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本发明实施方案的发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构；电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极；电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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