一种扇形结构的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种扇形结构的LED芯片，该芯片整体呈圆盘状，芯片包括基板层、焊片层、芯片层及散热透光层，焊片层设置在基板层与芯片层之间，散热透光层设在芯片层上，基板层具有圆形的外缘边界，在基板层的顶面上布置有多个正负极区域，焊片层包括多个子焊片，每一个子焊片都唯一对应一个正极区域或者负极区域，芯片层包括若干PN结，PN结的数量与正负极区域的数量相等，一个PN结通过焊片层唯一对应的连接在一个正负极区域上。本实用新型专利技术使用了扇形的LED芯片，使得在极小的范围内实现了方形LED芯片不能实现的光效果，以及发光均匀无黄斑，构成散热透光层的透明陶瓷的导热率为14W/mK是硅胶的100倍，散热效果好。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种扇形结构的LED芯片
本技术涉及一种LED芯片，特别是指一种扇形结构的LED芯片。
技术介绍
众所周知，LED芯片也称led发光芯片，其是led灯具的核心组件，其主要的功能是将电能转化为光能，LED芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。当这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于LED芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。在具体实施的时候LED芯片的制作流程主要分为两部分，首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AIN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及III族的有机金属和V族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇形结构的LED芯片，包括基板层、焊片层、芯片层以及散热透光层，基板层位于最底层，焊片层设置在基板层与该芯片层之间，散热透光层覆盖在芯片层上；其特征在于： 所述基板层整体呈圆盘状，在基板层的圆盘面上布置有若干个正负极区域；正负极区域整体呈扇形，正负极区域一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分别为正极区域和负极区域；若干个正负极区域均以圆盘面的圆心为圆心顺序布满在基板层的圆盘面上，若干个正极区域与负极区域呈间隔排列； 所述焊片层包括若干个子焊片，每一个子焊片都唯一对应一个正极区域或者负极区域； 所述芯片层包括若干个PN结，PN结整体呈扇形，PN结一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分...

【技术特征摘要】
1.一种扇形结构的LED芯片，包括基板层、焊片层、芯片层以及散热透光层，基板层位于最底层，焊片层设置在基板层与该芯片层之间，散热透光层覆盖在芯片层上；其特征在于: 所述基板层整体呈圆盘状，在基板层的圆盘面上布置有若干个正负极区域；正负极区域整体呈扇形，正负极区域一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分别为正极区域和负极区域；若干个正负极区域均以圆盘面的圆心为圆心顺序布满在基板层的圆盘面上，若干个正极区域与负极区域呈间隔排列； 所述焊片层包括若干个子焊片，每一个子焊片都唯一对应一个正极区域或者负极区域； 所述芯片层包括若干个PN结，PN结整体呈扇形，PN结一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分别为正极部分和负极部分；每一个正极部分的扇形形状以及扇形面积与所述基板层的正极区域相同，且一个正极部分通过一个子焊片唯一对应地连接在一个正极区域上；每一个负极部分的扇形形状以及扇形面积与所述基板层的负极区域相同，且一个负极部分通过一个子焊片唯一对应地连接在一个负极区域上； 位于正极部分和正极区域之间的子焊片与位于负极部分和负极区域之间的子焊片不接触； 所述PN结之间串联连接，所述散热透光层由具有散热透光的材料制成。2.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于:所述基板层由陶瓷或者金属材料制成，其顶面上镀有金或者银层，金或者银层的厚度在0.05-0.1mm之间。3.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹军，
申请(专利权)人：浙江亿米光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33