半导体的晶圆级封装方法和半导体封装件技术

一种半导体的晶圆级封装方法和半导体封装件。其中，所述半导体的晶圆级封装方法包括：提供具有一个或多个存储器芯片单元的第一晶圆，每个所述存储器芯片单元具有存储阵列电路与外围电路，相邻所述存储器芯片单元之间具有第一切割道；提供具有一个或多个逻辑芯片单元的第二晶圆，每个所述逻辑芯片单元的面积对应N个所述存储器芯片单元的面积，其中N为大于或者等于1的自然数，相邻所述逻辑芯片单元之间具有第二切割道，所述第二切割道与N个所述存储芯片单元外围的所述第一切割道匹配；键合所述第一晶圆和第二晶圆，使所述逻辑芯片单元与N个所述存储器芯片单元对应匹配。所述半导体的晶圆级封装方法提高存储器晶圆的封装适用范围。

【技术实现步骤摘要】
半导体的晶圆级封装方法和半导体封装件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体的晶圆级封装方法和半导体封装件。
技术介绍
存储器有多种，比如静态随机存储器(StaticRandomAccessMemory，SRAM)，动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，闪存(FLASH)，相变存储器(PhaseChangeMemory，PCM)等等，它们广泛用于各种电子设备中，在电路中占据重要的位置。逻辑芯片通常指具有可编程逻辑器件(programmablelogicdevice，PLD)的芯片，逻辑芯片集成度很高，足以满足设计一般的数字系统的需要。现有存储芯片和逻辑芯片连接的方式目前一般有如下几种：1.两者裸片各自封装，完成之后都焊接在电路板上，通过电路板走线相连。2.两者裸片通过打线至基板上相连，然后整体封装。3.两者裸片晶圆(即包括有逻辑芯片单元的晶圆和包括有存储器芯片单元的晶圆)上生长微焊盘，通过微焊盘两者直接相连，然后整体封装。以上三种方式从总体上说，从方式1到方式3，封装性能变好，功耗减少，体积变小，成本降低。对于前两种封装方式，一般有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供具有一个或多个存储器芯片单元的第一晶圆，每个所述存储器芯片单元具有存储阵列电路与外围电路，相邻所述存储器芯片单元之间具有第一切割道；提供具有一个或多个逻辑芯片单元的第二晶圆，每个所述逻辑芯片单元的面积对应N个所述存储器芯片单元的面积，其中N为大于或者等于1的自然数，相邻所述逻辑芯片单元之间具有第二切割道，所述第二切割道与N个所述存储芯片单元外围的所述第一切割道匹配；键合所述第一晶圆和第二晶圆，使所述逻辑芯片单元与N个所述存储器芯片单元对应匹配。

【技术特征摘要】
1.一种半导体的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供具有一个或多个存储器芯片单元的第一晶圆，每个所述存储器芯片单元具有存储阵列电路与外围电路，相邻所述存储器芯片单元之间具有第一切割道；提供具有一个或多个逻辑芯片单元的第二晶圆，每个所述逻辑芯片单元的面积对应N个所述存储器芯片单元的面积，其中N为大于1的自然数，相邻所述逻辑芯片单元之间具有第二切割道，所述第二切割道与N个所述存储芯片单元外围的所述第一切割道匹配；每个逻辑芯片单元的面积与N个存储器芯片单元的面积相等，并且，N个存储器芯片单元的面积形状与每个逻辑芯片单元的面积形状相同；键合所述第一晶圆和第二晶圆，使所述逻辑芯片单元与N个所述存储器芯片单元对应匹配。2.根据权利要求1所述的半导体的晶圆级封装方法，其特征在于，键合所述第一晶圆和第二晶圆的步骤包括：形成位于所述第一晶圆上表面的第一对接焊盘；形成位于所述第二晶圆上表面的第二对接焊盘；电性键合所述第一对接焊盘与所述第二对接焊盘。3.根据权利要求1所述的半导体的晶圆级封装方法，其特征在于，键合所述第一晶圆和第二晶圆的步骤包括：所述第一晶圆与第二晶圆物理连接；通过硅穿孔工艺电性耦合所述的逻辑芯片单元与存储器芯片单元。4.根据权利要求2所述的半导体的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一对接焊盘电性连接所述第一晶圆内部的第一多层金属层的焊盘，所述第一多层金属层的焊盘电性连接所述第一晶圆内部总线；所述第二对接焊盘电性连接所述第二晶圆内部的第二多层金属层的焊盘，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31