增强发射强度稳定性的LED发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种增强辐射强度稳定性的LED发光装置。根据本发明专利技术的LED发光装置包括：LED发光块，该LED发光块连接到整流电压并且具有至少一个LED模块，其中，在至少一个LED模块的阴极端子形成有分接头；波动基准电压生成块，其检测整流电压以生成波动基准电压，其中该波动基准电压具有基于整流电压的有效值的电压电平；以及开关块，该开关块连接到该分接头以组成包括至少一个LED模块直到分接头的闭合电路的方式进行驱动，其中在该闭合电路中流过的电流由该波动基准电压控制并且被控制成与整流电压的有效值具有负相关。根据本发明专利技术的LED发光装置，解决了由输入功率的不稳定性而导致的亮度均匀性的降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了一种增强辐射强度稳定性的LED发光装置。根据本专利技术的LED发光装置包括：LED发光块，该LED发光块连接到整流电压并且具有至少一个LED模块，其中，在至少一个LED模块的阴极端子形成有分接头；波动基准电压生成块，其检测整流电压以生成波动基准电压，其中该波动基准电压具有基于整流电压的有效值的电压电平；以及开关块，该开关块连接到该分接头以组成包括至少一个LED模块直到分接头的闭合电路的方式进行驱动，其中在该闭合电路中流过的电流由该波动基准电压控制并且被控制成与整流电压的有效值具有负相关。根据本专利技术的LED发光装置，解决了由输入功率的不稳定性而导致的亮度均匀性的降低。【专利说明】增强发射强度稳定性的LED发光装置
本专利技术涉及发光二极管(LED)照明装置。更具体地说，本专利技术涉及根据输入交流电压的变化增强光量稳定性的LED照明装置。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode:LED)器件是一种复合半导体,是由于被施加电压而发光的器件。LED器件的大小小、寿命长并且电能转换成光能的转换效率高。因此，利用LED器件的LED照明装置逐渐代替白炽灯和荧光灯。在LED照明装置中，重要的是不论输入电压的均方根(RMS:root mean square)的变化如何，都维持恒定的光量，以便维持恒定的光强度。这里，确定LED照明装置的光量的电功率与所施加电压的RMS值(Vrms)和流过闭合电路的电流的RMS值(Irms)的乘积成比例。同时，与所施加电压的RMS值无关，在现有的LED照明装置中形成的闭合电路的电阻分量都恒定。因此，当所施加电压的RMS值变化时，流过闭合电路的电流的RMS值变化，与所施加电压的RMS值具有正关系。因此，在现有的LED照明装置中，当所施加电压不稳定时，明显降低了 LED照明装置的功率的稳定性，从而降低了光量的稳定性，并且由此降低了光强度的均匀性。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是解决现有的LED照明装置的问题，并且提供一种减少因输入交流电压的不稳定性而导致的光量的不稳定性的发光二极管(LED)照明装置。技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光二极管(LED)照明装置。该LED照明装置包括LED发光块，该LED发光块连接到整流电压并且包括至少一个LED模块；交流基准电压生成块，该交流基准电压生成块被构造成检测所述整流电压并且生成交流基准电压；以及开关块，该开关块连接到分接头并且被构造成形成包括所述至少一个LED模块的闭合电路。所述至少一个LED模块包括具有分接头的阴极端子。所述交流基准电压具有与所述整流电压的均方根(RMS)值对应的电压电平。流过所述闭合电路的电流的量受所述交流基准电压控制，以与所述整流电压的所述RMS值具有负关系。有益效果在根据本专利技术的实施方式的发光二极管(LED)照明装置中，减少了因输入功率的不稳定性而导致的光均匀性的下降。【专利附图】【附图说明】将参照附图更好地理解本专利技术，附图中:图1是示出根据本专利技术的实施方式的发光二极管(LED)照明装置的图；图2是用于描述图1的整流电压VREC与交流基准电压之间的关系的图；图3是详细示出图1的驱动电压生成器的图；图4是详细示出图1的交流基准电压生成器的图；以及图5是详细示出图1的第一开关的图。【具体实施方式】此处公开本专利技术的示例性实施方式。然而，本文公开的具体结构和功能细节仅是为了描述本专利技术的示例性实施方式的目的，由此本专利技术的示例性实施方式可以以许多可替换形式具体实施，并且不应当解释为限于本文所阐述的本专利技术的示例性实施方式。