一种相变存储单元制造技术

本实用新型专利技术公开了一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本实用新型专利技术易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本技术易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。【专利说明】一种相变存储单元
本技术具体涉及一种相变存储单元，属于半导体制备
。
技术介绍
相变存储器(phase-change memory,PCM)以其优异的特性,包括快速读写速度、优异的尺寸缩放性能、多位元存储能力、抗辐射、制造成本低等，被认为是取代FLASH、SRAM及DRAM等常规存储器的下一代主流存储器。随着技术的发展，人们设计与制备出了多种PCM单元结构，如经典的“蘑菇型”结构、侧墙结构、边缘接触结构、μ -Trench结构等，旨在减小电极与材料接触面积、降低读写操作电流以提高存储器工作性能。目前提高PCM存储密度同时降低制备成本是PCM面向应用的进程中亟需解决的关键问题之一。当前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其特征在于，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32