发光器件制造技术

本发明专利技术实施方案的发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构；电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极；电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极；布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部；以及布置在第一接触部周围以使第一接触部与第二导电半导体层绝缘的绝缘离子注入层。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本专利技术实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
技术介绍
发光二极管（LED）已经广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成光的形式，例如红外光、可见光以及紫外光。随着发光器件的发光效率增加，发光器件已经用在例如显示装置和照明设备的各种领域中。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供了能够提高光提取效率和产品产率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。根据实施方案的发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构；电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极；电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极；布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和接触第一导电半导体层的顶表面的第二区域的第一接触部；以及布置在第一接触部周围以使第一接触部绝缘于第二导电半导体层的绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以提高光提取效率和产品产率。附图说明图1为示出根据实施方案的发光器件的图。图2为示出形成在图1中所示的发光器件的发光结构中的通孔的实施例的图。图3至图6为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图7为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。图8为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图9为示出图8中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。图10至图13为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图14为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图15为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图16为示出图15中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。图17至图20为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图21为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图22为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图23为示出图22中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。图24至图27为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图28和图29为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图30为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图31为示出图30中所示的发光器件的第一接触部的布置的图。图32至图35为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图36为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图37为示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。图38为示出根据实施方案的显示装置的分解透视图。图39为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。图40为示出根据实施方案的光单元的分解透视图。具体实施方式在实施方案的描述中，应当理解，当层（或膜）、区域、图案或结构称作在另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊盘（pad）或者另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层（或膜）、区域、焊盘或者图案之上，或者也可以存在一个或更多个插入层。参照附图来描述层的这样的位置。在下文中，将参照附图来详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。如图1和图2所示，根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、第一电极81、第二电极82以及第一接触部91。发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以布置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下，并且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或者第III-V族化合物半导体来实现。例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第一导电半导体层11可以包括选自掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se以及Te的N型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。有源层12通过穿过第一导电半导体层11注入的电子（或空穴）与穿过第二导电半导体层13注入的空穴（或电子）的复合而发射具有与根据构成有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构以及量子线结构之一，但实施方案不限于此。有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。例如，第二导电半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或第III-V族化合物半导体来实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电半导体层13可以包括选自掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电半导体层13之下附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中可以以均一或非均一掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说，发光结构10可以具有各种结构，并且实施方案不限于此。另外，可以在第一导电半导体层11与有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。根据实施方案的发光器件可以包括反射层17。反射层可以电连接到第二导电半导体层13。反射层可以布置在发光结构10之下。反射层可以布置在第二导电半导体层13之下。反射层17可以反射从发光结构10入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。根据实施方案的发光器件可以包括置于反射层17与第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。欧姆接触层15可以包括与发光结构10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及在所述有源层之下的第二导电半导体层；第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电半导体层并且设置在所述发光结构之下；第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电半导体层并且设置在所述发光结构之下；第一接触部，所述第一接触部设置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和接触所述第一导电半导体层的顶表面的第二区域；以及绝缘离子注入层，所述绝缘离子注入层设置在所述第一接触部周围以使所述第一接触部绝缘于所述第二导电半导体层。

【技术特征摘要】
2013.01.14 KR 10-2013-0003909;2013.02.14 KR 10-2011.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及在所述有源层之下的第二导电半导体层；第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电半导体层并且设置在所述发光结构之下；第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电半导体层并且设置在所述发光结构之下；第一接触部，所述第一接触部设置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和接触所述第一导电半导体层的顶表面的第二区域；以及绝缘离子注入层，所述绝缘离子注入层设置在所述第一接触部周围以使所述第一接触部绝缘于所述第二导电半导体层，其中所述第一电极包括：第二金属层、在所述第二金属层之下的第三金属层、在所述第三金属层之下的接合层、以及在所述接合层之下的导电支承构件，其中所述第二电极包括：欧姆接触层、在所述欧姆接触层之下的反射层、在所述反射层之下的第一金属层，其中所述发光器件还包括设置在所述第一金属层和所述第三金属层之间的第二绝缘层，其中所述第三金属层的顶表面与所述第二金属层的底表面接触，以及其中所述第三金属层包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括与所述发光结构间隔开并且电连接到所述第二电极的第二接触部。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部设置为穿过所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部的底表面与所述第二导电半导体层的底表面布置在同一平面上。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极的底表面设置成低于所述第二电极的底表面。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部包括欧姆层、中间层和上部层。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘离子注入层设置在所述有源层与所述第一接触部之间。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘离子注入层设置为穿过所述有源层和所述第二导电半导体层。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR