半导体集成电路和半导体模块制造技术

本实用新型专利技术提供半导体集成电路和半导体模块，其在半导体模块的异常时可靠地使开关元件断开，从而具有高可靠性。该半导体集成电路用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第1输出端与第2输出端之间的第1开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路特征在于，具有：高压侧驱动部，其与所述第1开关元件连接；低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部，所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部，所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成电路和半导体模块
本技术涉及例如用于对半导体开关元件进行驱动的半导体集成电路和半导体模块。
技术介绍
公知有将功率因数改善电路和逆变器电路密封在单个树脂封装内的以往的半导体模块(专利文献I)。以往的半导体模块包含构成功率因数改善电路的半导体元件和构成逆变器电路的半导体元件。此外，以往的半导体模块包含对功率因数改善电路和逆变器电路的开关元件进行驱动的半导体集成电路。由于以往的半导体模块集成了多个电路部件，因此有助于自身所安装的电路基板的小型化。专利文献1:日本特开2002-233165
技术实现思路
本技术提供如下的半导体集成电路和半导体模块:在半导体模块的异常时可靠地使开关元件断开，从而具有高可靠性。根据本技术的一个方式，提供一种半导体集成电路，其用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第I输出端与第2输出端之间的第I开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路的特征在于，具有:高压侧驱动部，其与所述第I开关元件连接；低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部，所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部，所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。所述高压侧驱动部具有高压侧脉冲信号输出部，该高压侧脉冲信号输出部输出基于所述高压侧内部控制信号的置位脉冲信号和复位脉冲信号。所述高压侧脉冲信号输出部具有第2高压侧逻辑部，该第2高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。所述半导体集成电路具有保护脉冲信号输出部，该保护脉冲信号输出部与所述保护信号输出部连接，所述保护脉冲信号输出部在接收到所述保护信号时输出保护脉冲信号。所述高压侧脉冲信号输出部具有第4高压侧逻辑部，该第4高压侧逻辑部与所述保护脉冲信号输出部连接，在接收到所述保护脉冲信号时输出所述复位脉冲信号。所述高压侧脉冲信号输出部具有第3高压侧逻辑部，该第3高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。所述直流电源部是功率因数改善电路，该功率因数改善电路包含功率因数改善开关元件，在所述第I输出端与第2输出端之间输出直流电力，所述半导体集成电路具有与所述功率因数改善开关元件连接的功率因数改善电路驱动部。所述高压侧驱动部具有高压侧脉冲信号输出部，该高压侧脉冲信号输出部输出基于所述高压侧内部控制信号的置位脉冲信号和复位脉冲信号。所述半导体集成电路具有保护脉冲信号输出部，该保护脉冲信号输出部与所述保护信号输出部连接，所述保护脉冲信号输出部在接收到所述保护信号时输出保护脉冲信号。所述高压侧脉冲信号输出部具有第4高压侧逻辑部，该第4高压侧逻辑部与所述保护脉冲信号输出部连接，在接收到所述保护脉冲信号时输出所述复位脉冲信号。所述高压侧脉冲信号输出部具有第3高压侧逻辑部，该第3高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出，所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。根据本技术的另一个方式，提供一种半导体模块，其特征在于，该半导体模块具有上述的半导体集成电路、直流电源部以及逆变器电路。根据本技术，能够提供如下的半导体集成电路和半导体模块:在半导体模块的异常时可靠地使开关元件断开，从而具有高可靠性。【附图说明】图1是示出本技术的实施方式的半导体模块结构的电路图。图2是示出本技术的实施方式的半导体集成电路结构的结构图。图3是示出本技术的实施方式的高压侧信号处理部结构的结构图。图4是示出本技术的实施方式的高压侧脉冲信号输出部结构的结构图。标号说明1:直流电源部；2:逆变器电路；3:半导体集成电路；10:半导体模块；31:高压侧驱动部；32:低压侧驱动部；33:功率因数改善电路驱动部；34:保护信号输出部；35:保护脉冲信号输出部；311:高压侧信号处理部；312:高压侧脉冲信号输出部；315:高压侧驱动信号输出部；321:高压侧信号处理部；331:功率因数改善信号处理部。【具体实施方式】下面，参照【附图说明】本技术的实施方式。在以下的附图记载中，对于相同或者类似的部分标注相同或者类似的标号。但是，应注意的是，附图是示意性的。