一种高频逆变功率单元制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高频逆变功率单元，包括：完全对称的两个相同电路拓扑的桥臂，每个桥臂包括驱动和保护电路、驱动器、阻容吸收电容、散热器和功率器件，其中，驱动电路采用高频变压器隔离；保护电路用于脉冲异常保护、MOSFET器件门限保护、电源正负压保护和温度保护，散热器安装了4个功率器件，每个功率器件包括碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、MOSFET的栅极电阻和阻容吸收电阻，栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs具体为铜基板水冷电阻，通过铜基板水冷电阻对栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs的功耗产生热量进行降温。高频逆变功率单元散热效果好。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种高频逆变功率单元，包括：完全对称的两个相同电路拓扑的桥臂，每个桥臂包括驱动和保护电路、驱动器、阻容吸收电容、散热器和功率器件，其中，驱动电路采用高频变压器隔离；保护电路用于脉冲异常保护、MOSFET器件门限保护、电源正负压保护和温度保护，散热器安装了4个功率器件，每个功率器件包括碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、MOSFET的栅极电阻和阻容吸收电阻，栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs具体为铜基板水冷电阻，通过铜基板水冷电阻对栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs的功耗产生热量进行降温。高频逆变功率单元散热效果好。【专利说明】一种高频逆变功率单元
本技术涉及电学领域，特别涉及一种高频逆变功率单元。
技术介绍
现有技术中，固态高频感应加热电源最高工作频率约为800kHz，功率器件采用硅金属-氧化层半导体场效晶体管(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)。由于硅MOSFET特性的制约和主电路结构限制，工作频率难以继续提高，因此对于工作频率IMHz以上的高频应用领域的功率器件无法使用硅M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频逆变功率单元，其特征在于，包括：完全对称的两个相同电路拓扑的桥臂，每个桥臂包括驱动和保护电路、驱动器、阻容吸收电容、散热器和功率器件，其中，驱动和保护电路分为驱动电路和保护电路，所述驱动电路采用高频变压器隔离；所述保护电路用于脉冲异常保护、MOSFET器件门限保护、电源正负压保护和温度保护，所述散热器安装了4个功率器件，每个功率器件包括碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、MOSFET的栅极电阻和阻容吸收电阻，所述栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs具体为铜基板水冷电阻，通过铜基板水冷电阻对栅极电阻Rg和阻容吸收电阻Rs的功耗产生的热量进行降温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚斌，柴艳鹏，刘同召，
申请(专利权)人：保定四方三伊电气有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13