薄膜晶体管阵列面板制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管（TFT）阵列面板及其制造方法。可以形成触孔接以暴露设置在TFT阵列面板的基板上的焊盘。连接构件的第一层用与第一场产生电极相同的层形成且设置在接触孔中。第二钝化层设置在TFT阵列面板中，但是在形成接触孔的区域被去除并且第二钝化层的覆盖连接构件的第一层的部分被去除。连接构件的第二层形成在连接构件的第一层上。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列面板
本专利技术的示范性实施例涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器(IXD)是最广泛使用的平板显示器之一。IXD具有两个显示面板以及插设在这两个面板之间的液晶层，诸如像素电极和公共电极的场产生电极形成在这两个显示面板上。电压施加到场产生电极以在液晶层中产生电场。液晶层中的液晶分子的排列由电场决定。因此，入射光的偏振被控制以在IXD中显示图像。在液晶层中产生电场的像素电极和公共电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板上。此外，在IXD中，可以形成焊盘部分以将驱动电路连接到IXD的场产生电极从而施加栅极电压和数据电压。如果LCD中的钝化层的厚度不正常地大，则暴露焊盘部分的接触孔的高度会很大，使得连接驱动电路和焊盘部分的连接构件可能断开。连接构件可以形成在由接触孔暴露的焊盘部分上。在某些情况下，凸块也可以设置在连接构件和驱动电路之间以将驱动信号从驱动电路传输到焊盘部分。如果接触孔的高度增加，则难以使凸块接触接触孔中的连接构件和驱动电路。因此，驱动信号不能被正常地传输。 此外，随着LCD的分辨率增加，焊盘部分之间的间隔变得较窄，使得形成在接触孔上的连接构件之间的间隔也变窄。因此，当在用于形成连接构件的曝光工艺中部分地产生错误时，相邻的连接构件可能被连接，使得期望大小的驱动信号不能被传输到焊盘。在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术的
技术介绍
的理解，因此它可能包含不形成本领域的普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，其减小信号线的焊盘单元与连接构件之间的高度差以易于连接焊盘单元和连接构件，降低暴露焊盘的接触孔的高度以利用凸块接触驱动电路，并在高分辨率液晶显示器中防止形成在焊盘上的相邻连接构件之间的不必要的接触。本专利技术的其它特征将在以下的描述中阐述，并将部分地从该描述而变得明显，或者可以通过本专利技术的实施而掌握。本专利技术的示范性实施例公开了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板；栅极线和栅极焊盘，设置在基板上；栅极绝缘层，设置在栅极线和栅极焊盘上；数据线和数据焊盘，设置在栅极绝缘层上；第一钝化层，设置在数据线和数据焊盘上；有机层，设置在第一钝化层上；第一场产生电极，设置在有机层上；以及第二钝化层，设置在第一场产生电极上。有机层设置在包括栅极焊盘的第一区域中。有机层设置在包括数据焊盘的第二区域中。第二钝化层不设置在第一区域和第二区域中。栅极绝缘层、第一钝化层和有机层可以具有暴露栅极焊盘的第一接触孔，并且薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在通过第一接触孔暴露的栅极焊盘上的第一连接构件。薄膜晶体管阵列面板还可以包括设置在第二钝化层上的第二场产生电极，并且第一连接构件可以包括用与第一场产生电极相同的层形成的下层以及用与第二场产生电极相同的层形成的上层。有机层可以具有与第一连接构件的下层重叠的第一部分以及不与第一连接构件的下层重叠的第二部分，并且有机层的第一部分的高度可以高于有机层的第二部分的高度。第一场产生电极和第二场产生电极中的一个可以具有板状，并且另一个可以包括分支电极。第一钝化层和有机层可以具有暴露数据焊盘的第二接触孔，并且薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在通过第二接触孔暴露的数据焊盘上的第二连接构件。薄膜晶体管阵列面板还可以包括设置在第二钝化层上的第二场产生电极，并且第一连接构件可以包括用与第一场产生电极相同的层形成的下层以及用与第二场产生电极相同的层形成的上层。有机层可以具有与第二连接构件的下层重叠的第三部分以及不与第二连接构件的下层重叠的第四部分，并且有机层的第三部分的高度可以高于有机层的第四部分的高度。本专利技术的示范性实施例还公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括:在基板上形成栅极线和栅极焊盘；在栅极线和栅极焊盘上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和数据焊盘；在数据线和数据焊盘上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成有机层；在有机层上形成第一场产生电极；以及在第一场产生电极上形成第二钝化层。形成第二钝化层包括在其中形成栅极焊盘的第一区域以及其中形成数据焊盘的第二区域中去除第二钝化层。形成有机层包括在第一区域和第二区域中形成有机层。薄膜晶体管阵列面板的制造方法还可以包括:在栅极绝缘层、第一钝化层和有机层中形成暴露栅极焊盘的第一接触孔以及在通过第一接触孔暴露的栅极焊盘上形成第一连接构件。