本发明专利技术提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括多个第一像素单元与多个第二像素单元，所述第一像素单元与所述第二像素单元交错排列；所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收第一脉冲信号，所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第二输入端接收第二脉冲信号，而所述第二像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收所述第二脉冲信号，所述第二像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第二输入端接收所述第一脉冲信号,所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号互为反相,以控制所述第一像素单元与所述第二像素单元交替驱动。通过本发明专利技术实施例,可提高能量利用效率,延长像素单元的寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板【
】本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种阵列基板及显示面板。【
技术介绍
】相比传统的液晶面板，AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)显示面板具有反应速度快、高对比度度与广视角等优点。因此AMOLED是显示器研发业者逐渐关注的技术。发光二极管(LED，0LED，等)中，尤其OLED是通过驱动晶体管在饱合状态时产生的电流来驱动发光的。目前，OLED面临许多问题，其中，最主要的是OLED的老化问题。因为现有技术中，大部分都是通过直流进行OLED的驱动。空穴(未图示)与电子(未图示)的传输方向是固定不变的，他们分别从正负极进入一发光层(未图示)，在发光层中形成激子，接着辐射发光。其中，部分未参与发光的空穴或电子可能会累积在一空穴传输层与所述发光层(未图示)(或一电子传输层与所述发光层)的界面者流入OLED中。参考图1，现有技术中阵列基板的一子像素单元的细部结构示意图。一子像素单元10包括数据线19、栅极线18、驱动源16、接地点15与子像素单元23。所述每一子像素单元10还包括发光 二极管17与所述驱动电路24。所述驱动电路还包括每一驱动电路240包括第一驱动晶体管11，第二驱动晶体管12与存储电容25。也就是说，随着OLED使用时间增加，发光层与所述空穴传输层(或所述电子传输层)的界面累积许多空穴或电子，进而在OLED内部形成一内建电场，使OLED的一阀值电压逐渐升高、发光亮度逐渐降低与电力使用效率逐渐降低。【
技术实现思路
】本专利技术的一目的在于提供一种阵列基板，可提高能量利用效率，延长像素单元的 口卩。O为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个第一像素单元与多个第二像素单元，所述第一像素单元与第二像素单元交错排列；其中所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收第一脉冲信号时，所述第一像素单元的每个子像素单元的的驱动电路的第二输入端会接收第二脉冲信号。所述第二像素单元的驱动电路的第一输入端接收所述第二脉冲信号时，所述第二像素单元的每个子像素单元的的驱动电路的第二输入端会接收所述第一脉冲信号，所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号互为反相，以控制所述第一像素单元与所述第二像素单元交替驱动。优选地，每一所述驱动电路包括第一驱动晶体管、第二驱动晶体管、第三驱动晶体管、第四驱动晶体管与存储电容；每一所述子像素单元还包括发光二极管，所述发光二极管具有第一端与第二端，所述发光二极管的第一端耦接至驱动源；所述第一驱动晶体管的栅极耦接至其中栅极线，所述第一驱动晶体管的第一端耦接至所述第三驱动晶体管的第二端；所述第二驱动晶体管的第一端耦接至所述发光二极管的第二端，所述第二驱动晶体管的第二端耦接至所述接地点；所述第三驱动晶体管的第一端耦接至数据线；所述第四驱动晶体管的第一端与第二端分别耦接至所述存储电容的两端，所述第四驱动晶体管的第二端耦接至所述接地点；所述第二驱动晶体管的栅极耦接至所述第一驱动晶体管的第二端与所述第四驱动晶体管的第一端；所述像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端为所述第三驱动晶体管的栅极；所述像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第二输入端为所述第四驱动晶体管的栅极。优选地，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的周期分别为帧周期。优选地，所述发光二极管为有机发光二极管。优选地，所述第一驱动晶体管的第一端为源极，所述第一驱动晶体管的第二端为漏极。 优选地，所述第二驱动晶体管的第一端为源极，所述第二驱动晶体管的第二端为漏极。优选地，所述第三驱动晶体管的第一端为源极，所述第三驱动晶体管的第二端为漏极。优选地，所述第四驱动晶体管的第一端为源极，所述第四驱动晶体管的第二端为漏极。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包含上述阵列基版。本专利技术实施例通过互为反相的第一脉冲信号和第二脉冲信号控制第一像素单元与第二像素单元交替驱动，可提高能量利用效率，延长像素单元的寿命。