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本发明涉及一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法。采用的技术方案是：将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐、盖帽剂、表面包覆剂和非极性高沸点溶剂混合得到混合前体溶液，在惰性气体保护下，将混合前体溶液从室温加热至60～180℃...
该专利属于辽宁大学所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁大学授权不得商用。

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