【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
现有介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，工艺复杂，操作复杂，不利于生产，不能满足生产需求。故此，现有的介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法有待于进一步完善。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案:，其特征在于包括以下步骤:A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。如上所述的，其特征在于步骤A中所述基底为不锈钢、铜、铝中的一种。如上所述的，其特征在于步骤A中所述反射层为铜层、铝层、银层、钨层、钥层中的一种。如上所述的，其特征在于所述反射层的厚度为250-350nm。如上所述的，其特征在于步骤B中所述介质层为SiO2层或Al2O3层。如上所述的，其特征在于步骤C中所述半透明金属层为Mo层，W层，Cr层中的一种。如上所述的，其特征在于所述半透...
【技术保护点】
一种介质?金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。
【技术特征摘要】
1.一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层； B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层； C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁控溅射半透明金属层。2.根据权利要求1所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述基底为不锈钢、铜、铝中的一种。3.根据权利要求1所述的一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述反射层为铜层、铝层、银层、钨层、钥层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈路玉，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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