【【附图说明】】图1，现有技术中阵列基板的一子像素单元的细部结构示意图。图2，绘示一种本专利技术的发光二极管阵列。图3，绘示图2中一子像素单元的细部结构示意图。图4，绘示本专利技术第一脉冲信号与第二脉冲信号的时序图。图5，绘示本专利技术发光二极管阵列的驱动效果示意图。【【具体实施方式】】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。参考图2，绘示一种本专利技术的发光二极管阵列200。参考图3，绘示图2中子像素单元100r，IOOg, IOOb (后续以100为代表)的细部结构示意图。一有源矩阵有机发光二极管阵列200，包括多个像素单元230a, 230b,多个数据线180，180a, 180b, 180c, 180d, 180e (后续以180为代表)，多个栅极线190，190a, 190b, 190c, 190d(后续以190为代表)，驱动源160以及接地点150。所述多个像素单元230a，230b包括多个第一像素单元230a与多个第二像素单元230b，所述第一像素单元230a与第二像素单元230b交错排列。每一像素单元230a，230b包括至少一子像素单元100。每一子像素单元100包括发光二极管170与驱动电路240。每一驱动电路240包括第一驱动晶体管110，第二驱动晶体管120，第三驱动晶体管130，第四驱动晶体管140，与存储电容250。每个驱动晶体管有栅极，第一端与第二端。所述每个驱动晶体管的第一端为源极，所述每个驱动晶体管的第二端为漏极。所述发光二极管170的第一端耦接至所述驱动源160。所述第三驱动晶体管130的第一端耦接至数据线180。所述第一驱动晶体管110的栅极偶接至栅极线190。所述第一驱动晶体管110的第一端耦接至所述第三驱动晶体管130的第二端。所述第四驱动晶体管140的第一端与第二端分别耦接至所述存储电容250的两端。所述第四驱动晶体管140的第二端耦接至一接地点150。所述第二驱动晶体管120的栅极耦接至所述第一驱动晶体管110的第二端与所述第四驱动晶体管140的第一端。所述第二驱动晶体管120的第一端耦接至所述发光二极管170的第二端。所述第二驱动晶体管120的第二端耦接至所述接地点150。第一像素单元230a的每个子像素单元100的驱动电路240的第一输入端接收第一脉冲信号210，而第二像素单元230b的每个子像素单元100的驱动电路的第一输入端分别接第二脉冲信号220。第一像素单元230a的每个子像素单元100的驱动电路的第二输入端接收所述第二脉冲信号220，而第二像素单元230b的每个子像素单元100的驱动电路的第二输入端接收所述第一脉冲信号210。所述像素单元230a，230b的每个子像素单元100的驱动电路240的第一输入端即为所述第三驱动晶体管130的栅极；所述像素单元230a, 230b的每个子像素单元100的驱动电路240的第二输入端即为所述第四驱动晶体管140本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个第一像素单元与多个第二像素单元，所述第一像素单元与所述第二像素单元交错排列；其中所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收第一脉冲信号，所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第二输入端接收第二脉冲信号，而所述第二像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收所述第二脉冲信号，所述第二像素单元的每个子像素单元的的驱动电路的第二输入端接收所述第一脉冲信号,所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号互为反相,以控制所述第一像素单元与所述第二像素单元交替驱动。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个第一像素单元与多个第二像素单元，所述第一像素单元与所述第二像素单元交错排列；其中 所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收第一脉冲信号，所述第一像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第二输入端接收第二脉冲信号，而所述第二像素单元的每个子像素单元的驱动电路的第一输入端接收所述第二脉冲信号，所述第二像素单元的每个子像素单元的的驱动电路的第二输入端接收所述第一脉冲信号，所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号互为反相，以控制所述第一像素单元与所述第二像素单元交替驱动。2.根据权利要求1的阵列基板，其特征在于，每一所述驱动电路包括第一驱动晶体管、第二驱动晶体管、第三驱动晶体管、第四驱动晶体管与存储电容； 每一所述子像素单元还包括发光二极管，所述发光二极管具有第一端与第二端，所述发光二极管的第一端耦接至驱动源； 所述第一驱动晶体管的栅极耦接至其中栅极线，所述第一驱动晶体管的第一端耦接至所述第三驱动晶体管的第二端； 所述第二驱动晶体管的第一端耦接至所述发光二极管的第二端，所述第二驱动晶体管的第二端耦接至所述接地点； 所述第三驱动晶体管的第一端耦接至数据线； 所述第四驱动晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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