一种显示装置及其阵列基板制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种显示装置及其阵列基板，涉及显示技术领域，能够防止高分辨率的LCD中的相邻像素电极形成相互干扰的电场，保证LCD的显示效果。该阵列基板，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板上的信号线，所述信号线两侧设置有像素电极，所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起。

【技术实现步骤摘要】
—种显示装置及其阵列基板
本技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置及其阵列基板。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-1XD Display)技术的发展和进步，液晶显示器装置已经取代了阴极射线管显示装置成为了日常显示领域的主流显示装置。目前，为了不断提高液晶显示装置显示图像的质量，其分辨率在不断地提高，力求为消费者提供更为清晰逼真的显示画面。分辨率定义为液晶显示装置中每英寸面积内的像素的数量，这样一来，分辨率越高则液晶显示装置中像素区域的尺寸就越小，相应地，如图1所示，相邻的两个像素单元区域中的像素电极4之间的间距也越来越小，当给像素电极4通入一定的工作电压时，将导致相邻的两个像素电极4之间的电场发生干扰(如图中箭头所示)，从而影响显示画面的质量。例如，如图2所示，当仅要求某一像素单元区域(标记为a)对应的液晶分子12偏转而与该像素单元区域相邻的另一个像素单元区域(标记为b)对应液晶分子12不发生偏转时，由于像素单元区域a与像素单元区域b之间的间隔很小，使得相邻的两个像素电极4之间的电场发生干扰，导致相邻的像素单元区域a与像素单元区域b之间的液晶分子12、以及像素单元区域b靠近像素单元区域a的边缘处对应的液晶分子12发生偏转，从而如图3所示，使液晶显示装置中相邻的像素单元区域产生混色、漏光等现象，影响了液晶显示装置的显示的效果。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种显示装置及其阵列基板，当该阵列基板应用于显示装置时，可减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案:本技术的第一方面提供了一种阵列基板，包括:衬底基板、设置于所述衬底基板上的信号线，所述信号线两侧设置有像素电极，所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起。所述突起与所有奇数行或所有偶数行的信号线位置对应。所述信号线包括数据线和/或栅线。所述突起的高度为I?2微米，所述突起的宽度大于或等于所述信号线的宽度。所述突起的宽度为3?6微米。在本技术实施例的技术方案中，由于所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起，并且所述信号线两侧设置有像素电极，显然，突起导致两像素电极之间的高度较大，大于像素电极的高度，使得像素电极不易形成电场，该突起可以减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。本技术的第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板，还包括与所述阵列基板配合的对盒基板。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图；图2为现有技术中的阵列基板驱动液晶分子的偏转不意图；图3为现有技术中的阵列基板漏光性测试结果示意图；图4为本技术实施例中的阵列基板的结构示意图一；图5为本技术实施例中的阵列基板驱动液晶分子的偏转不意图；图6为本 技术实施例中的阵列基板漏光性测试结果示意图；图7为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图一；图8为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图二 ；图9为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图三；图10为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图四；图11为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图五；图12为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图六；图13为本技术实施例中的阵列基板的平面示意图七；图14为本技术实施例中的阵列基板的结构示意图二 ；图15为本技术实施例中的阵列基板的结构示意图三；图16为本技术实施例中的阵列基板的结构示意图四；图17为本技术实施例中的阵列基板的制作方法的流程示意图。附图标记说明:I一衬底基板；2—?目号线；3—突起；4一像素电极；5—第一绝缘层；6—第二绝缘层；7—第三绝缘层；8—公共电极；9一第四绝缘层；10—黑矩阵；11一彩膜；12—液晶分子；13—预设区域。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一本技术实施例提供一种阵列基板，如图4所示，该阵列基板包括:衬底基板I和设置于所述衬底基板I上的信号线2，所述信号线2两侧设置有像素电极4，所述衬底基板I形成有与全部或部分所述信号线2位置对应的突起3。在本技术实施例的技术方案中，由于所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起，并且所述信号线两侧设置有像素电极，显然，突起导致两像素电极之间的高度较大，大于像素电极的高度，使得像素电极不易形成电场，该突起可以减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰，降低相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提高显示装置的显示效果。进一步的，如图5所示，在所述阵列基板应用于显示装置并工作时，当像素单元区域a内的像素电极4对应的液晶分子12发生偏转时，由于上述的所述突起3的隔离作用，可以减小该像素电极4对与其相邻的像素单元区域b内的另一个像素电极4的电场干扰，从而避免了相邻两个像素电极4之间的液晶分子12以及像素单元区域b靠近像素单元区域a的边缘处对应的液晶分子12发生偏转，如图6所示，当所述阵列基板应用于显示装置时，宏观上表现为减少了显示装置中的相邻的两个像素单元区域之间的混色、漏光现象，提闻了显不效果。其中，如图4所示，若衬底基板I为玻璃制成，可利用氟化氢(HF)等玻璃腐蚀液对衬底基板I上的预设区域13进行腐蚀处理，形成对应全部或部分所述信号线2设置的突起3，显然，该预设区域13恰好是阵列基板上的像素单元区域的对应区域。显然，由于衬底基板I上形成有突起3，该突起3的存在导致阵列基板制成后，突起3的对应区域的表面会高于其他区域的表面，如图4所示，突起3的存在使得突起3所对应的阵列基板的表面高于其他区域的表面，例如像素电极4的表面，所述突起3所对应的阵列基板的表面和像素电极4的表面之间的高度差较大时，突起3所起到的隔离相邻两个像素电极4之间的电场干扰作用更为明显，优选的，所述突起3所对应的阵列基板的表面和像素电极4之间的高度差d至少为I μ m。由现有技术可知，每一像素单元区域都为矩形，即像素单元区域包括长边和短边，并且由于显示装置在工作时，每一像素单元区域的像素电极4的电势不相等，因此，像素单元区域相互不接触，如图6所示，在像素单元区域排布于阵列基板上时，像素单元区域的长边和长边相邻，短边和短边相邻，长边和短边相垂直.由于像素电极4通常充满像素单元区域，即像素电极4的长边和长边相邻，短边和短边相邻，长边和短边相垂直，像素电极4之间有间隙，突起3可位于像素电极4之间的间隙处，因此，在本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板上的信号线，所述信号线两侧设置有像素电极，所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的突起。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:衬底基板和设置于所述衬底基板上的信号线，所述信号线两侧设置有像素电极，所述衬底基板形成有与全部或部分所述信号线位置对应的关起。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于:所述突起与所有奇数行或所有偶数行的信号线位置对应。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，曹占锋，姚琪，齐永莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11