一种石墨烯制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯的制备方法，属于信息材料技术领域，其目的在于提出一种新型的利用等离子体化学气相沉积制备石墨烯的方法。其技术方案为：对抛光的衬底基片进行清洗；在衬底基片上镀金属催化剂膜；将镀有金属催化剂膜的衬底基片放入化学气相沉积设备的反应腔中；向反应腔中通入氢气；启动等离子球和加热电源；预热至500~900℃，通入碳源气体，石墨烯开始生长；待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭等离子体电源，对衬底基片降温处理；冷却至室温后，取出衬底基片，采用刻蚀的方法去除金属催化剂膜，得到石墨烯。主要用于石墨烯及其基于石墨烯器件的制造。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种石墨烯的制备方法，属于信息材料
，其目的在于提出一种新型的利用等离子体化学气相沉积制备石墨烯的方法。其技术方案为：对抛光的衬底基片进行清洗；在衬底基片上镀金属催化剂膜；将镀有金属催化剂膜的衬底基片放入化学气相沉积设备的反应腔中；向反应腔中通入氢气；启动等离子球和加热电源；预热至500~900℃，通入碳源气体，石墨烯开始生长；待石墨烯生长完成后，关闭加热电源，关闭等离子体电源，对衬底基片降温处理；冷却至室温后，取出衬底基片，采用刻蚀的方法去除金属催化剂膜，得到石墨烯。主要用于石墨烯及其基于石墨烯器件的制造。【专利说明】—种石墨烯制备方法
本专利技术属于信息材料
，涉及二维纳米薄膜材料及其制备方法，具体地说是基于催化剂的直接生长图形化石墨烯制备方法。
技术介绍
石墨烯最早于2004年出现在实验室中，当时，英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈?杰姆和克斯特亚?诺沃消洛夫发现可用一种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片。他们从石墨中剥离出石墨片，然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带上，撕开胶带，即可将石墨片一分为二。不断地这样操作，于是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底上制备石墨烯制备方法，其特征在于，石墨烯直接生长在所需要的衬底上，并包括以下步骤：     （1）对抛光的衬底基片进行清洗；     （2）在衬底基片上镀金属催化剂膜；     （3）将镀有金属催化剂膜的衬底基片放入化学气相沉积设备的反应腔中；      （4）向反应腔中通入氢气；     （5）启动化学气相沉积设备产生等离子球，启动化学气相沉积设备中的加热电源对衬底基片进行加热；     （6）衬底基片预热至500~900℃，通入碳源气体，石墨烯开始直接在衬底基片上生长；     （7）待石墨烯生长完成后终止碳源气体通入，关闭化学气相沉积设备的加热电源，关闭化学气相沉积设备停止产生...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泽祥，曾愈巩，谢紫开，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51