导电薄膜、其制备方法及应用技术

一种导电薄膜，包括层叠的铂层及氧化镍层，其中，铂层及氧化镍层为纳米线结构，该导电薄膜具有较高的透光率和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率，上述导电薄膜通过在铂层的表面沉积氧化镍层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的铂层及氧化镍层，其中，铂层及氧化镍层为纳米线结构，该导电薄膜具有较高的透光率和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率，上述导电薄膜通过在铂层的表面沉积氧化镍层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。一种导电薄膜，包括层叠的钼层及氧化镍层，其中，所述钼层及氧化镍层为纳米线结构，所述钼层的纳米线直径为50nm?400nm,所述氧化镍层的纳米线直径为5nm?50nm。在其中一个实施例中，所述钼层的厚度为80nm?500nm,所述氧化镍层的厚度为3nm ?30nmo—种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ?700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min?180cm3/min ；先将钼粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述钼粉的蒸发时间为10分钟?40分钟，在所述衬底表面形成钼层，停止蒸镀所述钼层；然后将氧化镍粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；氧化镍粉的蒸发时间为3分钟?20分钟，在所述钼层表面形成所述氧化镍层，停止蒸镀所述氧化镍层，继续通入惰性气体冷却到室温；及剥离所述衬底，得到所述层叠的钼层及氧化镍层导电薄膜。在其中一个实施例中，所述钼层及氧化镍层为纳米线结构，所述钼层的纳米线直径为50nm?400nm,氧化镍层的纳米线直径为5nm?50nm。在其中一个实施例中，所述钼层的厚度为80nm?500nm，所述氧化镍层的厚度为3nm ?30nmo一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、钼层及氧化镍层，其中，所述钼层及氧化镍层为纳米线结构，所述钼层的纳米线直径为50nm~400nm，氧化镍层的纳米线直径为5nm~50nm。在其中一个实施例中，所述钼层的厚度为80nm~500nm,所述氧化镍层的厚度为3nm ~30nmo一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤:将衬底通过酸处理，然后用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；先将钼粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述钼粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底表面形成钼层，停止蒸镀所述钼层；然后将氧化镍放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；氧化镍粉末的蒸发时间为3分钟~20分钟，在所述钼层表面形成所述氧化镍层，停止蒸镀所述氧化镍层，继续通入惰性气体冷却到室温。在其中一个实施例中，所述钼层及氧化镍层为纳米线结构，所述钼层的纳米线直径为50nm~400nm,氧化镍层的纳米线直径为5nm~50nm,所述钼层的厚度为80nm~500nm,所述氧化镍层的厚度为3nm~30nm。一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括依次层叠的衬底、钼层及氧化镍层，其中，所述钼层及氧化镍层为纳米线结构，所述钼层的纳米线直径为50nm~400nm,氧化镍层的纳米线直径为5nm~50nm。上述导电薄膜通过在钼层的表面沉积氧化镍薄膜制备双层导电薄膜，导电薄膜做成纳米线的集合，具有较高的表面功函数，又能保证高的透光，有利于器件的出光效率提高，导电薄膜在47(T790nm长范围可见光透过率88%~90%，方块电阻范围7~55 Ω / 口，表面功函数5.2^5.6eV ;上述导电薄膜的制备方法，采用热蒸镀的方式制备钼层及氧化镍层，工艺较成本低，容易操作及重复率高的优点；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。【专利附图】【附图说明】图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的基板的结构不意图；图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图4为本专利技术制备导电薄膜和导电基板的热蒸镀的方法的设备示意图；图5为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱图；图6为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图；图7为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的钼层30及氧化镍层10。钼层30为纳米线结构，钼层30纳米线直径为50nm~400nm。钼层30的厚度为80nm~500nm，优选为220nm。氧化镍层10为纳米线结构,氧化镍层10纳米线直径为5nm~50nm。氧化镍层10的厚度为3nm~30nm,优选为18nm。上述导电薄膜100通过在钼层30的表面沉积氧化镍层10薄膜制备双层导电薄膜，这样制备的双层导电薄膜既能保持良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在47(T790nm波长范围可见光透过率88%~90%，方块电阻范围7 Ω / □ 55 Ω / □,表面功函数 5.2eV 5.6eV。上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:S110、将衬底通过酸处理，接着用丙酮和乙醇超声清洗，烘干后将所述衬底放入管式炉的石英管中；设置管式炉的石英管的真空度为IO2PalO3Pa,温度为350°C ~700°C，然后向管式炉的石英管中通入惰性气体，所述惰性气体的流速为50cm3/min~180cm3/min ；衬底为玻璃衬底；惰性气体包括氦气、氮气、氖气及氩气。本实施方式中，真空腔体的真空度优选为3X102Pa。步骤S120、先将钼粉放置在舟中，将所述舟放置在管式炉的石英管中；所述钼粉的蒸发时间为10分钟~40分钟，在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括层叠的铂层及氧化镍层，其中，所述铂层及氧化镍层为纳米线结构，所述铂层的纳米线直径为50nm～400nm，所述氧化镍层的纳米线直径为5nm～50nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44