本说明书通篇将使用相同的附图标记来指相同的组件。另外，为了清楚和简洁，可以省略已知功能和构造的描述。下文中，将参照示出了一些实施方式的附图更全面地描述各种实施方式。图1是示出根据本专利技术的实施方式的发光二极管(LED)照明装置的图。参照图1，根据本专利技术的实施方式的LED照明装置包括LED发光块100、交流基准电压生成块200和开关块300。LED发光块100连接到从整流器块GPW生成的整流电压VREC。优选的是，整流器块GPW包括交流电流源MSAC和整流器MRC。交流电流源MSAC提供交流电压VAC。这里，交流电流源MSAC可以是自生成器或从外部源(如家庭电源)接收电压并且提供交流电压VAC的装置。整流器MRC对交流电压VAC进行整流，以提供整流电压VREC。这里，整流电压VREC随时间变化。优选的是，整流器MRC是全波整流器，该全波整流器将整个范围的交流电压VAC整流成沿相同方向的电压，以提供整流电压VREC。S卩，交流电压VAC的负㈠电压被整流为整流电压VREC的正⑴电压。更优选的是，整流器MRC是桥式整流器。进一步参照图1，LED发光块100包括单个LED模块或多个LED模块。在本实施方式中，LED发光块100示例性地包括串联连接的两个LED模块MDl和MD2。LED模块MDl和MD2各由至少一个LED器件形成并且受整流电压VREC控制，以发光。这里，在LED模块MDl与MD2之间和最后一个LED模块MD2的阴极端子处分别形成分接头TPl和TP2。交流基准电压生成块200检测整流电压VREC，以生成交流基准电压VRC。这里，交流基准电压VRC具有与整流电压VREC的均方根(RMS)值对应的电压电平。在本实施方式中，如图2所示，交流基准电压VRC的电压电平与整流电压VREC的RMS值具有负(-)关系。优选的是，交流基准电压生成块200包括驱动电压生成器210和交流基准电压生成器230。驱动电压生成器210检测整流电压VREC，以生成驱动电压VDR。这里，驱动电压VDR的电平与整流电压VREC的RMS值具有正(+)关系。图3是详细示出图1的驱动电压生成器210的图。参照图3，驱动电压生成器210优选地包括存储电压生成单元211和驱动电压生成单元213。存储电压生成单元211包括存储二极管DST和电容器CST，并且生成存储电压VST。存储二极管DST使电流根据整流电压VREC沿由箭头(一)表示的一个方向流动。另外，电容器CST根据流过存储二极管DST的电流存储电荷。在这种情况下，存储电压VST可以具有与电容器CST中的存储电荷对应的电平。因此，存储电压VST可以具有与整流电压VREC的RMS值具有正(+)关系的电平。驱动电压生成单元213驱动具有与存储电压VST对应的电压电平的驱动电压VDR。这里，驱动电压VDR可以具有与存储电压VST具有正(+)关系的电平。优选的是，驱动电压生成单元213包括补偿二极管DCM，该补偿二极管DCM被操作以补偿在存储电压生成单元211的存储二极管DST中出现的电压降。更优选的是，驱动电压生成单元213包括放大器213a、M0S晶体管213b、补偿二极管DCM和电阻器213c。放大器213a利用反相输入端子(-)接收存储电压VST，利用非反相输入端子(+)接收反馈电压VFB，并且输出放大电压VAM。MOS晶体管213b由放大电压VAM选通，具有连接到电源电压的源端子，并且优选地由PMOS晶体管实现。补偿二极管DCM形成在MOS晶体管213b的漏端子与反馈电压VFB之间，并且优选地具有与存储二极管DST相同的阈值电压。另夕卜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管LED照明装置，该发光二极管LED照明装置包括：LED发光块，该LED发光块连接到整流电压并且包括至少一个LED模块，其中，所述至少一个LED模块包括具有分接头的阴极端子；交流基准电压生成块，该交流基准电压生成块被构造成检测所述整流电压并且生成交流基准电压，其中，所述交流基准电压具有与所述整流电压的均方根RMS值对应的电压电平；以及开关块，该开关块连接到所述分接头并且被构造成形成包括所述至少一个LED模块的闭合电路，其中，流过所述闭合电路的电流的量受所述交流基准电压控制，以与所述整流电压的所述RMS值具有负关系。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩在德，
申请(专利权)人：株提尔爱，
类型：发明
国别省市：韩国;KR