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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一有源区和第二有源区；在衬底上形成第一栅氧层；对第一栅氧层进行第一退火处理；去除位于第一有源区上的第一栅氧层；在第一有源区和第二有源区上形成初始栅极层；在第二有源区内形成初始体区；对初始体...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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