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本发明提供一种绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法，其能够抑制短路故障的产生。FET（1）具有半导体衬底（10）、栅极绝缘膜（20）、栅极电极（30）和导电部件（60）。半导体衬底（10）具有将沟道区域（14）分割成漏极区域（12）侧...
该专利属于株式会社捷太格特所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社捷太格特授权不得商用。

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