电子元器件制造技术

本发明专利技术提供一种能抑制寄生信号产生的电子元器件。层叠体(12)通过将多个绝缘体层(18)进行层叠而构成。LC并联谐振器(LC1)设置在层叠体(12)中，且由线圈(L1)及电容器(C1)构成，从x轴方向俯视时LC并联谐振器(LC1)呈环状。电容器(C1)包含：电容器导体层(30a)，该电容器导体层(30a)与线圈(L1)的一端相连接；以及谐振接地导体层(34)，该谐振接地导体层(34)与线圈(L1)的另一端相连接，且设置在相比电容器导体层(30a)更靠近z轴方向的正方向侧，并且该谐振接地导体层(34)隔着绝缘体层(18)与电容器导体层(30a)相对。外部电极(15)设置在相比LC并联谐振器(LC1)更靠近z轴方向的负方向侧，且隔着绝缘体层(18)与电容器导体层(30a)相对。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子元器件
本专利技术涉及电子元器件，尤其涉及内置有LC并联谐振器的电子元器件。
技术介绍
作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1记载的层叠带通滤波器。该层叠带通滤波器包括层叠体及多个LC并联谐振器。层叠体通过将多个电介质层进行层叠而构成。各LC并联谐振器由电容器电极和电感器电极构成。电感器电极形成为环状。而且，各LC并联谐振器的环面彼此重合。在以上的层叠带通滤波器中，由于环面彼此重合，因此，能提高相邻的LC并联谐振器的电感器电极之间的耦合度，能实现宽频带化。然而，在专利文献1记载的层叠带通滤波器中，会产生电容器电极的自谐振。因此，在产生自谐振的频率下，层叠带通滤波器的阻抗降低，从而产生寄生信号(日语：スプリアス)(高频带中的不需要的波)。现有技术文献专利文献[0004]专利文献1：国际公开第2007/119356号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题因此，本专利技术的目的在于提供一种能抑制寄生信号产生的电子元器件。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术的一个实施方式所涉及的电子元器件包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的下侧具有安装面；第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第1线圈及第1电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第1LC并联谐振器呈环状；以及第1接地导体层，其特征在于，所述第1电容器包含：第1电容器导体层，该第1电容器导体层与所述第1线圈的一端相连接；以及第2接地导体层，该第2接地导体层与所述第1线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第1电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，并且该第2接地导体隔着所述绝缘体层与该第1电容器导体层相对，所述第1接地导体层设置在相比所述第1LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层相对。专利技术的效果根据本专利技术，能抑制寄生信号的产生。附图说明[0008]图1是本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。图3是电子元器件的等效电路图。图4是变形例1所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。图5是比较例所涉及的电子元器件的层叠体的分解立体图。图6是表示模型1的仿真结果的曲线图。图7是表示模型2的仿真结果的曲线图。图8是表示模型3的仿真结果的曲线图。图9是变形例2所涉及的电子元器件的分解立体图。具体实施方式下面对本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。(电子元器件的结构)以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本专利技术的实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。在图1及图2中，z轴方向表示层叠方向。此外，x轴方向表示沿着电子元器件10的长边的方向，y轴方向表示沿着电子元器件10的短边的方向。x轴方向、y轴方向及z轴方向彼此正交。如图1及图2所示，电子元器件10包括层叠体12、外部电极14(14a、14b)、15、连接电极16(16a、16b)、折回电极17(17a、17b)、LC并联谐振器LC1～LC3及耦合导体层36。如图2所示，层叠体12通过将由陶瓷电介质构成的绝缘体层18(18a～18j)进行层叠而构成，并呈长方体形状。此外，层叠体12在z轴方向的负方向侧具有安装面S。在将电子元器件10安装在电路基板上时，安装面S是与该电路基板相对的面。如图2所示，绝缘体层18呈长方形，例如，由陶瓷电介质构成。绝缘体层18a～18j以从z轴方向的正方向侧朝负方向侧的顺序排列并层叠。以下，将绝缘体层18的z轴方向的正方向侧的面称为表面，将绝缘体层18的z轴方向的负方向侧的面称为背面。如图1所示，外部电极14a设置在安装面S上，用作输入电极。更详细而言，外部电极14a设置在绝缘体层18j的背面上，并呈T字形。外部电极14a在绝缘体层18j的x轴方向的负方向侧的短边的中央被引出。如图1所示，外部电极14b设置在安装面S上，用作输出电极。更详细而言，在绝缘体层18j的背面上，外部电极14b设置在相比外部电极14a更靠近x轴方向的正方向侧，并呈T字形。外部电极14b在绝缘体层18j的x轴方向的正方向侧的短边的中央被引出。外部电极15(第1接地导体层及第3接地导体层)设置在安装面S上，用作接地电极。更详细而言，外部电极15设置在绝缘体层18j的背面上，并呈在y轴方向上延伸的长方形。外部电极14a和14b从x轴方向的两侧夹着外部电极15。LC并联谐振器LC1(第1LC并联谐振器)设置在层叠体12中，且由线圈L1(第1线圈)及电容器C1(第1电容器)构成。更详细而言，LC并联谐振器LC1由通孔导体v1～v11、线圈导体层20a、22a、24a、电容器导体层30a(第1电容器导体层)及谐振接地导体层34(第2接地导体层及第4接地导体层)构成，从x轴方向俯视时，LC并联谐振器LC1呈长方形的环状。线圈L1由通孔导体v1～v11及线圈导体层20a、22a、24a构成。通孔导体v1～v5分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18f，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。通孔导体v6～v11分别在z轴方向上贯通绝缘体层18b～18g，并通过彼此连接而得以构成一根通孔导体。此外，通孔导体v6～v11设置在相比通孔导体v1～v5更靠近y轴方向的负方向侧。线圈导体层20a设置在绝缘体层18b的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。线圈导体层20a的y轴方向的正方向侧的端部与通孔导体v1的z轴方向的正方向侧的端部相连接。此外，线圈导体层20a的y轴方向的负方向侧的端部与通孔导体v6的z轴方向的正方向侧的端部相连接。线圈导体层22a设置在绝缘体层18c的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层22a以与线圈导体20a相一致的状态重叠。线圈导体层22a的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v2的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v1的z轴方向的负方向侧的端部。此外，线圈导体层22a的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v7的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v6的z轴方向的负方向侧的端部。线圈导体层24a设置在绝缘体层18d的表面上，是在y轴方向上延伸的线状的导体层。从z轴方向俯视时，线圈导体层24a以与线圈导体20a、22a相一致的状态重叠。线圈导体层24a的y轴方向的正方向侧的端部连接有通孔导体v3的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v2的z轴方向的负方向侧。此外，线圈导体层24a的y轴方向的负方向侧的端部连接有通孔导体v8的z轴方向的正方向侧的端部以及通孔导体v7的z轴方向的负方向侧的端部。如上所述，线圈导体层20a、22a、24a并联连接。如上所述，线圈L1呈U字形，其以通孔导体v11的z轴方向的负方向侧的端部为一端，以通孔导体v5的z轴方向的负方向侧的端部为另一端。电容器C1由电容器导体层30a及谐振接地导体层34构成。谐振接地导体层34设置在绝缘体层18g的表面上，是覆盖绝缘体层18g的大致整个面的导体层。谐振接地导体层34与通孔导体v5的z轴方向的负方向侧的端部相连接。因此，谐振接地导体层34与线圈L1的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元器件，其特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的下侧具有安装面；第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第1线圈及第1电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第1LC并联谐振器呈环状；以及第1接地导体层，所述第1电容器包含：第1电容器导体层，该第1电容器导体层与所述第1线圈的一端相连接；以及第2接地导体层，该第2接地导体层与所述第1线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第1电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，并且该第2接地导体隔着所述绝缘体层与该第1电容器导体层相对，所述第1接地导体层设置在相比所述第1LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层相对。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.28 JP 2011-2889691.一种电子元器件，其特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的下侧具有安装面；第1LC并联谐振器，该第1LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第1线圈及第1电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第1LC并联谐振器呈环状；以及第1接地导体层，所述第1电容器包含：第1电容器导体层，该第1电容器导体层与所述第1线圈的一端相连接；以及第2接地导体层，该第2接地导体层与所述第1线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第1电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，并且该第2接地导体层隔着所述绝缘体层与该第1电容器导体层相对，所述第1接地导体层设置在相比所述第1LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第1电容器导体层相对。2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，所述电子元器件还包括：第2LC并联谐振器，该第2LC并联谐振器设置在所述层叠体中，且由第2线圈及第2电容器构成，在从与层叠方向正交的方向俯视时，该第2LC并联谐振器呈环状；以及第3接地导体层，所述第2电容器包含：第2电容器导体层，该第2电容器导体层与所述第2线圈的一端相连接；以及第4接地导体层，该第4接地导体层与所述第2线圈的另一端相连接，且设置在相比所述第2电容器导体层更靠近层叠方向的上侧，该第4接地导体层隔着所述绝缘体层与该第2电容器导体层相对，所述第3接地导体层设置在相比所述第2LC并联谐振器更靠近层叠方向的下侧，且隔着所述绝缘体层与所述第2电容器导体层相对，所述第1LC并联谐振器及所述第2LC并联谐振器通过所述第1线圈与所述第2线圈进行电磁场耦合来构成滤波器。3.如权利要求2所述的电子元器件，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：今村光利，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP