【技术实现步骤摘要】
VDMOS结构
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)结构。
技术介绍
目前的功率器件多用在有电感的感性交流电路中,所以产品开关时的雪崩耐受量(EAS)是产品性能评价的一个主要指标。耐雪崩击穿的能力越大,产品的稳定性和可靠性就越强。由于功率器件的MOS管结构特征,N管源区的注入杂质需要用N型,而N管需要在N外延上通过形成P阱来形成,所以N注入区、P阱和N外延就会形成一个寄生的NPN三极管,这个寄生三极管的开通,会大大降低P阱对N外延的雪崩击穿的耐受能力。现有功率器通过MOS管沟道的开启,关断来控制器件的开关。而在器件开启时,需要通过源区的注入连接沟道,将沟道电流引到接触孔。这个三极管的发射极和基极的开启又会造成寄生管的集电极电流和MOS管的体区到源区漏电的自反馈,造成MOS管的反向击穿,降低了产品耐雪崩击穿的能力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种不具有寄生NPN三极管的VDMOS结构,能提高VDMOS结构的抗雪崩击穿能力。为解决上述技术问题,本专利技术的VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,位于P阱和N型外延上方的栅氧化膜,位于栅氧化膜上方的多晶硅平面栅,其中,所述P阱上部形成有一凹槽,所述凹槽内形成有与所述栅氧化膜形成接触的金属硅化物,接触孔形成于所述金属硅化物的上面。本专利技术的另一种VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,内部具有栅氧化膜填充有多晶硅的多晶硅沟槽栅穿过所述P阱,其中,所述P阱上部形成有一凹槽,所述多晶硅 ...
【技术保护点】
一种VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,位于P阱和N型外延上方的栅氧化膜,位于栅氧化膜上方的多晶硅平面栅,其特征是:所述P阱上部形成有一凹槽,所述凹槽内形成有与所述栅氧化膜形成接触的金属硅化物,接触孔形成于所述金属硅化物的上面。
【技术特征摘要】
1.一种VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,位于P阱和N型外延上方的栅氧化膜,位于栅氧化膜上方的多晶硅平面栅,其特征是:所述P阱上部形成有一凹槽,所述凹槽内形成有与所述栅氧化膜形成接触的金属硅化物,接触孔形成于所述金属硅化物的上面。2.—种VDMOS结构,包括N型衬底上的N型外延,N型外延上部的P阱,内部具有栅氧化膜填充有多晶硅的多晶硅沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:王飞,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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