与对应薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所属亚像素对应的数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与所属亚像素对应的栅线连接，所述驱动方法包括:在通过栅线向所述薄膜晶体管的栅极发送开启信号时，由所述薄膜晶体管的漏极向对应的子像素电极发送同一数据信号。进一步地，每个所述亚像素包括有第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极分别通过同一个薄膜晶体管接收同一数据信号，所述驱动方法包括:在通过栅线向所述薄膜晶体管的栅极发送开启信号时，由所述薄膜晶体管的漏极分别向所述第一子像素电极和所述第二子像素电极发送所述数据信号。进一步地，每个所述亚像素包括有第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区包括有第一子像素电极和第一薄膜晶体管，所述第二子像素区包括有第二子像素电极和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极相连接，所述驱动方法包括:在通过栅线向所述第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管的栅极发送开启信号时，由所述第一薄膜晶体管的漏极向所述第一子像素电极发送数据信号；由所述第二薄膜晶体管的漏极向所述第二子像素电极发送同一数据信号。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，每个亚像素包括有多个子像素电极，每个子像素电极分别通过对应的开关元件接收数据信号，每个子像素电极对应的存储电容要小于现有亚像素的存储电容，这样在亚像素进行充电时，数据信号可以通过开关元件分别为多个子像素电极的存储电容进行充电，由于子像素电极的存储电容比较小，因此可以达到在扫描帧速一定的条件下提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。【专利附图】【附图说明】图1为现有亚像素的平面示意图；图2为本专利技术实施例阵列基板一亚像素的平面示意图；图3为本专利技术实施例阵列基板的像素结构示意图；图4为图2所示亚像素在AA’方向上的截面示意图。附图标记I栅线2数据线3像素电极4第一子像素区5第二子像素区6第一子像素电极7第二子像素电极11基板12栅极13公共电极14栅绝缘层15有源层161、162漏极17源极18钝化层19过孔【具体实施方式】为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中大尺寸液晶显示面板亚像素的充电率较低，影响画面显示的问题，提供一种阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置，能够提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，其特征在于，每个所述亚像素包括：至少两个子像素电极，每个子像素电极分别通过对应的开关元件从所述多条数据线的同一条接收数据信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王骁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。