半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一有源区和第二有源区；在衬底上形成第一栅氧层；对第一栅氧层进行第一退火处理；去除位于第一有源区上的第一栅氧层；在第一有源区和第二有源区上形成初始栅极层；在第二有源区内形成初始体区；对初始体区进行第二退火处理形成体区，第二退火处理的温度小于多晶硅材料重结晶的温度。通过对第一栅氧层进行第一退火处理，能够释放产生的应力，改善因应力不匹配导致有源区的位错。第二退火处理的温度小于多晶硅材料重结晶的温度，可以有效降低多晶硅材料重结晶而导致晶粒增大，使得形成源极或漏极的注入离子能够扩散至栅氧附近，以减少形成的单个晶体管应用电压的影响，提升器件结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、bcd是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管(bipolar junction transistor，bjt)，互补型金属氧化物半导体(cmos)和扩散金属氧化物半导体(dmos)器件。bcd工艺不仅综合了双极型器件高跨导、强负载驱动能力和cmos集成度高、低功耗的优点，而且集成进了开关速度很快的dmos功率器件。由于dmos同时具有高速和大电流能力的特性，耐压通常也较高，因而用bcd工艺制造的电源管理芯片能工作在高频、高压和大电流下，是制造高性能电源芯片的理想工艺。

2、然而，现有技术在将bcd与小节点(110nm及以下)逻辑工艺集成的制程中仍存在诸多问题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提升器件结构的良率和性能。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一有源区和第二有源区；在所述第一有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的参数包括：退火温度：1050摄氏度～1150摄氏度；退火时间：10秒～90秒。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的参数包括：退火温度：900摄氏度～1030摄氏度；退火时间：10秒～90秒。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一有源区用于形成存储器件结构；所述第二有源区用于形成DMOS器件结构。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述存储...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的参数包括：退火温度：1050摄氏度～1150摄氏度；退火时间：10秒～90秒。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的参数包括：退火温度：900摄氏度～1030摄氏度；退火时间：10秒～90秒。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一有源区用于形成存储器件结构；所述第二有源区用于形成dmos器件结构。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述存储器件结构包括：sram器件结构。

6.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括：第三有源区，所述第三有源区用于形成cmos器件结构。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一栅氧层的过程中...

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：