一种气化反应装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于一种气化反应装置，包括压力壳、气化片、气孔、雾化器，气化片设置在压力壳上，气化片上阵列设有气孔，压力壳进气端设有雾化器。本发明专利技术与现有技术相比具有气化速度快，结构简单，生产成本低，使用寿命长，便于维护，气化产生的工质气体气压大。

【技术实现步骤摘要】
一种气化反应装置
本专利技术属于加热气化装置领域，尤其是将液态有机工质气化成气态的气化反应装置。
技术介绍
热能传递通常借助有机工质(导热介质)进行，有机工质具有低沸点、高压力的特性，被利用在有机朗肯循环代替水蒸汽，在蒸发器中气化，在汽轮机中进行膨胀做功；如CN201310674641.0中介绍的蒸发器是在导热管中增加片状散热片(翅片)进行气化吸热，应用在冰箱中制冷，但是还存在气化速度慢，气化后的气体压力不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术对有机工质气化速度慢，气化后的气体气压不高的技术问题，提供一种结构简单、能快速气化有机工质、产生高压气体的气化反应装置。本专利技术采用的技术方案是，一种气化反应装置，包括压力壳、气化片、气孔、雾化器，气化片设置在压力壳上，气化片上阵列设有气孔，压力壳进气端设有雾化器。进一步，所述压力壳内设有至少一层气化片。进一步，所述气化片间隙分布。进一步，所述间隙分布的气化片间隙距离为l_15mm。进一步，所述间隙分布的气化片上的气孔交错分布。进一步，压力壳内设有三层间隙分布的气化片；所述三层间隙分布的气化片间隙距离为l_15mm。进一步，所述气孔大小设置是上一层气化片上的气孔是相邻下一层气化片上的气孔直径一半。进一步，上述压力壳间隙设置三层气化片。进一步，所述第一层气化片上的气孔是第二层气化片上的气孔直径一半；第二层气化片上的气孔是第三层气化片上的气孔直径一半。进一步，所述第一层气化片上的气孔直径为1-1Omm ;所述第二层气化片上的气孔直径为2-20mm ;所述第三层气化片上的气孔直径为4_40mm。进一步，所述气化片的厚度为0.15_15mm。进一步，所述气化片最后一层下方的压力壳出气端开口。进一步，所述气化片上设有导热管，导热管成S型分布或者直列分布在气化片上。进一步，所述气化片是金属导热材料制成；所述压力壳是金属导热材料制成。有机工质通过压力壳进气端上的雾化器雾化，进入到第一层气化片，热能通过压力壳和气化片使雾化的有机工质快速气化，雾化气和气态有机工质进入到第二层气化片继续气化，形成一定气压后进入到第三层气化片继续气化增压排除。由于第一层至第三层的气孔直径逐级增大，气态有机工质膨胀速度逐级加快，气压逐渐增大。本专利技术与现有技术相比具有气化速度快，结构简单，生产成本低，使用寿命长，便于维护，气化产生的工质气体气压大。【附图说明】图1是本专利技术的剖视图； 图2是本专利技术气化片结构示意图； 图3是本专利技术第一层气化片和第二层气化片上的气孔分布图； 图4是本专利技术导热管分布图； 图5是本专利技术导热管分布图； 图中1.压力壳2.气化片3.气孔4.雾化器5.导热管6.调节阀。【具体实施方式】[0021 ] 参照附图，详细说明本专利技术的实施方式。实施例1 一种气化反应装置，包括压力壳1、气化片2、气孔3、雾化器4，气化片2设置在压力壳I上，气化片2上阵列设有气孔3，三层气化片2间隙设置在压力壳I上，压力壳I进气端设有雾化器4 ;压力壳I内设有三层间隙分布的气化片2 ;三层间隙分布的气化片2间隙距离为Imm ;第一层气化片2上的气孔是第二层气化片2上的气孔直径一半；第二层气化片2上的气孔是第三层气化片2上的气孔直径一半；第一层气化片2-1上的气孔直径为Imm ;第二层气化片2-2上的气孔直径为2mm ;第三层气化片2_3上的气孔直径为4mm ;气化片2厚度是 0.25mm。实施例2 上述实施例1中三层间隙分布的气化片2间隙距离为1.5mm ;第一层气化片2上的气孔是第二层气化片2上的气孔直径一半；第二层气化片2上的气孔是第三层气化片2上的气孔直径一半；第一层气化片2-1上的气孔直径为Imm ;第二层气化片2_2上的气孔直径为2mm ;第三层气化片2-3上的气孔直径为4mm，；气化片2厚度是0.25mm。实施例3 上述实施例1或2中三层间隙分布的气化片2间隙距离为2mm ;第一层气化片2上的气孔是第二层气化片2上的气孔直径一半；第二层气化片2上的气孔是第三层气化片2上的气孔直径一半；第一层气化片2-1上的气孔直径为1.5mm ;第二层气化片2_2上的气孔直径为3mm ;第三层气化片2-3上的气孔直径为6mm ;气化片2厚度是0.5mm ;气化片2上设有导热管5 ;气化片2是金、银、铜或者合金制成的片状；压力壳2是耐压力的不锈钢材质制成。实施例4 上述实施例3中三层间隙分布的气化片2间隙距离为2.5mm ;第一层气化片2上的气孔是第二层气化片2上的气孔直径一半；第二层气化片2上的气孔是第三层气化片2上的气孔直径一半；第一层气化片2-1上的气孔直径为2mm ;第二层气化片2_2上的气孔直径为4mm ;第三层气化片2-3上的气孔直径为8臟，；气化片2厚度是1mm。实施例5 上述气化反应装置，压力壳I内设置一层气化片2，气孔3直径为10mm，气化片2与雾化器4间隙为15mm，气化片2厚度是5mm或IOmm或15mm。实施例6上述气化反应装置，压力壳I内设有大于三层间隙分布的气化片2 ;气化片2厚度是0.15mm ;气化片2间隙距离为3.5mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气化反应装置，包括压力壳、气化片、气孔、雾化器，气化片设置在压力壳上，气化片上阵列设有气孔，压力壳进气端设有雾化器。

【技术特征摘要】
1.一种气化反应装置，包括压力壳、气化片、气孔、雾化器，气化片设置在压力壳上，气化片上阵列设有气孔，压力壳进气端设有雾化器。2.如权利要求1所述气化反应装置，其特征是，所述压力壳内设有至少一层气化片；所述气化片间隙分布。3.如权利要求2所述气化反应装置，其特征是，所述间隙分布的气化片间隙距离为4.如权利要求2或3所述气化反应装置，其特征是，所述间隙分布的气化片上的气孔交错分布。5.如权利要求4所述气化反应装置，其特征是，所述气孔大小设置是上一层气化片上的气孔是相邻下一层气化片上的气孔直径一半。6.如权利要求5所述气化反应装置，其特征是，所述压力壳上间隙设置三层气化片。7.如权利要求6所述气化反...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭远军，
申请(专利权)人：郭远军，
类型：发明
国别省市：湖南;43