薄膜晶体管阵列面板的制造方法还可以包括在第二钝化层上形成第二场产生电极，并且形成第一连接构件可以包括在形成第一场产生电极的同时形成第一连接构件的下层以及在形成第二场产生电极的同时形成第一连接构件的上层。在其中设置栅极焊盘和数据焊盘的区域中去除第二钝化层时，可以去除有机层的不与第一连接构件的下层重叠的部分。第一场产生电极和第二场产生电极中的一个可以形成为板状，并且另一个可以由分支电极形成。薄膜晶体管阵列面板的制造方法还可以包括在第一钝化层和有机层中形成暴露数据焊盘的第二接触孔以及在通过第二接触孔暴露的数据焊盘上形成第二连接构件。薄膜晶体管阵列面板的制造方法还可以包括在第二钝化层上形成第二场产生电极，并且形成第二连接构件可以包括在形成第一产生电极的同时形成第二连接构件的下层以及在形成第二产生电极的同时形成第二连接构件的上层。在其中设置栅极焊盘和数据焊盘的区域中去除第二钝化层时，可以去除有机层的不与第二连接构件的下层重叠的部分。应当理解，之前的总体性描述和下面的详细描述都是示范性和说明性的，并旨在提供如要求保护的本专利技术的进一步说明。【附图说明】附图被包括以提供本专利技术的进一步理解，并被并入本说明书中且构成其一部分，附图示出本专利技术的示范性实施例，并与文字描述一起用于说明本专利技术的原理。图1是根据本专利技术示范性实施例的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图2是根据本专利技术示范性实施例的图1的薄膜晶体管阵列面板沿线I1-1I剖取的截面图。图3是根据本专利技术示范性实施例的图1的薄膜晶体管阵列面板沿线II1-1II剖取的截面图。图4是根据本专利技术示范性实施例的图1的薄膜晶体管阵列面板沿线IV-1V剖取的截面图。图5、图9和图13是根据本专利技术示范性实施例的、根据薄膜晶体管阵列面板的制造方法的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图6、图7和图8是根据本专利技术示范性实施例的图5的薄膜晶体管阵列面板分别沿线V1-V1、VI1-VII和VII1-VIII剖取的截面图。图10、图11和图12是根据本专利技术示范性实施例的图9的薄膜晶体管阵列面板分别沿线X-X、X1-XI和XI1-XII剖取的截面图。图14、图15和图16是根据本专利技术示范性实施例的图5的薄膜晶体管阵列面板分别沿线XIV-XIV、XV-XV和XV1-XVI剖取的截面图。图17和图18是示出根据本专利技术示范性实施例的、根据薄膜晶体管阵列面板的制造方法的一部分制造工艺的截面图。图19和图20是示出根据本专利技术示范性实施例的、根据薄膜晶体管阵列面板的制造方法的一部分制造工艺的截面图。图21是根据本专利技术示范性实施例的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图22是根据本专利技术示范性实施例的图21的薄膜晶体管阵列面板沿线XXI1-XXII剖取的截面图。图23是根据本专利技术示范性实施例的图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；栅极线和栅极焊盘，设置在所述基板上；栅极绝缘层，设置在所述栅极线和所述栅极焊盘上；数据线和数据焊盘，设置在所述栅极绝缘层上；第一钝化层，设置在所述数据线和所述数据焊盘上；有机层，设置在所述第一钝化层上；第一场产生电极，设置在所述有机层上；以及第二钝化层，设置在所述第一场产生电极上，其中所述有机层设置在包括所述栅极焊盘的第一区域中，并且所述有机层设置在包括所述数据焊盘的第二区域中，并且其中所述第二钝化层不设置在所述第一区域和所述第二区域中。

【技术特征摘要】
2013.01.25 KR 10-2013-00086361.一种薄膜晶体管阵列面板，包括: 基板； 栅极线和栅极焊盘，设置在所述基板上； 栅极绝缘层，设置在所述栅极线和所述栅极焊盘上； 数据线和数据焊盘，设置在所述栅极绝缘层上； 第一钝化层，设置在所述数据线和所述数据焊盘上； 有机层，设置在所 述第一钝化层上； 第一场产生电极，设置在所述有机层上；以及 第二钝化层，设置在所述第一场产生电极上， 其中所述有机层设置在包括所述栅极焊盘的第一区域中，并且所述有机层设置在包括所述数据焊盘的第二区域中，并且 其中所述第二钝化层不设置在所述第一区域和所述第二区域中。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括: 第一接触孔，在所述栅极绝缘层、所述第一钝化层和所述有机层中，所述第一接触孔暴露所述第一区域中的所述栅极焊盘；以及 第一连接构件，设置在所述栅极焊盘上并在所述第一接触孔中。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括: 第二场产生电极，设置在所述第二钝化层上， 其中所述第一连接构件包括用与所述第一场产生电极相同的层形成的下层以及用与所述第二场产生电极相同的层形成的上层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中: 所述有机层包括与所述第一连接构件的下层重叠的第一部分和不与所述第一连接构件的下层重叠的第二部分，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴廷敏，朴成均，李政洙，金智贤，田俊，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR