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本发明涉及微电子学中的抗辐射集成电路和CMOS图像传感器设计领域，为提出一种TDI型CMOS图像传感器的工作方式，用以针对像素的单粒子效应进行加固。为此，本发明采取的技术方案是，针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，TDI...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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