针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路制造技术

本发明专利技术涉及微电子学中的抗辐射集成电路和CMOS图像传感器设计领域，为提出一种TDI型CMOS图像传感器的工作方式，用以针对像素的单粒子效应进行加固。为此，本发明专利技术采取的技术方案是，针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，TDI型CMOS图像传感器累加级数为3n，n＝1、2、3……，每n行像素的输出分别经过数模转换后存储于对应的存储器中，在第3n行像素读出之后，先对前n行、中间n行和后n行中各行像素的输出值分别进行累加，再将三个累加得到的和值送入三模冗余模块中进行表决，剔出异常值，累加输出；三模冗余所使用的阈值可以由用户自行设定。本发明专利技术主要应用于集成电路设计制造。

【技术实现步骤摘要】
针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路
本专利技术涉及微电子学中的抗辐射集成电路和CMOS图像传感器设计领域，尤其涉及使用电路设计的方法对TDI型图像传感器进行抗辐射加固技术背景时间延迟积分型(Time-Delay-Integration，TDI)CMOS图像传感器使用线阵或面阵感光阵列，相对于被拍摄物体以一个固定的相对速度移动，将拍摄物体相同部位的像素的输出信号进行累加以获得图像。图1所示的是3级累加的累加时序，图1中的标号代表各像素行的行号，在时间上，各像素行循环执行曝光和读出；TL表示TDI型CMOS图像传感器的渡越时间，其值等于相邻两行像素的中心距除以被拍摄物体相对图像传感器运动的速度。图1中，第1、2、3行像素在间隔TL的时刻分别输出的数据(图中灰色部分所示)将被累加输出。TDI型图像传感器的累加输出方式，使其适合于在低光照条件下进行拍摄，并且所获得的图像的信噪比随着累加级数的增加而提高。目前，TDI型图像传感器被广泛应用于航天拍摄、对地成像和工业检测等领域中。CMOS图像传感器使用反偏PN结形成的光电二极管进行光电转换，这种感光单元本身对入射粒子引起的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，其特征是，TDI型CMOS图像传感器累加级数为3n，n＝1、2、3……，每n行像素的输出分别经过数模转换后存储于对应的存储器中，在第3n行像素读出之后，先对前n行、中间n行和后n行中各行像素的输出值分别进行累加，再将三个累加得到的和值送入三模冗余模块中进行表决，剔出异常值，累加输出；三模冗余所使用的阈值可以由用户自行设定。

【技术特征摘要】
1.一种针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，其特征是，TDI型CMOS图像传感器累加级数为3n，n＝1、2、3……，每n行像素的输出分别经过数模转换后存储于对应的存储器中，在第3n行像素读出之后，先对前n行、中间n行和后n行中各行像素的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚素英，李渊清，徐江涛，史再峰，高静，聂凯明，高志远，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12