绝缘栅型场效应晶体管及该晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法，其能够抑制短路故障的产生。FET（1）具有半导体衬底（10）、栅极绝缘膜（20）、栅极电极（30）和导电部件（60）。半导体衬底（10）具有将沟道区域（14）分割成漏极区域（12）侧的第1沟道区域（14A）和源极区域（13）侧的第2沟道区域（14B）的绝缘槽（11）。导电部件（60）被绝缘槽（11）的漏极侧端面（11A）和源极侧端面（11B）支承。当规定温度以上时导电部件（60）被切断。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术基于2013年2月22日提出的日本专利申请N0.2013-033181号的优先权，其包括说明书、附图和摘要，通过引用其全部内容在此被编入本专利技术。
本专利技术涉及绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法。
技术介绍
日本特开2007-96034号公报所记载的绝缘栅型场效应晶体管具有P型的半导体衬底。半导体衬底在表面形成有N型的漏极区域和N型的源极区域。在形成在漏极区域和源极区域之间的沟道区域的表面隔着栅极绝缘膜形成有栅极电极。对绝缘栅型场效应晶体管而言，例如当供给过大的电流或电压等而发生异常时，有可能产生漏极端子和源极端子之间发生短路的所谓短路故障。若绝缘栅型场效应晶体管产生短路故障，则会通过晶体管向其他设备供给持续功率。因此，对其他设备的影响变大。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种能够抑制短路故障的产生的绝缘栅型场效应晶体管、以及该晶体管的制造方法。作为本专利技术的一方式的绝缘栅型场效应晶体管具有:半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域、以及将上述沟道区域分割成上述漏极区域侧的第I沟道区域及上述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽；栅极电极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域以及将所述沟道区域分割成所述漏极区域侧的第1沟道区域及所述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽；栅极电极，其具有在所述半导体衬底形成所述第1沟道区域的第1栅极电极部、及在所述半导体衬底形成所述第2沟道区域的第2栅极电极部；栅极绝缘膜，其位于所述半导体衬底和所述栅极电极之间，将所述漏极区域及所述源极区域与所述栅极电极绝缘；以及导电部件，其由作为所述绝缘槽的所述漏极区域侧的端面的漏极侧端面和作为所述绝缘槽的所述源极区域侧的端面的源极侧端面支承，且当达到规定温度以上时被切断。

【技术特征摘要】
2013.02.22 JP 2013-0331811.一种绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，具有: 半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域以及将所述沟道区域分割成所述漏极区域侧的第I沟道区域及所述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽； 栅极电极，其具有在所述半导体衬底形成所述第I沟道区域的第I栅极电极部、及在所述半导体衬底形成所述第2沟道区域的第2栅极电极部； 栅极绝缘膜，其位于所述半导体衬底和所述栅极电极之间，将所述漏极区域及所述源极区域与所述栅极电极绝缘；以及 导电部件，其由作为所述绝缘槽的所述漏极区域侧的端面的漏极侧端面和作为所述绝缘槽的所述源极区域侧的端面的源极侧端面支承，且当达到规定温度以上时被切断。2.根据权利要求1所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于， 所述第I栅极电极部向所述源极区域侧形成至所述漏极侧端面的位置， 所述第2栅极电极部向所述漏极区域侧形成至所述源极侧端面的位置。3.根据权利要求1所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于， 所述导电部件由作为所述漏极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部和作为所述源极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部支承。4.根据权利要求2所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于， 所述导电部件由作为所述漏极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部和作为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹野聪，胁田恭之，
申请(专利权)人：株式会社捷太格特，
类型：发明
国别省市：日本;JP