一种AMOLED显示面板及膜层制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。所述AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。

【技术实现步骤摘要】
—种AMOLED显不面板及膜层制作方法、显不装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED显示面板及膜层制作方法、显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)相比传统的液晶面板，具有反应速度快、对比度高、视角较广、显示效果优异以及低电能消耗等优点。AMOLED具有自发光的特点，不需使用背光板，因此比薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)能够做得更轻薄，而且不需使用背光板的AMOLED可以节省占TFT-1XD三到四成比重的背光模块成本。AMOLED因为是自发光，所以在老化过程中会出现不同像素老化程度不一样，导致亮度不一样，可能导致显示屏留下残影，其中蓝色子像素的亮度衰减较红色子像素和绿色子像素的亮度衰减更快。现有技术中为了解决AMOLED显示屏在使用一段时间后出现的残影，通常的方法是通过增大蓝色子像素发光层13，即B像素发光层13的面积，来减小其电流密度，从而对蓝色子像素的亮度衰减进行补偿，如图1所示，将蓝色子像素发光层13的面积设置为大于红色子像素发光层11，即R像素发光层11和绿色子像素发光层12，即G像素发光层12的面积，而蓝色子像素发光层的面积增大，会导致AMOLED显示屏的整体解析度降低。综上所述，现有技术中的AMOLED显示屏的整体解析度较低，AMOLED显示屏的整体品质较差。
技术实现思路
本专利技术提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。根据本专利技术提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。由本专利技术提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，由于AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层，可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。本专利技术还提供了一种AMOLED显示装置，该装置包括上述的AMOLED显示面板。由本专利技术提供的一种AMOLED显示装置，由于包括上述的AMOLED显示面板，故该显示装置可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。本专利技术还提供了一种AMOLED膜层制作方法，所述方法包括:在基板上依次制作阳极层和空穴传输层；在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层；其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。由本专利技术提供的一种AMOLED膜层制作方法，由于在基板上依次制作阳极层和空穴传输层；在空穴传输层上依次制作发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层；其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层，可以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、提高AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。【附图说明】图1为现有技术中一种AMOLED显示屏像素排布示意图；图2为本专利技术一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与发光层发光强度之间的关系图；图4为现有技术中的一种AMOLED显示面板结构示意图；图5为制作图4的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图；图6为制作本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板中的阴极保护层时采用的蒸镀掩膜板示意图；图7为本专利技术另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；图8为本专利技术另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；图9为本专利技术另一实施例提供的一种AMOLED显示面板结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种AMOLED显示装置示意图。【具体实施方式】本专利技术实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板、AMOLED显示装置及AMOLED膜层制作方法，用以提升AMOLED显示屏的解析度、降低AMOLED显示屏的功耗、简化AMOLED显示屏的生产工艺、优化AMOLED显示屏亮度衰减匹配、提升AMOLED显示屏的整体品质。下面给出本专利技术具体实施例提供的技术方案的详细介绍。如图2所示，本专利技术一具体实施例提供的一种AMOLED显示面板包括:基板20、阳极层21、空穴传输层22、发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26，其中，阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233，其中，阴极保护层26可选Alq3 (喹啉铝)等有机材料，或CaO，SiO2等陶瓷材料。本专利技术实施例提供的AMOLED膜层制作方法包括:在基板20上依次制作阳极层21和空穴传输层22 ;在空穴传输层22上依次制作发光层、电子传输层24、阴极层25和阴极保护层26 ;其中阴极保护层26为各处厚度相同且连续不间断的膜层，发光层包括R像素发光层231，G像素发光层232和B像素发光层233。本专利技术具体实施例中阴极保护层26的厚度选择标准为:阴极保护层26的厚度使得B像素发光层233的光耦合效率得到最佳。由于R像素发光层231、G像素发光层232和B像素发光层233的发光波长不同，故制作得到的阴极保护层26的厚度在B像素发光层233的光稱合效率最佳时，R像素发光层231和G像素发光层232的光稱合效率一般。具体地，表1为本专利技术实施例提供的一种AMOLED显示面板中阴极保护层厚度与各像素发光层发光强度之间的关系。表1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED显示面板，包括基板、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和阴极保护层，其中，所述空穴传输层为各处厚度相同且连续不间断的膜层；和/或所述阴极保护层为各处厚度相同且连续不间断的膜层。2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述发光层包括多个R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层，所述R像素发光层、G像素发光层和B像素发光层的面积相同。3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述发光层还包括设置在B像素发光层上的微镜。4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述阴极保护层的厚度为75nm_115nm05.一种AMOLED显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1-4任一权项所述的AMOLED显示面板。6.一种AMOLE...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊志勇，钱栋，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31