倒置的无衬底芯片上的光学器件制造技术

一种混合集成模块(100)包括面对面地机械耦合到其中衬底已被除去的集成器件(116)的半导体裸片(110)。例如，集成电路可以包括传送光信号的光波导(136)，该光波导在其中背侧的硅衬底或分选机(handler)已被完全除去的绝缘体上硅(SOI)晶片上制造。而且，光学器件(134)可以位于集成器件中氧化物层(126)(诸如掩埋的氧化物层)的底表面(130)上，并且集成器件(116)中的几何形状和材料可以选择和/或被限定成使得光信号渐逝地耦合在光波导(136)和光学器件(134)之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种混合集成模块(100)包括面对面地机械耦合到其中衬底已被除去的集成器件(116)的半导体裸片(110)。例如，集成电路可以包括传送光信号的光波导(136)，该光波导在其中背侧的硅衬底或分选机(handler)已被完全除去的绝缘体上硅(SOI)晶片上制造。而且，光学器件(134)可以位于集成器件中氧化物层(126)(诸如掩埋的氧化物层)的底表面(130)上，并且集成器件(116)中的几何形状和材料可以选择和/或被限定成使得光信号渐逝地耦合在光波导(136)和光学器件(134)之间。【专利说明】倒置的无衬底芯片上的光学器件专利技术人:Ivan Shubin, John E.Cunningham 和 Ashok V.Krishnamoorthy政府许可权本专利技术是依照由DARPA授予的协议N0.HROOl 1-08-9-0001在政府支持下进行的。支付拥有本专利技术中的某些权利。
本公开内容涉及混合集成模块，该模块包括机械耦合到集成器件的半导体裸片，其中，该集成器件中衬底已被除去，并且其中，光学器件位于集成器件的背表面上。
技术介绍
绝缘体上硅(SOI)技术常常用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合集成模块，包括：具有顶表面的半导体裸片；机械耦合到所述半导体裸片的顶表面的粘合剂；及集成器件，其中该集成器件包括：具有顶表面、底表面和厚度的半导体层，其中所述半导体层的顶表面机械地耦合到所述粘合剂，并且其中所述半导体层包括配置为传送光信号的光波导；具有顶表面、底表面和厚度的氧化物层，其中所述氧化物层的顶表面位于所述半导体层的底表面上；及位于所述氧化物层的底表面上的光学器件，其中所述半导体层的厚度和所述氧化物层的厚度被限定成使得所述光信号渐逝地耦合在所述光波导和光学器件之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·舒彬，J·E·坎宁安，A·V·克里什纳莫西，
申请(专利权)人：甲骨文国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US