一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备BMN即Bi1.5MgNb1.5O7靶材和ZnO靶材，以铜箔为衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar作为溅射气体，在铜箔上进行沉积得到厚度为30～60nm的ZnO薄膜，再沉积得到厚度为150-300nm的Bi1.5MgNb1.5O7薄膜，再利用掩膜版在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面制备金属电极，制得柔性BMN薄膜压控变容管。本发明专利技术压控变容管的调谐率适中(≥25％，测试频率为1MHz)，且器件稳定性好，为通讯和柔性电子设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法
本专利技术属于电子信息材料与元器件领域，特别涉及一种柔性Bi1.^gNb1.507即BMN薄膜压控变容管的制备方法。
技术介绍
随着雷达、卫星、通讯等技术的发展，相控阵天线的应用日益广泛。微波移相器作为相控阵天线的核心部件，其性能直接决定着发射/接收组件的工作频段、响应速度、插入损耗、功率、体积等重要技术指标。传统的铁氧体移相器和半导体PIN二极管移相器由于自身的缺陷，无法满足日益发展的技术要求。采用介电薄膜的移相器具有成本低、速度快、精度高、体积小等特点，还具有高的介电常数和显著的介电非线性，成为近年国际上的一个研究热点。Bi1.5MgNbL 507材料因具有优良的介电性能，被应用于制备和研究传统压控变容管。在测试频率为1MHz，在偏置电场强度为1.6MV/cm时，制备在Pt电极上的Bih5MgNbh5O7薄膜的调谐率可达到39%。目前广泛应用的压控变容管都是在硬质材料衬底上制备的。这些硬质材料衬底一般是玻璃、硅片等。与在硬质衬底上制备的压控变容管相比，在柔性基片上制备的具有许多独特的优点.例如可挠曲、重量轻、不易破碎、易于大面积生产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备BMN靶材和ZnO靶材：按Bi1.5MgNb1.5O7的化学计量比，称取原料Bi2O3、MgO和Nb2O5，充分混合后压制成型，于1150℃烧制Bi1.5MgNb1.5O7及BMN靶材；将ZnO粉末压制成型，于1100℃烧制ZnO靶材；(2)将清洁干燥的铜箔衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P<7.0×10‑6Torr，然后加热衬底至500～800℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar作为溅射气体，溅射功率为50～200W，在铜箔上进行沉积得到厚度为30～60nm的ZnO薄膜(5)步骤...

【技术特征摘要】
1.一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，具有如下步骤: (1)采用固相烧结法制备BMN靶材和ZnO靶材: 按Bk5MgNbh5O7的化学计量比，称取原料Bi203、MgO和Nb2O5,充分混合后压制成型，于1150。。烧制 Bih5MgNbh5O7 及 BMN 靶材； 将ZnO粉末压制成型，于1100°C烧制ZnO靶材； (2)将清洁干燥的铜箔衬底放入磁控溅射样品台上； (3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P〈7.0X 10_6Torr，然后加热衬底至500~800°C ； (4)在步骤(3)系统中，使用Ar作为溅射气体，溅射功率为50~200W，在铜箔上进行沉积得到厚度为30~60nm的ZnO薄膜 (5)步骤(4)完成后，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50~200W，在铜箔上进行沉积得到厚度为150-300nm的Bih5MgNbh5O7薄膜；待衬底温度降至100°C以下时，取出样品; (6)步骤(5)完成后，在Bih5MgNbh5O7薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得柔性BiL5MgNbL507即BM...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，于仕辉，许丹，董和磊，金雨馨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12