【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。采用的技术方案是：将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐、盖帽剂、表面包覆剂和非极性高沸点溶剂混合得到混合前体溶液，在惰性气体保护下，将混合前体溶液从室温加热至60～180℃，形成澄清透明溶液；加入Ⅵ族元素的油胺溶液得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液，加入极性溶剂，离心纯化；然后加入LED灌封胶的A组分和B组分得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜。本专利技术制备过程绿色环保，制备方法简单，制得的半导体纳米晶发光薄膜兼具量子点优异的荧光性能及环氧树脂AB胶衬底良好的机械加工性能，可应用于固态照明LED。【专利说明】—种1-1I1-VI族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法
本专利技术涉及1-1I1- VI族三元半导体纳米晶(CuInS2、AgInS2等)发光薄膜的制备，属于新型荧光材料
。
技术介绍
目前已研究的较为成熟的I1- VI族、IV - VI族半导体纳米晶，因含有Cd、Pb等重金属元素，毒性较高。而制备毒性低，发光范围广、发光峰位置可调、量子效率(QY)高、性能稳定的半导体纳米晶，已成为合成半导体纳米晶...
【技术保护点】
一种Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐和盖帽剂、表面包覆剂加入到装有非极性高沸点有机溶剂的反应容器中得到混合前体溶液，通入氮气或惰性气体排除反应容器中的空气，搅拌下将混合前体溶液从室温加热至60～180℃，直至形成澄清透明溶液；所述的混合前体溶液中，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ+浓度为0.002～0.02M，表面包覆剂浓度为0.02～0.075M，盖帽剂浓度为0.1～0.5M，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ+、Ⅲ族元素阳离子Ⅲ3+的投料摩尔比为1:1～10；（2）将Ⅵ族元素的油胺溶液加入到步骤（1）获得的澄清透明...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李振荣，陈兆平，路亚群，张忠利，高宝禄，邓胜龙，
申请(专利权)人：辽宁大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。