发光器件制造技术

技术编号:10231386 阅读:94 留言:0更新日期:2014-07-18 08:35
根据实施方案的发光器件包括:包括第一导电半导体层、布置在第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;布置在发光结构之下并且电连接到第一导电半导体层的第一电极;布置在发光结构之下并且电连接到第二导电半导体层的第二电极;以及布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部分。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本专利技术实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及发光单元。
技术介绍
发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成例如红外光、可见光以及紫外光的光的形式。随着发光器件的发光效率增加,发光器件已经用在例如显示装置和照明设备的各种领域中。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供了能够提高光提取效率和产品产率的发光器件、发光器件封装件以及发光单元。根据实施方案的发光器件包括:包括第一导电半导体层、布置在第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;布置在发光结构之下并且电连接到第一导电半导体层的第一电极;布置在发光结构之下并且电连接到第二导电半导体层的第二电极;以及布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部分。根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及发光单元可以提高光提取效率和产品产率。附图说明图1为示出根据实施方案的发光器件的图。图2为示出形成在图1中所示的发光器件的发光结构中的通孔的实施例的图。图3至图6为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图7为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。图8为示出根据又一实施方案的发光器件的截面图。图9为示出图8所示的发光器件的第一接触部分的布置的图。图10至图13为示出根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。图14为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。图15为示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。图16为示出根据实施方案的显示装置的分解透视图。图17为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。图18为示出根据实施方案的发光单元的分解透视图。具体实施方式在实施方案的描述中,应当理解,当层(或膜)、区域、图案或结构称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或者另一图案“上”或“下”时,其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层(或膜)、区域、焊垫或者图案之上,或者也可以存在一个或更多个插入层。参照附图来描述层的这样的位置。在下文中,将参照附图来详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、发光单元以及用于制造发光器件的方法。图1为示出根据一个实施方案的发光器件的图,并且图2为示出形成在图1中所示的发光器件的发光结构中的通孔的实施例的图。如图1和图2所示,根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、第一电极81、第二电极82以及第一接触部分91。发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下,并且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。例如,第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或者第III-V族化合物半导体来实现。例如,第一导电半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。例如,第一导电半导体层11可以包括选自掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se以及Te的N型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。有源层12通过穿过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与穿过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的复合而发射具有与根据构成有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构之一,但实施方案不限于此。有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时,有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如,有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。例如,第二导电半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如,第二导电半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或第III-V族化合物半导体来实现。例如,第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。例如,第二导电半导体层13可以包括选自掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。同时,第一导电半导体层11可以包括P型半导体层,并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外,可以在第二导电半导体层13之下附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此,发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外,第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中可以以均匀或非均匀掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说,发光结构10可以具有各种结构,并且实施方案不限于此。另外,可以在第一导电半导体层11与有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外,可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。根据实施方案的发光器件可以包括反射层17。反射层可以电连接到第二导电半导体层13。反射层可以布置在发光结构10之下。反射层可以布置在第二导电半导体层13之下。反射层17可以反射从发光结构10入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。根据实施方案的发光器件可以包括置于反射层17与第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。欧姆接触层15可以包括与发光结构10欧姆接触的区域。欧姆接触层15可以包括与第二导电半导体层13欧姆接触的区域。例如,欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如,欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种:ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、AZO(氧化铝锌)、AGZO(氧化铝镓锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(氮化IZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti。反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如,反射层17可以包括含有Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Z本文档来自技高网...
发光器件

【技术保护点】
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在所述有源层之下的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第一导电半导体层;第二电极,所述第二电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第二导电半导体层;以及第一接触部分,所述第一接触部分布置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域。

【技术特征摘要】
2013.01.10 KR 10-2013-0002962;2013.01.10 KR 10-2011.一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在所述有源层之下的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第一导电半导体层;第二电极,所述第二电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第二导电半导体层;第一接触部分,所述第一接触部分布置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域;以及第一绝缘层,所述第一绝缘层包括布置在所述第二导电半导体层之下的第一部分和穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二部分,所述第二部分围绕所述第一接触部分并分隔于所述第一接触部分,其中从所述第一导电半导体层的所述顶表面到所述第一绝缘层的所述第一部分的底表面设置有通孔,其中所述第一接触部分设置在所述通孔中并包括接触所述第一电极的顶表面的所述第一区域和布置在所述第一导电半导体层的所述顶表面上的所述第二区域。2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括与所述发光结构间隔开并且电连接到所述第二电极的第二接触部分。3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一接触部分布置为穿过所述第一导电半导体层、所述有源层、所述第二导电半导体层以及所述第一绝缘层。4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极的底表面设置为低于所述第二电极的底表面。5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极包括欧姆接触层和反射层。6.根据权利要求1所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁焕熙
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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