另外，以下所示的实施方式例示了用于具体化本技术的技术思想的装置和方法，本技术的实施方式并没有将构成部件的构造、配置等限定为下述的内容。关于本技术的实施方式，可以在权利要求的范围内实施各种变更。图1是示出本技术的实施方式的半导体模块结构的电路图。图2是示出本技术的实施方式的半导体集成电路结构的结构图。本实施方式的半导体模块10具有功率因数改善电路1、逆变器电路2以及半导体集成电路3。半导体集成电路3对逆变器电路2进行驱动。所述逆变器电路2包含串联连接在功率因数改善电路I的第I输出端P+与第2输出端P-之间的第I开关元件Q21 (Q23、Q25)和第2开关元件Q22 (Q24、Q26)。半导体集成电路3具有高压侧驱动部31、低压侧驱动部32以及保护信号输出部34。高压侧驱动部31与第I开关元件Q21 (Q23、Q25)连接。低压侧驱动部32与第2开关元件Q22 (Q24、Q26)连接。至少在逆变器电路2的异常时，保护信号输出部34将保护信号输出到高压侧驱动部31和低压侧驱动部32。高压侧驱动部31具有输出高压侧内部控制信号Sh INT的高压侧信号处理部311。低压侧驱动部32具有输出低压侧内部控制信号Sunt的低压侧信号处理部321。本实施方式的半导体模块10安装于电路基板，通过第I输出端子至第3输出端子U、V、W与电机4连接。电机4是例如是三相无刷电机。半导体模块10至少与电抗器L、输出电容器C、控制电源VCC、第I电容器至第3电容器BC1、BC2、BC3以及微电脑MCU连接。半导体模块10是如下的逆变器模块:根据从微电脑MCU接收的控制指令信号，对功率因数改善电路I和逆变器电路2进行控制，向电机4供给规定的交流电力。本实施方式的功率因数改善电路I相当于本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，其用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第1输出端与第2输出端之间的第1开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路的特征在于，具有：高压侧驱动部，其与所述第1开关元件连接；低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及，保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部，所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部，所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，其用于对逆变器电路进行驱动，所述逆变器电路包含串联连接在直流电源部的第I输出端与第2输出端之间的第I开关元件和第2开关元件，该半导体集成电路的特征在于，具有: 高压侧驱动部，其与所述第I开关元件连接； 低压侧驱动部，其与所述第2开关元件连接；以及， 保护信号输出部，其至少在所述逆变器电路的异常时，将保护信号输出到所述高压侧驱动部和所述低压侧驱动部， 所述高压侧驱动部具有输出高压侧内部控制信号的高压侧信号处理部， 所述低压侧驱动部具有输出低压侧内部控制信号的低压侧信号处理部。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出， 所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压 侧内部控制信号的输出。3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述高压侧驱动部具有高压侧脉冲信号输出部，该高压侧脉冲信号输出部输出基于所述高压侧内部控制信号的置位脉冲信号和复位脉冲信号。4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述高压侧脉冲信号输出部具有第2高压侧逻辑部，该第2高压侧逻辑部与所述保护信号输出部连接，在接收到所述保护信号时抑制所述置位脉冲信号的输出。5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述高压侧信号处理部具有第I高压侧逻辑部，该第I高压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述高压侧内部控制信号的输出， 所述低压侧信号处理部具有低压侧逻辑部，该低压侧逻辑部在接收到所述保护信号时抑制所述低压侧内部控制信号的输出。6.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述半导体集成电路具有保护脉冲信号输出部，该保护脉冲信号输出部与所述保护信号输出部连接， 所述保护脉冲信号输出部在接收到所述保护信号时输出保护脉冲信号。7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述高压侧脉冲信号输出部具有第4高压侧逻辑部，该第4高压侧逻辑部与所述保护脉冲信号输出部连接，在接收到所述保护脉冲信号时输出所述复位脉冲信号。8.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉田纯一，坂井邦崇，砂川千秋，铃木直仁，前川祐也，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP