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本发明公开了一种介质-金属干涉型选择性吸收膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用直流磁控溅射的方法在基底上磁控溅射反射层；B、采用氧气作为反应气体，在步骤A中的反射层上磁控溅射介质层；C、采用直流磁控溅射的方法在步骤B中的介质层上磁...
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